公开(公告)号：DE112014000486T5

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：DE112014000486

申请日：2014-05-09

Applicant: IBM

Inventor： TIAN KEHAN ,  INOUE TADANOBU ,  MELVILLE DAVID OZMOND ,  ROSENBLUTH ALAN E ,  SAKOMOTO MASAHARU

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  H01L21/027

Abstract: Problem Um ein Verfahren zum Optimieren (Entwerfen) einer Maskenstruktur bereitzustellen, bei dem eine SMO und eine OPC gemeinschaftlich verwendet werden, um einen ausreichenden gemeinschaftlichen Effekt auszuüben, oder auf unterschiedliche Weisen geeignet verwendet werden. Lösungsmöglichkeiten Ein Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zum Entwerfen einer Quelle und einer Maske für die Lithographie beinhaltet einen Schritt (S1) des Auswählens eines Satzes von Strukturen; einen Schritt des Durchführens einer Quellen-Masken-Optimierung (SMO), die den Satz von Strukturen verwendet, unter einer Beschränkungsregel einer optischen Lagekorrektur (OPC), die für ein selektives Beschränken eines Verschiebens einer Kantenposition eines Polygons verwendet wird, wenn die OPC auf den Satz von Strukturen angewendet wird, sowie einen Schritt (S3, S4) des Festlegens eines Layouts der Maske für die Lithographie mittels Anwenden der OPC auf sämtliche Strukturen, welche die Maske für die Lithographie bilden, wobei die durch die SMO optimierte Quelle verwendet wird.