公开(公告)号：DE112011100241T5

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：DE112011100241

申请日：2011-03-16

Applicant: IBM

Inventor： MUTA HIDEMASA ,  SAKAMOTO MASAHURA ,  BAGHERI SAEED ,  INOUE TADANOBU ,  MELVILLE DAVID O ,  TIAN KEHAN ,  ROSENBLUTH ALAN E

IPC: G06F17/50

Abstract: Lichtwellendaten für den Entwurf einer Halbleitereinheit werden in Bereiche eingeteilt (102). Für die Wellendaten jedes Bereichs wird eine erste Gestaltung der Wellenfront durchgeführt, wobei nur die Wellendaten jedes Bereichs und nicht die Wellendaten benachbarter Bereiche jedes Bereichs berücksichtigt werden (104). Die Lichtwellendaten jedes Bereichs werden auf der Grundlage der ersten Gestaltung der Wellenfront normalisiert (106). Für die Wellendaten jedes Bereichs wird eine zweite Gestaltung der Wellenfront auf der Grundlage zumindest der normalisierten Wellendaten jedes Bereichs durchgeführt (108). Bei der zweiten Gestaltung der Wellenfront werden die Wellendaten jedes Bereichs und eines Sicherheitsstreifens um jeden Bereich herum berücksichtigt, der die Wellendaten der benachbarten Bereiche jedes Bereichs beinhaltet. Die zweite Gestaltung der Wellenfront kann nacheinander erfolgen, indem die Bereiche in Gruppen aufgeteilt (110) werden und nacheinander die zweite Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche jeder Gruppe parallel durchgeführt wird (110).

公开(公告)号：DE112014000486B4

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：DE112014000486

申请日：2014-05-09

Applicant: IBM

Inventor： INOUE TADANOBU ,  MELVILLE DAVID OZMOND ,  ROSENBLUTH ALAN E ,  SAKAMOTO MASAHARU ,  TIAN KEHAN

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  H01L21/027

Abstract: Computerimplementiertes Verfahren für das Entwerfen einer Quelle und einer Maske für die Lithographie, das aufweist:einen Schritt (S1) des Auswählens eines Satzes von Strukturen (10);einen Schritt (S2) des Durchführens einer Quellen-Masken-Optimierung (SMO), die den Satz von Strukturen (10) verwendet, unter einer Beschränkungsregel der optischen Lagekorrektur (OPC), die für ein selektives Beschränken eines Verschiebens (40) einer Kantenposition eines Polygons (20) verwendet wird, wenn die OPC auf den Satz von Strukturen (10) angewendet wird; undeinen Schritt (S4) des Festlegens eines Layouts der Maske für die Lithographie mittels Anwendens (S3) der OPC auf sämtliche Strukturen (10), welche die Maske für die Lithographie bilden, wobei die durch die SMO optimierte Quelle verwendet wird.

公开(公告)号：DE112014000486T5

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：DE112014000486

申请日：2014-05-09

Applicant: IBM

Inventor： TIAN KEHAN ,  INOUE TADANOBU ,  MELVILLE DAVID OZMOND ,  ROSENBLUTH ALAN E ,  SAKOMOTO MASAHARU

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  H01L21/027

Abstract: Problem Um ein Verfahren zum Optimieren (Entwerfen) einer Maskenstruktur bereitzustellen, bei dem eine SMO und eine OPC gemeinschaftlich verwendet werden, um einen ausreichenden gemeinschaftlichen Effekt auszuüben, oder auf unterschiedliche Weisen geeignet verwendet werden. Lösungsmöglichkeiten Ein Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zum Entwerfen einer Quelle und einer Maske für die Lithographie beinhaltet einen Schritt (S1) des Auswählens eines Satzes von Strukturen; einen Schritt des Durchführens einer Quellen-Masken-Optimierung (SMO), die den Satz von Strukturen verwendet, unter einer Beschränkungsregel einer optischen Lagekorrektur (OPC), die für ein selektives Beschränken eines Verschiebens einer Kantenposition eines Polygons verwendet wird, wenn die OPC auf den Satz von Strukturen angewendet wird, sowie einen Schritt (S3, S4) des Festlegens eines Layouts der Maske für die Lithographie mittels Anwenden der OPC auf sämtliche Strukturen, welche die Maske für die Lithographie bilden, wobei die durch die SMO optimierte Quelle verwendet wird.

公开(公告)号：GB2492688A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：GB201217762

申请日：2011-03-16

Applicant: IBM

Inventor： BAGHERI SAEED ,  INOUE TADANOBU ,  MELVILLE DAVID O ,  MUTA HIDEMASA ,  ROSENBLUTH ALAN E ,  SAKAMOTO MASAHURA ,  TIAN KEHAN

IPC: G06F17/50 ,  H01L27/02

Abstract: Optical wave data for a semiconductor device design is divided into regions (102). First wavefront engineering is performed on the wave data of each region, accounting for just the wave data of each region. The optical wave date of each region is normalized based on the first wavefront engineering (106). Second wavefront engineering is performed on the wave data of each region, based at least on the wave data of each region as normalized (108). The second wavefront engineering takes into account the wave data of each region and a guard band around each region including the wave data of the neighboring regions of each region. The second wavefront engineering can be sequentially performed in parallel by organizing the regions into groups (110).