公开(公告)号：DE112021001020B4

公开(公告)日：2025-01-30

申请号：DE112021001020

申请日：2021-01-26

Applicant: IBM

Inventor： SHEN TIAN ,  WU HENG ,  BREW KEVIN ,  ZHANG JINGYUN

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: Verfahren für verbesserte Linearität einer Phasenwechselspeicherzellen-Struktur, PCM-Zellen-Struktur, wobei das Verfahren aufweist:Bilden einer unteren Elektrode über einem Substrat;Bilden eines Heizelementes in direktem Kontakt mit einer Oberfläche der unteren Elektrode, wobei eine Breite des Heizelementes kleiner als die untere Elektrode ist;Bilden einer resistiven Verkleidung, wodurch eine planare Oberfläche entlang einer gesamten Oberfläche gebildet wird, so dass die planare Verkleidungsoberfläche sich insgesamt über eine obere Oberfläche des Heizelementes erstreckt;Aufbauen eines PCM-Stapels, der eine Mehrzahl von PCM-Schichten aufweist, die jeweils eine andere Kristallisationstemperatur aufweisen, über der unteren Elektrode, wobei der PCM-Stapel in direktem Kontakt mit einer oberen Oberfläche der resistiven Verkleidung steht; undBilden einer oberen Elektrode über dem PCM-Stapel,wobei die Kristallisationstemperatur in einer aufsteigenden Reihenfolge von der unteren Elektrode zu der oberen Elektrode variiert, undwobei die Mehrzahl von PCM-Schichten vier Schichten aufweist.

公开(公告)号：DE112021001020T5

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：DE112021001020

申请日：2021-01-26

Applicant: IBM

Inventor： SHEN TIAN ,  WU HENG ,  BREW KEVIN ,  ZHANG JINGYUN

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: Es wird ein Verfahren für verbesserte Linearität einer Phasenwechselspeicherzellen(PCM-Zellen)-Struktur bereitgestellt. Das Verfahren weist Bilden einer unteren Elektrode über einem Substrat, Aufbauen eines PCM-Stapels, der einer Mehrzahl von PCM-Schichten enthält, die jeweils eine andere Kristallisationstemperatur aufweisen, über der unteren Elektrode, und Bilden einer oberen Elektrode über dem PCM-Stapel auf. Die Kristallisationstemperatur variiert in einer aufsteigenden Reihenfolge von der unteren Elektrode zu der oberen Elektrode.

公开(公告)号：AU2021237822B2

公开(公告)日：2024-05-02

申请号：AU2021237822

申请日：2021-02-19

Applicant: IBM

Inventor： SHEN TIAN ,  XIE RUILONG ,  BREW KEVIN ,  WU HENG ,  ZHANG JINGYUN

IPC: H01L29/00

Abstract: A phase change material switch includes a phase change layer disposed on a metal liner. A gate dielectric layer is disposed on the phase change layer. A metal gate liner is disposed on the gate dielectric layer.

公开(公告)号：DE112021000643T5

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：DE112021000643

申请日：2021-02-19

Applicant: IBM

Inventor： SHEN TIAN ,  XIE RUILONG ,  BREW KEVIN ,  WU HENG ,  ZHANG JINGYUN

IPC: H01L45/00

Abstract: Ein Phasenwechselmaterialschalter enthält eine Phasenwechselschicht, die auf einem Metall-Liner angeordnet ist. Eine Gate-Dielektrikumschicht ist auf der Phasenwechselschicht angeordnet. Ein Metall-Gate-Liner ist auf der Gate-Dielektrikumschicht angeordnet.

公开(公告)号：AU2021237822A1

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：AU2021237822

申请日：2021-02-19

Applicant: IBM

Inventor： SHEN TIAN ,  XIE RUILONG ,  BREW KEVIN ,  WU HENG ,  ZHANG JINGYUN

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: A phase change material switch includes a phase change layer disposed on a metal liner. A gate dielectric layer is disposed on the phase change layer. A metal gate liner is disposed on the gate dielectric layer.