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    PHASENWECHSELSPEICHER MIT MEHRFACHSTAPELN VON PCM-MATERIALIEN
    1.
    发明专利
    PHASENWECHSELSPEICHER MIT MEHRFACHSTAPELN VON PCM-MATERIALIEN 未知

    公开(公告)号：DE112021001020T5

    公开(公告)日：2022-12-01

    申请号：DE112021001020

    申请日：2021-01-26

    Applicant: IBM

    Inventor： SHEN TIAN ,  WU HENG ,  BREW KEVIN ,  ZHANG JINGYUN

    IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

    Abstract: Es wird ein Verfahren für verbesserte Linearität einer Phasenwechselspeicherzellen(PCM-Zellen)-Struktur bereitgestellt. Das Verfahren weist Bilden einer unteren Elektrode über einem Substrat, Aufbauen eines PCM-Stapels, der einer Mehrzahl von PCM-Schichten enthält, die jeweils eine andere Kristallisationstemperatur aufweisen, über der unteren Elektrode, und Bilden einer oberen Elektrode über dem PCM-Stapel auf. Die Kristallisationstemperatur variiert in einer aufsteigenden Reihenfolge von der unteren Elektrode zu der oberen Elektrode.

    MEMRISTIVE STRUKTUR
    2.
    发明专利
    MEMRISTIVE STRUKTUR 未知

    公开(公告)号：DE112018001828T5

    公开(公告)日：2019-12-12

    申请号：DE112018001828

    申请日：2018-06-01

    Applicant: IBM

    Inventor： BREW KEVIN ,  NEWNS DENNIS ,  KIM SEYOUNG ,  GERSHON TALIA SIMCHA ,  TODOROV TEODOR KRASSIMIROV

    IPC: H01L27/12

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer memristiven Struktur für eine symmetrische Modulation zwischen Widerstandszuständen vorgelegt. Das Verfahren beinhaltet ein Bilden einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode über einem isolierenden Substrat, ein Bilden einer Anode, die sich in Kontakt mit der ersten und der zweiten Elektrode befindet, ein Bilden eines lonenleiters über der Anode, ein Bilden einer Kathode aus dem gleichen Material wie jenem der Anode über dem lonenleiter, ein Bilden einer dritten Elektrode über der Kathode sowie ein Ermöglichen eines bidirektionalen Transports von Ionen zwischen der Anode und der Kathode, so dass eine Widerstandseinstellung der memristiven Struktur resultiert, wobei die Anode und die Kathode aus metastabilen gemischt-leitenden Materialien mit einer von der lonenkonzentration abhängigen Leitfähigkeit gebildet werden.

    PHASENWECHSELSPEICHER MIT MEHRFACHSTAPELN VON PCM-MATERIALIEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    3.
    发明专利
    PHASENWECHSELSPEICHER MIT MEHRFACHSTAPELN VON PCM-MATERIALIEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 未知

    公开(公告)号：DE112021001020B4

    公开(公告)日：2025-01-30

    申请号：DE112021001020

    申请日：2021-01-26

    Applicant: IBM

    Inventor： SHEN TIAN ,  WU HENG ,  BREW KEVIN ,  ZHANG JINGYUN

    IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

    Abstract: Verfahren für verbesserte Linearität einer Phasenwechselspeicherzellen-Struktur, PCM-Zellen-Struktur, wobei das Verfahren aufweist:Bilden einer unteren Elektrode über einem Substrat;Bilden eines Heizelementes in direktem Kontakt mit einer Oberfläche der unteren Elektrode, wobei eine Breite des Heizelementes kleiner als die untere Elektrode ist;Bilden einer resistiven Verkleidung, wodurch eine planare Oberfläche entlang einer gesamten Oberfläche gebildet wird, so dass die planare Verkleidungsoberfläche sich insgesamt über eine obere Oberfläche des Heizelementes erstreckt;Aufbauen eines PCM-Stapels, der eine Mehrzahl von PCM-Schichten aufweist, die jeweils eine andere Kristallisationstemperatur aufweisen, über der unteren Elektrode, wobei der PCM-Stapel in direktem Kontakt mit einer oberen Oberfläche der resistiven Verkleidung steht; undBilden einer oberen Elektrode über dem PCM-Stapel,wobei die Kristallisationstemperatur in einer aufsteigenden Reihenfolge von der unteren Elektrode zu der oberen Elektrode variiert, undwobei die Mehrzahl von PCM-Schichten vier Schichten aufweist.

    PHASENWECHSELSPEICHERZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    6.
    发明专利
    PHASENWECHSELSPEICHERZELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 未知

    公开(公告)号：DE112021005680B4

    公开(公告)日：2024-12-24

    申请号：DE112021005680

    申请日：2021-11-18

    Applicant: IBM

    Inventor： OK INJO ,  BAO RUQIANG ,  SIMON ANDREW HERBERT ,  BREW KEVIN ,  SAULNIER NICOLE ,  SARAF IQBAL RASHID ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  MEHTA SANJAY

    IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20

    Abstract: Struktur (100); aufweisend:ein Heizelement (116), das von einer dielektrischen Schicht (114) umgeben ist;einen Projektions-Liner (124) auf dem Heizelement, wobei der Projektions-Liner eine obere Oberfläche des Heizelements bedeckt;eine Phasenwechselmaterialschicht (126) über dem Projektions-Liner, wobei der Projektions-Liner die Phasenwechselmaterialschicht von der zweiten dielektrischen Schicht (114) und dem Heizelement trennt;eine obere Elektrode (128) über und in elektrischem Kontakt mit der Phasenwechselmaterialschicht; undeinen oberen Elektrodenkontakt (136), der die obere Elektrode (128) und einen oberen Teil der Phasenwechselmaterialschicht umschließt, wobei der obere Elektrodenkontakt durch einen Metall-Liner (134) von der Phasenwechselmaterialschicht und der oberen Elektrode getrennt wird.

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