公开(公告)号：WO2012118568A3

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：PCT/US2012020728

申请日：2012-01-10

Applicant: IBM ,  TEKLEAB DANIEL G ,  HUNG TRAN H ,  SLEIGHT JEFFREY W ,  CHIDAMBARRAO DURESETI

Inventor： TEKLEAB DANIEL G ,  HUNG TRAN H ,  SLEIGHT JEFFREY W ,  CHIDAMBARRAO DURESETI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827

Abstract: A nanotubular MOSFET device and a method of fabricating the same are used to extend device scaling roadmap while maintaining good short channel effects and providing competitive drive current. The nanotubular MOSFET device includes a concentric tubular inner (61) and outer gate (50) separated from each other by a tubular shaped epitaxially grown silicon layer, and a source (35) and drain (31) respectively separated by spacers (51, 41) surrounding the tubular inner and outer gates. The method of forming the nanotubular MOSFET device includes: forming on a substrate a cylindrical shaped Si layer (30); forming an outer gate surrounding the cylindrical Si layer (30) and positioned between a bottom spacer (41) and a top spacer (51); growing a silicon epitaxial layer on the top spacer adjacent to a portion of the cylindrical shaped Si layer; etching an inner portion of the cylindrical shaped Si forming a hollow cylinder; forming an inner spacer at the bottom of the inner cylinder; forming an inner gate by filling a portion of the hollow cylinder; forming a sidewall spacer adjacent to the inner gate; and etching a deep trench for accessing and contacting the outer gate and drain.

Abstract translation: 纳米管MOSFET器件及其制造方法用于扩展器件缩放路线图，同时保持良好的短沟道效应并提供有竞争力的驱动电流。 纳米管MOSFET器件包括通过管状外延生长硅层彼此分离的同心管状内部（61）和外部栅极（50），以及分别由间隔物（51,41）分隔的源极（35）和漏极（31） ）围绕管状内门和外门。 形成纳米管MOSFET器件的方法包括：在衬底上形成圆柱形的Si层（30）; 形成围绕所述圆柱形Si层（30）并定位在底部间隔物（41）和顶部间隔物（51）之间的外部门; 在与圆柱形Si层的一部分相邻的顶部间隔上生长硅外延层; 蚀刻形成中空圆筒的圆柱形Si的内部; 在内筒的底部形成内隔板; 通过填充中空圆筒的一部分形成内门; 形成邻近所述内门的侧壁间隔物; 并蚀刻用于访问和接触外部栅极和漏极的深沟槽。

公开(公告)号：DE112012000310T5

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：DE112012000310

申请日：2012-01-10

Applicant: IBM

Inventor： SLEIGHT JEFFREY W ,  TEKLEAB DANIEL G ,  HUNG TRAN H ,  CHIDAMBARRAO DURESETI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Eine nanoröhrenförmige MOSFET-Einheit und ein Verfahren zur Herstellung derselben werden verwendet, um den Leitplan für die Skalierung von Einheiten zu erweitern, während gute Kurzkanaleffekte aufrechterhalten werden und ein konkurrenzfähiger Treiberstrom bereitgestellt wird. Die nanoröhrenförmige MOSFET-Einheit beinhaltet ein konzentrisches röhrenförmiges inneres (61) und äußeres Gate (50), die durch eine röhrenförmig gestaltete, epitaxial aufgewachsene Siliciumschicht voneinander getrennt sind, sowie eine Source (35) beziehungsweise einen Drain (31), die durch Abstandshalter (511, 41) getrennt sind, welche das ringförmige innere und das ringförmige äußere Gate umgeben. Das Verfahren zum Bilden der nanoröhrenförmigen MOSFET-Einheit beinhaltet: Bilden einer zylindrisch geformten Si-Schicht (30) auf einem Substrat; Bilden eines äußeren Gates, das die zylindrische Si-Schicht (30) umgibt und zwischen einem unteren Abstandshalter (41) und einem oberen Abstandshalter (51) angeordnet ist; Aufwachsen einer epitaxialen Siliciumschicht auf dem oberen Abstandshalter angrenzend an einen Teil der zylindrisch geformten Si-Schicht; Ätzen eines inneren Teils des zylindrisch geformten Si, wobei ein hohler Zylinder gebildet wird; Bilden eines inneren Abstandshalters an dem Boden des inneren Zylinders; Bilden eines inneren Gates mittels Füllen eines Teils des hohlen Zylinders; Bilden eines Seitenwandabstandshalters angrenzend an das innere Gate; und Ätzen eines tiefen Grabens für ein Zugreifen auf das äußere Gate und den Drain sowie ein Kontaktieren derselben.

公开(公告)号：GB2500556A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：GB201313198

申请日：2012-01-10

Applicant: IBM

Inventor： TEKLEAB DANIEL G ,  SLEIGHT JEFFREY W ,  HUNG TRAN H ,  CHIDAMBARRAO DURESETI

IPC: H01L29/775

Abstract: A nanotubular MOSFET device and a method of fabricating the same are used to extend device scaling roadmap while maintaining good short channel effects and providing competitive drive current. The nanotubular MOSFET device includes a concentric tubular inner (61) and outer gate (50) separated from each other by a tubular shaped epitaxially grown silicon layer, and a source (35) and drain (31) respectively separated by spacers (51, 41) surrounding the tubular inner and outer gates. The method of forming the nanotubular MOSFET device includes: forming on a substrate a cylindrical shaped Si layer (30); forming an outer gate surrounding the cylindrical Si layer (30) and positioned between a bottom spacer (41) and a top spacer (51); growing a silicon epitaxial layer on the top spacer adjacent to a portion of the cylindrical shaped Si layer; etching an inner portion of the cylindrical shaped Si forming a hollow cylinder; forming an inner spacer at the bottom of the inner cylinder; forming an inner gate by filling a portion of the hollow cylinder; forming a sidewall spacer adjacent to the inner gate; and etching a deep trench for accessing and contacting the outer gate and drain.

公开(公告)号：DE112012000310B4

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：DE112012000310

申请日：2012-01-10

Applicant: IBM

Inventor： SLEIGHT JEFFREY W ,  TEKLEAB DANIEL G ,  HUNG TRAN H ,  CHIDAMBARRAO DURESETI

IPC: H01L29/78 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/775

Abstract: Nanoröhrenförmige MOSFET-Einheit, die aufweist:ein zylinderförmiges inneres und ein röhrenförmiges äußeres Gate (61, 50), die durch eine röhrenförmige Si-Schicht (30) voneinander getrennt sind; undein Source (35) und einen Drain (31), die durch Abstandshalter (51, 41) getrennt sind, welche das zylinderförmige innere Gate (61) umgeben und zwischen welchen das röhrenförmige äußere Gate (50) angeordnet ist;wobei das äußere Gate (50) eine hohle zylindrische oder röhrenförmige Gestalt aufweist und wobei zwischen der röhrenförmigen Si-Schicht (30) und dem äußeren Gate (50) ein äußeres Gate-Dielektrikum (22) angeordnet ist undwobei zwischen dem zylinderförmigen inneren Gate (61) und dem Source (35) sowie der röhrenförmigen Si-Schicht (30) eine dielektrische Gateschicht (25) und zwischen dem zylinderförmigen inneren Gate (61) und dem Drain (31) eine dielektrische Schicht (26) auf einer horizontalen Oberfläche einer Schicht (31) am Boden des hohlen Zylinders angeordnet ist, wobei das Source (35) aus selbstjustiert epitaxial aufgewachsenem Silicium hergestellt ist und wobei Kontakte zu dem äußeren Gate (50) und dem Drain (31) gebildet sind.

公开(公告)号：GB2500556B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：GB201313198

申请日：2012-01-10

Applicant: IBM

Inventor： TEKLEAB DANIEL G ,  SLEIGHT JEFFREY W ,  HUNG TRAN H ,  CHIDAMBARRAO DURESETI

IPC: H01L29/775