Abstract:
Provided are sulfonamide-containing compositions, topcoat polymers, and additive polymers for use in lithographic processes that have improved static receding water contact angles over those known in the art. The sulfonamide-containing topcoat polymers and additive polymers of the present invention include sulfonamide-substituted repeat units with branched linking group as shown in Formula (I).
Abstract:
Provided are sulfonamide-containing photoresist compositions for use in lithographic processes that have improved properties for high resolution, low blur imaging. Also provided are alcohol- soluble photoresists for resist-on-resist applications. The sulfonamide- containing photoresist compositions of the present invention include positive-tone photoresist compositions that have sulfonamide-substituted repeat units with branched linking group as shown in Formula (I).
Abstract:
Provided are sulfonamide-containing compositions, topcoat polymers, and additive polymers for use in lithographic processes that have improved static receding water contact angles over those known in the art. The sulfonamide-containing topcoat polymers and additive polymers of the present invention include sulfonamide-substituted repeat units with branched linking group as shown in Formula (I).
Abstract:
Es werden Sulfonamid-enthaltende Fotoresist-Zusammensetzungen für die Verwendung bei lithographischen Verfahren bereitgestellt, die verbesserte Eigenschaften für die hochauflösende Bildgebung mit geringer Unschärfe aufweisen. Ferner werden alkohollösliche Fotoresiste für Fotoresist-auf-Fotoresist-Anwendungen bereitgestellt. Die Sulfonamid-enthaltenden Fotoresist-Zusammensetzungen gemäß der vorliegenden Erfindung umfassen Positiv-Fotoresist-Zusammensetzungen, die Sulfonamid-substituierte Wiederholungseinheiten mit einer verzweigten Verknüpfungsgruppe aufweisen, wie in Formel (I) gezeigt:
Abstract:
Positiv-Fotoresist-Zusammensetzung, umfassend ein Polymer, einen Fotosäuregenerator (PAG) und ein Lösungsmittel, wobei der PAG Sulfonate, Oniumsalze, aromatische Diazoniumsalze, Sulfoniumsalze, Diaryliodoniumsalze und Sulfonsäureester von N-Hydroxyamiden oder N-Hydroxyimiden umfasst, wobei das Polymer eine erste Wiederholungseinheit, die eine Sulfonamidgruppe und eine verzweigte Verknüpfungsgruppe aufweist, gemäß Formel (XII) umfasst,und eine zweite Wiederholungseinheit, die eine mit einer säurelabilen Schutzgruppe geschützte saure Gruppe enthält, umfasst, wobei:R28unabhängig ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Wasserstoff, Fluor, Methyl und Trifluormethyl; undR29fluoriertes C1-C12-Alkyl ist.
Abstract:
Zusammensetzung, umfassend ein Polymer mit Wiederholungseinheiten, umfassend eine Sulfonamidgruppe und eine verzweigte Verknüpfungsgruppe, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus den Formeln (III), (IV), (V), (VII), (VIII) und (IX):wobei:R10, R12, R14, R18, R20und R22unabhängig ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Wasserstoff, Fluor, Methyl und Trifluormethyl; undR11, R13, R15, R19, R21und R23unabhängig fluoriertes C1-C12-Alkyl sind.
Abstract:
Provided are sulfonamide-containing photoresist compositions for use in lithographic processes that have improved properties for high resolution, low blur imaging. Also provided are alcohol- soluble photoresists for resist-on-resist applications. The sulfonamide- containing photoresist compositions of the present invention include positive-tone photoresist compositions that have sulfonamide-substituted repeat units with branched linking group as shown in Formula (I).
Abstract:
Provided are sulfonamide-containing compositions, topcoat polymers, and additive polymers for use in lithographic processes that have improved static receding water contact angles over those known in the art. The sulfonamide-containing topcoat polymers and additive polymers of the present invention include sulfonamide-substituted repeat units with branched linking group as shown in Formula (I):