公开(公告)号：DE112020003670T5

公开(公告)日：2022-06-15

申请号：DE112020003670

申请日：2020-08-19

Applicant: IBM

Inventor： ANDRY PAUL S ,  LEWANDOWSKI ERIC PETER ,  TOTIR DANA ALEXA

IPC: H01M10/0525 ,  H01M10/058

Abstract: Ein Verfahren für ein Bilden einer Dünnschicht-Batterie kann aufweisen: Bilden eines Grabens in einem Substrat, Abscheiden einer Schablone auf einer oberen Oberfläche des Substrats, wobei die Schablone zu dem Graben ausgerichtet ist, Abscheiden einer Kathoden-Schicht in dem Graben, wobei sich die Kathoden-Schicht in einem direkten Kontakt mit der Schablone befindet, sowie Komprimieren der Kathoden-Schicht in den Graben hinein, um eine Dicke der Kathoden-Schicht zu reduzieren. Das Komprimieren der Kathoden-Schicht in den Graben hinein kann ein Anwenden eines isostatischen Drucks auf die Kathoden-Schicht unter Verwendung eines Druckkopfs aufweisen. Das Verfahren kann außerdem aufweisen: Abscheiden einer Elektrolyt-Schicht auf der Oberseite der Kathoden-Schicht, Abscheiden einer Anoden-Schicht auf der Oberseite der Elektrolyt-Schicht sowie Abscheiden einer Anoden-Kollektor-Schicht auf der Oberseite der Anoden-Schicht.