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    SYSTEM UND VERFAHREN ZUM BILDEN VON LÖTPERLEN
    1.
    发明专利
    SYSTEM UND VERFAHREN ZUM BILDEN VON LÖTPERLEN 未知

    公开(公告)号：DE112020002985T5

    公开(公告)日：2022-03-10

    申请号：DE112020002985

    申请日：2020-06-17

    Applicant: IBM

    Inventor： LEWANDOWSKI ERIC PETER ,  NAH JAE-WOONG ,  YAU JENG-BANG ,  SORCE PETER JEROME

    IPC: H01L21/60 ,  B82Y10/00 ,  G06N10/40 ,  H01L21/58 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L39/22

    Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Lötperle (122) schließt Vorbereiten einer Transferform (100), die eine Lötmittelsäule (112) aufweist, die sich von einem Formsubstrat (102) und durch eine erste Photoresistschicht (104) erstreckt und eine Form aufweist, die zum Teil durch eine zweite Photoresistschicht (108) definiert wird, die vor dem Überführen des Lötmittels entfernt wird; Bereitstellen eines Einheitensubstrats (114) mit einer benetzbaren Anschlussfläche (120); Anordnen der Transferform (100) und des Einheitensubstrats (114) in ausgerichtetem Kontakt, so dass die Lötmittelsäule (112) in Kontakt mit der benetzbaren Anschlussfläche (120) steht; Bilden einer metallischen Verbindung zwischen der Lötmittelsäule (112) und der benetzbaren Anschlussfläche (120), z.B. durch ein Kaltschweißverfahren oder ein Aufschmelzverfahren; und Entfernen des Formsubstrats (102) und der ersten Photoresistschicht (104) ein. Das Formsubstrat (102) und die Transferform (100) können flexibel sein. Die Transferform kann wenigstens eines aufweisen von: eine Benetzungsschicht über dem Formsubstrat (402), in welchem Fall eine Säule (112), die Aluminium enthält, aufgebracht und aufgeschmolzen werden kann; eine Keimschicht über dem Formsubstrat (402); und eine nichtbenetzende Schicht über der zweiten Photoresistschicht (408). Das Einheitensubstrat (114, 502) kann ein Durchgangsloch (118, 504) aufweisen und kann ein Interposer sein, der aus Silicium, Glas und/oder organischem Substratmaterial hergestellt ist. Das Verfahren kann ferner Befestigen des Interposers (114, 502) an eine Qubit-Halbleitereinheit (einen supraleitenden Chip) (300, 516) einschließen, wobei die Qubit-Halbleitereinheit (300, 516) einen Josephson-Übergang (304, 518) aufweist und wobei das Befestigen des Interposers (114, 502) an der Qubit-Halbleitereinheit (300, 516) Ausrichten des Lochs (118, 504) durch den Interposer (114, 502) auf den Josephson-Übergang (304, 518) einschließt, um einen Weg zum Zugang zu dem Josephson-Übergang (304, 518), insbesondere für die Durchführung von Einstellungen seiner baueigenen Frequenz, bereitzustellen. Die Lötmittelsäule (122) kann eine aus einer Mehrzahl von Lötmittelsäulen sein, die um das Loch (118) zwischen der Qubit-Halbleitereinheit (300) und dem Interposer (114) gebildet sind, um ein Maß an Wärmeisolation des Josephson-Übergangs (304) bereitzustellen, die eine kreisförmige Wand (200A, 200B) um die Qubits und zwischen dem Interposer (114) und dem supraleitenden Chip (300) bilden, wobei die kreisförmige Wand (200A, 200B) wenigstens eine hindurchgehende Lücke (202) aufweisen kann. Die Lötmittelsäule (122) kann eine aus einer Mehrzahl von Lötmittelsäulen (512) der Transferform sein, einschließlich einer ersten Lötmittelsäule (512) mit einem ersten Durchmesser und einer zweiten Lötmittelsäule (512) mit einem zweiten Durchmesser, wobei der erste Durchmesser größer als der zweite Durchmesser ist. Das Einheitensubstrat (602) kann ein Halbleitersubstrat aufweisen, das eine tiefe Vertiefung (604) aufweist, wobei eine Schaltungskomponente (608) in der tiefen Vertiefung (604) enthalten sein kann. Das Vorbereiten der Transferform (100) kann einschließen: Strukturieren der ersten und der

    KOMPAKTE LITHIUM-DÜNNSCHICHT-BATTERIE MIT EINER HOHEN KAPAZITÄT
    2.
    发明专利
    KOMPAKTE LITHIUM-DÜNNSCHICHT-BATTERIE MIT EINER HOHEN KAPAZITÄT 未知

    公开(公告)号：DE112020003670T5

    公开(公告)日：2022-06-15

    申请号：DE112020003670

    申请日：2020-08-19

    Applicant: IBM

    Inventor： ANDRY PAUL S ,  LEWANDOWSKI ERIC PETER ,  TOTIR DANA ALEXA

    IPC: H01M10/0525 ,  H01M10/058

    Abstract: Ein Verfahren für ein Bilden einer Dünnschicht-Batterie kann aufweisen: Bilden eines Grabens in einem Substrat, Abscheiden einer Schablone auf einer oberen Oberfläche des Substrats, wobei die Schablone zu dem Graben ausgerichtet ist, Abscheiden einer Kathoden-Schicht in dem Graben, wobei sich die Kathoden-Schicht in einem direkten Kontakt mit der Schablone befindet, sowie Komprimieren der Kathoden-Schicht in den Graben hinein, um eine Dicke der Kathoden-Schicht zu reduzieren. Das Komprimieren der Kathoden-Schicht in den Graben hinein kann ein Anwenden eines isostatischen Drucks auf die Kathoden-Schicht unter Verwendung eines Druckkopfs aufweisen. Das Verfahren kann außerdem aufweisen: Abscheiden einer Elektrolyt-Schicht auf der Oberseite der Kathoden-Schicht, Abscheiden einer Anoden-Schicht auf der Oberseite der Elektrolyt-Schicht sowie Abscheiden einer Anoden-Kollektor-Schicht auf der Oberseite der Anoden-Schicht.

    Stud bumps for post-measurement qubit frequency modification
    3.
    发明专利
    Stud bumps for post-measurement qubit frequency modification 未知

    公开(公告)号：AU2020224954A1

    公开(公告)日：2021-09-30

    申请号：AU2020224954

    申请日：2020-02-11

    Applicant: IBM

    Inventor： BRONN NICHOLAS TORLEIV ,  HERTZBERG JARED BARNEY ,  LEWANDOWSKI ERIC PETER ,  NAH JAE-WOONG

    IPC: G06N10/00 ,  G01R1/067 ,  H01L21/66 ,  H01L23/00

    Abstract: According to an embodiment of the present invention, a method of producing a quantum computer chip includes performing a frequency measurement on a qubit chip bonded to a test interposer chip for qubits on the qubit chip at an operating temperature of the qubit chip. The method further includes pulling the qubit chip apart from the test interposer chip after performing the frequency measurement, and modifying a frequency of a subset of qubits after pulling the qubit chip apart from the test interposer chip. The method further includes bonding the qubit chip to a device interposer chip after modifying the frequency of the subset of qubits.

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