公开(公告)号：DE112013005871T5

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE112013005871

申请日：2013-12-06

Applicant: IBM

Inventor： VEERARAGHAVAN S BASKER ,  LEOBANDUNG EFFENDI ,  YAMASHITA TENKO ,  YEH CHUN-CHEN

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308

Abstract: Eine FinFET-Struktur wird durch Ausbilden einer Hartmaskenschicht auf einem Substrat ausgebildet, das eine siliciumhaltige Schicht auf einer Isolationsschicht beinhaltet. Die Hartmaskenschicht beinhaltet eine erste, eine zweite und eine dritte Schicht auf der siliciumhaltigen Schicht. Ein Array von Finnen wird aus der Hartmaskenschicht und der siliciumhaltigen Schicht ausgebildet. Ein Gate wird so ausgebildet, dass es einen Abschnitt, jedoch nicht eine gesamte Länge einer jeden des Arrays von Finnen bedeckt. Der Abschnitt bedeckt jede der Finnen in dem Array. Das Gate definiert Source-/Drain-Bereiche auf beiden Seiten des Gates. Ein Abstandselement wird auf jeder Seite des Gates ausgebildet, wobei das Ausbilden des Abstandselements dazu durchgeführt wird, die dritte Schicht von Abschnitten der Finnen in den Source-/Drain-Bereichen zu entfernen. Die zweite Schicht der Hartmaskenschicht wird von den Abschnitten der Finnen in den Source-/Drain-Bereichen entfernt, und die Finnen in den Source-/Drain-Bereichen werden zusammengeführt.

公开(公告)号：GB2537069B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：GB201612148

申请日：2014-10-10

Applicant: IBM

Inventor： VEERARAGHAVAN S BASKER ,  ZUOGUANG LIU ,  TENKO YAMASHITA ,  CHUN-CHEN YEH

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：GB2537069A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：GB201612148

申请日：2014-10-10

Applicant: IBM

Inventor： VEERARAGHAVAN S BASKER ,  ZUOGUANG LIU ,  TENKO YAMASHITA ,  CHUN-CHEN YEH

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: Embodiments are directed to forming a structure comprising at least one fin, a gate, and a spacer, applying an annealing process to the structure to create a gap between the at least one fin and the spacer, and growing an epitaxial semiconductor layer in the gap between the spacer and the at least one fin.