ON-CHIP INTEGRATED VOLTAGE-CONTROLLED VARIABLE INDUCTOR

    公开(公告)号:EP2243162A4

    公开(公告)日:2017-11-01

    申请号:EP09705653

    申请日:2009-01-28

    Applicant: IBM

    CPC classification number: H01F21/005 H01F17/0006 H01F21/12 Y10T29/4902

    Abstract: On-chip integrated variable inductors, methods of making and tuning an on-chip integrated variable inductor, and design structures embodying a circuit containing the on-chip integrated variable inductor. The inductor generally includes a signal line configured to carry an electrical signal, a ground line positioned in proximity to the signal line, and at least one control unit electrically coupled with the ground line. The at least one control unit is configured to open and close switch a current path connecting the ground line with a ground potential so as to change an inductance of the signal line.

    METHOD, STRUCTURE, AND DESIGN STRUCTURE FOR A THROUGH-SILICON-VIA WILKINSON POWER DIVIDER
    2.
    发明申请
    METHOD, STRUCTURE, AND DESIGN STRUCTURE FOR A THROUGH-SILICON-VIA WILKINSON POWER DIVIDER 审中-公开
    通硅威威尔金森功分器的方法,结构和设计结构

    公开(公告)号:WO2011028385A3

    公开(公告)日:2011-06-23

    申请号:PCT/US2010045249

    申请日:2010-08-12

    Abstract: A method, structure, and design structure for a through-silicon- via Wilkinson power divider (100). A method includes: forming an input (105) on a first side of a substrate(200); forming a first leg (110a) comprising a first through-silicon- via (120a) formed in the substrate, wherein the first leg electrically connects the input and a first output (115a); forming a second leg (110b) comprising a second through-silicon- via (120b) formed in the substrate, wherein the second leg electrically connects the input and a second output (115b), and forming a resistor (125) electrically connected between the first output and the second output.

    Abstract translation: 通过威尔金森功率分配器(100)的硅通孔的方法,结构和设计结构。 一种方法包括:在衬底(200)的第一侧上形成输入(105); 形成包括形成在所述衬底中的第一硅通孔(120a)的第一腿(110a),其中所述第一腿电连接所述输入和第一输出(115a); 形成包括形成在所述衬底中的第二硅通孔(120b)的第二腿(110b),其中所述第二腿电连接所述输入和第二输出(115b),并且形成电连接在所述第一硅通孔 第一个输出和第二个输出。

    Verfahren, Struktur und Entwurfsstruktur für einen Wilkinson-Leistungsteiler mit Durchkontaktierung durch Silicium

    公开(公告)号:DE112010003420T5

    公开(公告)日:2012-09-20

    申请号:DE112010003420

    申请日:2010-08-12

    Applicant: IBM

    Abstract: Verfahren, Struktur und Entwurfsstruktur für einen Wilkinson-Leistungsteiler (100) mit Durchkontaktierung durch Silicium. Das Verfahren umfasst das Folgende: Bilden eines Eingangs (105) auf einer ersten Seite eines Substrats (200); Bilden eines ersten Ausläufers (110a), der eine erste in dem Substrat ausgebildete Durchkontaktierung durch Silicium (120a) umfasst, wobei der erste Ausläufer den Eingang und einen ersten Ausgang (115a) elektrisch verbindet; Bilden eines zweiten Ausläufers (110b), welcher eine zweite in dem Substrat ausgebildete Durchkontaktierung durch Silicium (120b) umfasst, wobei der zweite Ausläufer den Eingang und einen zweiten Ausgang (115b) elektrisch verbindet; und Bilden eines Widerstands (125), der elektrisch zwischen den ersten Ausgang und den zweiten Ausgang geschaltet ist.

    METHOD, STRUCTURE, AND DESIGN STRUCTURE FOR A THROUGH-SILICON-VIA WILKINSON POWER DIVIDER

    公开(公告)号:GB2485718A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:GB201203499

    申请日:2010-08-12

    Applicant: IBM

    Abstract: A method, structure, and design structure for a through-silicon- via Wilkinson power divider (100). A method includes: forming an input (105) on a first side of a substrate(200); forming a first leg (110a) comprising a first through-silicon- via (120a) formed in the substrate, wherein the first leg electrically connects the input and a first output (115a); forming a second leg (110b) comprising a second through-silicon- via (120b) formed in the substrate, wherein the second leg electrically connects the input and a second output (115b), and forming a resistor (125) electrically connected between the first output and the second output.

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