Abstract:
On-chip integrated variable inductors, methods of making and tuning an on-chip integrated variable inductor, and design structures embodying a circuit containing the on-chip integrated variable inductor. The inductor generally includes a signal line configured to carry an electrical signal, a ground line positioned in proximity to the signal line, and at least one control unit electrically coupled with the ground line. The at least one control unit is configured to open and close switch a current path connecting the ground line with a ground potential so as to change an inductance of the signal line.
Abstract:
A method, structure, and design structure for a through-silicon- via Wilkinson power divider (100). A method includes: forming an input (105) on a first side of a substrate(200); forming a first leg (110a) comprising a first through-silicon- via (120a) formed in the substrate, wherein the first leg electrically connects the input and a first output (115a); forming a second leg (110b) comprising a second through-silicon- via (120b) formed in the substrate, wherein the second leg electrically connects the input and a second output (115b), and forming a resistor (125) electrically connected between the first output and the second output.
Abstract:
Verfahren, Struktur und Entwurfsstruktur für einen Wilkinson-Leistungsteiler (100) mit Durchkontaktierung durch Silicium. Das Verfahren umfasst das Folgende: Bilden eines Eingangs (105) auf einer ersten Seite eines Substrats (200); Bilden eines ersten Ausläufers (110a), der eine erste in dem Substrat ausgebildete Durchkontaktierung durch Silicium (120a) umfasst, wobei der erste Ausläufer den Eingang und einen ersten Ausgang (115a) elektrisch verbindet; Bilden eines zweiten Ausläufers (110b), welcher eine zweite in dem Substrat ausgebildete Durchkontaktierung durch Silicium (120b) umfasst, wobei der zweite Ausläufer den Eingang und einen zweiten Ausgang (115b) elektrisch verbindet; und Bilden eines Widerstands (125), der elektrisch zwischen den ersten Ausgang und den zweiten Ausgang geschaltet ist.
Abstract:
A method, structure, and design structure for a through-silicon- via Wilkinson power divider (100). A method includes: forming an input (105) on a first side of a substrate(200); forming a first leg (110a) comprising a first through-silicon- via (120a) formed in the substrate, wherein the first leg electrically connects the input and a first output (115a); forming a second leg (110b) comprising a second through-silicon- via (120b) formed in the substrate, wherein the second leg electrically connects the input and a second output (115b), and forming a resistor (125) electrically connected between the first output and the second output.