公开(公告)号：GB2508305B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：GB201321010

申请日：2012-06-01

Applicant: IBM

Inventor： GUILLORN MICHAEL A ,  JOSEPH ERIC A ,  LIU FEI ,  ZHANG ZENG

IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00

公开(公告)号：GB2508305A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：GB201321010

申请日：2012-06-01

Applicant: IBM

Inventor： GUILLORN MICHAEL A ,  JOSEPH ERIC A ,  LIU FEI ,  ZHANG ZENG

IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00

Abstract: A method is disclosed to fabricate an electro-mechanical device such as a MEMS or NEMS switch. The method includes providing a silicon layer disposed over an insulating layer that is disposed on a silicon substrate; releasing a portion of the silicon layer from the insulating layer so that it is at least partially suspended over a cavity in the insulating layer; depositing a metal (e.g., Pt) on at least one surface of at least the released portion of the silicon layer and, using a thermal process, fully siliciding at least the released portion of the silicon layer using the deposited metal. The method eliminates silicide-induced stress to the released Si member, as the entire Si member is silicided. Furthermore no conventional wet chemical etch is used after forming the fully silicided material thereby reducing a possibility of causing corrosion of the silicide and an increase in stiction.

公开(公告)号：DE112012001813T5

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE112012001813

申请日：2012-06-01

Applicant: IBM

Inventor： GUILLORN MICHAEL A ,  JOSEPH ERIC A ,  LIU FEI ,  ZHANG ZENG

IPC: H01L21/31

Abstract: Es wird ein Verfahren offenbart, um eine elektro-mechanische Einheit herzustellen, wie beispielsweise einen MEMS- oder einen NEMS-Schalter. Das Verfahren beinhaltet ein Bereitstellen einer Silicium-Schicht, die über einer isolierenden Schicht aufgebracht wird, die auf einem Silicium-Substrat aufgebracht ist; ein Ablösen eines Anteils der Silicium-Schicht von der isolierenden Schicht derart, dass er wenigstens teilweise schwebend über einem Hohlraum in der isolierenden Schicht gehalten ist; ein Abscheiden eines Metalls (z. B. Pt) auf wenigstens einer Oberfläche von wenigstens dem abgelösten Anteil der Silicium-Schicht und ein Verwenden eines thermischen Prozesses, der wenigstens den abgelösten Anteil der Silicium-Schicht unter Verwendung des abgeschiedenen Metalls vollständig silicidiert. Das Verfahren beseitigt eine durch ein Silicid induzierte Spannung an dem abgelösten Si-Element, da das gesamte Si-Element silicidiert ist. Des Weiteren wird nach dem Bilden des vollständig silicidierten Materials kein herkömmlicher nasschemischer Ätzvorgang verwendet, wodurch eine Möglichkeit für ein Verursachen einer Korrosion des Silicids und eine Zunahme der Haftreibung verringert wird.