公开(公告)号：GB2508305B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：GB201321010

申请日：2012-06-01

Applicant: IBM

Inventor： GUILLORN MICHAEL A ,  JOSEPH ERIC A ,  LIU FEI ,  ZHANG ZENG

IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00

公开(公告)号：DE112011102316B4

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：DE112011102316

申请日：2011-06-02

Applicant: IBM

Inventor： PARKIN STUART S P ,  JOSEPH ERIC A ,  ROTHWELL MARY B

IPC: G11C19/14 ,  G11C11/14 ,  G11C19/08

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Speichereinheit (100), wobei das Verfahren beinhaltet: Bilden eines Hohlraums (201) in einem Substrat (200), der eine innere Oberfläche (202) mit einem wellenförmigen Profil aufweist; Abscheiden eines ferromagnetischen Materials in dem Hohlraum (201); Bilden eines Leseelements (20) auf dem Substrat (200) nahe einem Teil des ferromagnetischen Materials; und Bilden eines Schreibelements (15) auf dem Substrat (200) nahe einem zweiten Teil des ferromagnetischen Materials.

公开(公告)号：GB2495453B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：GB201301225

申请日：2011-06-02

Applicant: IBM

Inventor： JOSEPH ERIC A ,  PARKIN STUART S P ,  ROTHWELL MARY B

IPC: G11C19/08 ,  G11C19/00

公开(公告)号：DE112011102316T5

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE112011102316

申请日：2011-06-02

Applicant: IBM

Inventor： PARKIN STUART S P ,  JOSEPH ERIC A ,  ROTHWELL MARY B

IPC: G11C19/00

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Speichereinheit beinhaltet das Bilden eines Hohlraums in einem Substrat, der eine innere Oberfläche mit einem wellenförmigen Profil aufweist, das Abscheiden eines ferromagnetischen Materials in dem Hohlraum, das Bilden eines Leseelements auf dem Substrat nahe einem Teil des ferromagnetischen Materials und das Bilden eines Schreibelements auf dem Substrat nahe einem zweiten Teil des ferromagnetischen Materials.

公开(公告)号：GB2508305A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：GB201321010

申请日：2012-06-01

Applicant: IBM

Inventor： GUILLORN MICHAEL A ,  JOSEPH ERIC A ,  LIU FEI ,  ZHANG ZENG

IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00

Abstract: A method is disclosed to fabricate an electro-mechanical device such as a MEMS or NEMS switch. The method includes providing a silicon layer disposed over an insulating layer that is disposed on a silicon substrate; releasing a portion of the silicon layer from the insulating layer so that it is at least partially suspended over a cavity in the insulating layer; depositing a metal (e.g., Pt) on at least one surface of at least the released portion of the silicon layer and, using a thermal process, fully siliciding at least the released portion of the silicon layer using the deposited metal. The method eliminates silicide-induced stress to the released Si member, as the entire Si member is silicided. Furthermore no conventional wet chemical etch is used after forming the fully silicided material thereby reducing a possibility of causing corrosion of the silicide and an increase in stiction.

公开(公告)号：DE112012001813T5

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE112012001813

申请日：2012-06-01

Applicant: IBM

Inventor： GUILLORN MICHAEL A ,  JOSEPH ERIC A ,  LIU FEI ,  ZHANG ZENG

IPC: H01L21/31

Abstract: Es wird ein Verfahren offenbart, um eine elektro-mechanische Einheit herzustellen, wie beispielsweise einen MEMS- oder einen NEMS-Schalter. Das Verfahren beinhaltet ein Bereitstellen einer Silicium-Schicht, die über einer isolierenden Schicht aufgebracht wird, die auf einem Silicium-Substrat aufgebracht ist; ein Ablösen eines Anteils der Silicium-Schicht von der isolierenden Schicht derart, dass er wenigstens teilweise schwebend über einem Hohlraum in der isolierenden Schicht gehalten ist; ein Abscheiden eines Metalls (z. B. Pt) auf wenigstens einer Oberfläche von wenigstens dem abgelösten Anteil der Silicium-Schicht und ein Verwenden eines thermischen Prozesses, der wenigstens den abgelösten Anteil der Silicium-Schicht unter Verwendung des abgeschiedenen Metalls vollständig silicidiert. Das Verfahren beseitigt eine durch ein Silicid induzierte Spannung an dem abgelösten Si-Element, da das gesamte Si-Element silicidiert ist. Des Weiteren wird nach dem Bilden des vollständig silicidierten Materials kein herkömmlicher nasschemischer Ätzvorgang verwendet, wodurch eine Möglichkeit für ein Verursachen einer Korrosion des Silicids und eine Zunahme der Haftreibung verringert wird.

公开(公告)号：GB2495453A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：GB201301225

申请日：2011-06-02

Applicant: IBM

Inventor： JOSEPH ERIC A ,  PARKIN STUART S P ,  ROTHWELL MARY B

IPC: G11C19/08 ,  G11C19/00

Abstract: A method for forming a memory device includes forming a cavity having an inner surface with an undulating profile in a substrate, depositing a ferromagnetic material in the cavity, forming a reading element on the substrate proximate to a portion of the ferromagnetic material, and forming a writing element on the substrate proximate to a second portion of the ferromagnetic material.