公开(公告)号：DE112011103350T5

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：DE112011103350

申请日：2011-10-03

Applicant: IBM ,  JSR CORP

Inventor： CHARNS LESLIE ,  CUMMINGS JASON E ,  GUILLORN MICHAEL E ,  CHANG JOSEPHINE B ,  HUPKA LUKASZ J ,  KOLI DINESH ,  KONNO TOMOHISA ,  KRISHNAN MAHADEVAIYER ,  LOFARO MICHAEL F ,  NALASKOWSKI JAKUB W ,  NODA MASAHIRO ,  PENIGALAPATI DINESH K ,  YAMANAKA TATSUYA

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Planarisieren weist das Planarisieren eines Halbleiter-Wafers in einem ersten chemisch-mechanischen Polierschritt auf, um Materialüberschuss zu entfernen und eine oberste Schicht so zu planarisieren, dass eine Dicke des Materials der obersten Schicht über darunterliegenden Schichten zurückbleibt. Das Material der obersten Schicht wird in einem zweiten chemisch-mechanischen Polierschritt planarisiert, um die oberste Schicht weiter zu entfernen und darunterliegende Schichten eines zweiten Materials und eines dritten Materials derart freizulegen, dass eine Selektivität des Materials der obersten Schicht zum zweiten Material und zum dritten Material zwischen ungefähr 1:1:1 und ungefähr 2:1:1 liegt, um eine ebene Topografie bereitzustellen.

公开(公告)号：DE112011103350T9

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：DE112011103350

申请日：2011-10-03

Applicant: IBM ,  JSR CORP

Inventor： CHARNS LESLIE ,  CUMMINGS JASON E ,  GUILLORN MICHAEL E ,  CHANG JOSEPHINE B ,  HUPKA LUKASZ J ,  KOLI DINESH ,  KONNO TOMOHISA ,  KRISHNAN MAHADEVAIYER ,  LOFARO MICHAEL F ,  NALASKOWSKI JAKUB W ,  NODA MASAHIRO ,  PENIGALAPATI DINESH K ,  YAMANAKA TATSUYA

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Planarisieren weist das Planarisieren eines Halbleiter-Wafers in einem ersten chemisch-mechanischen Polierschritt auf, um Materialüberschuss zu entfernen und eine oberste Schicht so zu planarisieren, dass eine Dicke des Materials der obersten Schicht über darunterliegenden Schichten zurückbleibt. Das Material der obersten Schicht wird in einem zweiten chemisch-mechanischen Polierschritt planarisiert, um die oberste Schicht weiter zu entfernen und darunterliegende Schichten eines zweiten Materials und eines dritten Materials derart freizulegen, dass eine Selektivität des Materials der obersten Schicht zum zweiten Material und zum dritten Material zwischen ungefähr 1:1:1 und ungefähr 2:1:1 liegt, um eine ebene Topografie bereitzustellen.

公开(公告)号：DE112011103350B4

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：DE112011103350

申请日：2011-10-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC ,  JSR CORP

Inventor： CHANG JOSEPHINE B ,  CHARNS LESLIE ,  CUMMINGS JASON E ,  GUILLORN MICHAEL E ,  HUPKA LUKASZ J ,  KOLI DINESH ,  KONNO TOMOHISA ,  KRISHNAN MAHADEVAIYER ,  LOFARO MICHAEL F ,  NALASKOWSKI JAKUB W ,  NODA MASAHIRO ,  PENIGALAPATI DINESH K ,  YAMANAKA TATSUYA

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren zum Planarisieren für ein Herstellen von Fin-Feldeffektransistoren (FinFET), aufweisend: Planarisieren einer FinFET-Struktur in einem ersten chemisch-mechanischen Polierschritt, um Materialüberschuss zu entfernen und eine oberste Schicht so zu planarisieren, dass eine Dicke von 30,0 bis 60,0 nm des Materials der obersten Schicht über darunterliegenden Schichten zurückbleibt; und Planarisieren des Materials der obersten Schicht in einem zweiten chemisch-mechanischen Polierschritt, um die oberste Schicht weiter zu entfernen und die darunterliegenden Schichten eines zweiten Materials und eines dritten Materials derart freizulegen, dass eine Selektivität des Materials der obersten Schicht zu dem zweiten Material und zu dem dritten Material 1:11 beträgt, um eine ebene Topografie bereitzustellen, wobei das Material der obersten Schicht ein Oxid aufweist, das zweite Material Nitrid aufweist und des dritte Material Polysilicium aufweist, wobei das Planarisieren des Materials der obersten Schicht in dem zweiten chemisch-mechanischen Polierschritt ein Zuführen des Poliermittels in Form von zwei separaten Komponenten auf einen Poliertisch aufweist, die sich auf dem Poliertisch vermischen, um des Poliermittel mit einer erforderlichen endgültigen Zusammensetzung zu erzeugen.