公开(公告)号：GB2497253A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：GB201305907

申请日：2011-10-03

Applicant: IBM ,  JSR CORP

Inventor： ANDO TAKASHI ,  CHARNS LESLIE ,  CUMMINGS JASON E ,  HUPKA JUKASZ J ,  KOLI DINESH ,  KONNO TOMOHISA ,  KRISHNAN MAHADEVAIYER ,  LOFARO MICHAEL F ,  NALASKOWSKI JAKUB W ,  NODA MASAHIRO ,  PENIGALAPATI DINESH K ,  YAMANAKA TATSUYA

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L29/66

Abstract: Methods for polishing multiple dielectric layers to form replacement metal gate structures include a first chemical mechanical polish step to remove overburden and planarize a top layer to leave a planarized thickness over a gate structure. A second chemical mechanical polish step includes removal of the thickness to expose an underlying covered surface of a dielectric of the gate structure with a slurry configured to polish the top layer and the underlying covered surface substantially equally to accomplish a planar topography. A third chemical mechanical polish step is employed to remove the dielectric of the gate structure and expose a gate conductor.

公开(公告)号：DE112011103350T5

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：DE112011103350

申请日：2011-10-03

Applicant: IBM ,  JSR CORP

Inventor： CHARNS LESLIE ,  CUMMINGS JASON E ,  GUILLORN MICHAEL E ,  CHANG JOSEPHINE B ,  HUPKA LUKASZ J ,  KOLI DINESH ,  KONNO TOMOHISA ,  KRISHNAN MAHADEVAIYER ,  LOFARO MICHAEL F ,  NALASKOWSKI JAKUB W ,  NODA MASAHIRO ,  PENIGALAPATI DINESH K ,  YAMANAKA TATSUYA

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Planarisieren weist das Planarisieren eines Halbleiter-Wafers in einem ersten chemisch-mechanischen Polierschritt auf, um Materialüberschuss zu entfernen und eine oberste Schicht so zu planarisieren, dass eine Dicke des Materials der obersten Schicht über darunterliegenden Schichten zurückbleibt. Das Material der obersten Schicht wird in einem zweiten chemisch-mechanischen Polierschritt planarisiert, um die oberste Schicht weiter zu entfernen und darunterliegende Schichten eines zweiten Materials und eines dritten Materials derart freizulegen, dass eine Selektivität des Materials der obersten Schicht zum zweiten Material und zum dritten Material zwischen ungefähr 1:1:1 und ungefähr 2:1:1 liegt, um eine ebene Topografie bereitzustellen.

公开(公告)号：DE112011103350T9

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：DE112011103350

申请日：2011-10-03

Applicant: IBM ,  JSR CORP

Inventor： CHARNS LESLIE ,  CUMMINGS JASON E ,  GUILLORN MICHAEL E ,  CHANG JOSEPHINE B ,  HUPKA LUKASZ J ,  KOLI DINESH ,  KONNO TOMOHISA ,  KRISHNAN MAHADEVAIYER ,  LOFARO MICHAEL F ,  NALASKOWSKI JAKUB W ,  NODA MASAHIRO ,  PENIGALAPATI DINESH K ,  YAMANAKA TATSUYA

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Planarisieren weist das Planarisieren eines Halbleiter-Wafers in einem ersten chemisch-mechanischen Polierschritt auf, um Materialüberschuss zu entfernen und eine oberste Schicht so zu planarisieren, dass eine Dicke des Materials der obersten Schicht über darunterliegenden Schichten zurückbleibt. Das Material der obersten Schicht wird in einem zweiten chemisch-mechanischen Polierschritt planarisiert, um die oberste Schicht weiter zu entfernen und darunterliegende Schichten eines zweiten Materials und eines dritten Materials derart freizulegen, dass eine Selektivität des Materials der obersten Schicht zum zweiten Material und zum dritten Material zwischen ungefähr 1:1:1 und ungefähr 2:1:1 liegt, um eine ebene Topografie bereitzustellen.

公开(公告)号：GB2497253B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：GB201305907

申请日：2011-10-03

Applicant: IBM ,  JSR CORP

Inventor： ANDO TAKASHI ,  CHARNS LESLIE ,  CUMMINGS JASON E ,  HUPKA JUKASZ J ,  KOLI DINESH ,  KONNO TOMOHISA ,  KRISHNAN MAHADEVAIYER ,  LOFARO MICHAEL F ,  NALASKOWSKI JAKUB W ,  NODA MASAHIRO ,  PENIGALAPATI DINESH K ,  YAMANAKA TATSUYA

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L29/66

公开(公告)号：GB2497490B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：GB201305905

申请日：2011-10-03

Applicant: IBM ,  JSR CORP

Inventor： CHANG JOSEPHINE ,  CHARNS LESLIE ,  CUMMINGS JASON E ,  GUILLORN MICHAEL ,  HUPKA LUKASZ J ,  KOLI DINESH ,  KONNO TOMOHISA ,  KRISHNAN MAHADEVAIYER ,  LOFARO MICHAEL F ,  NALASKOWSKI JAKUB W ,  NODA MASAHIRO ,  PENIGALAPATI DINESH K ,  YAMANAKA TATSUYA

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

公开(公告)号：GB2497490A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：GB201305905

申请日：2011-10-03

Applicant: IBM ,  JSR CORP

Inventor： CHANG JOSEPHINE ,  CHARNS LESLIE ,  CUMMINGS JASON E ,  GUILLORN MICHAEL ,  HUPKA LUKASZ J ,  KOLI DINESH ,  KONNO TOMOHISA ,  KRISHNAN MAHADEVAIYER ,  LOFARO MICHAEL F ,  NALASKOWSKI JAKUB W ,  NODA MASAHIRO ,  PENIGALAPATI DINESH K ,  YAMANAKA TATSUYA

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: A planarization method includes planarizing a semiconductor wafer in a first chemical mechanical polish step to remove overburden and planarize a top layer leaving a thickness of top layer material over underlying layers. The top layer material is planarized in a second chemical mechanical polish step to further remove the top layer and expose underlying layers of a second material and a third material such that a selectivity of the top layer material to the second material to the third material is between about 1:1:1 to about 2:1:1 to provide a planar topography.

公开(公告)号：DE112011103350B4

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：DE112011103350

申请日：2011-10-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC ,  JSR CORP

Inventor： CHANG JOSEPHINE B ,  CHARNS LESLIE ,  CUMMINGS JASON E ,  GUILLORN MICHAEL E ,  HUPKA LUKASZ J ,  KOLI DINESH ,  KONNO TOMOHISA ,  KRISHNAN MAHADEVAIYER ,  LOFARO MICHAEL F ,  NALASKOWSKI JAKUB W ,  NODA MASAHIRO ,  PENIGALAPATI DINESH K ,  YAMANAKA TATSUYA

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren zum Planarisieren für ein Herstellen von Fin-Feldeffektransistoren (FinFET), aufweisend: Planarisieren einer FinFET-Struktur in einem ersten chemisch-mechanischen Polierschritt, um Materialüberschuss zu entfernen und eine oberste Schicht so zu planarisieren, dass eine Dicke von 30,0 bis 60,0 nm des Materials der obersten Schicht über darunterliegenden Schichten zurückbleibt; und Planarisieren des Materials der obersten Schicht in einem zweiten chemisch-mechanischen Polierschritt, um die oberste Schicht weiter zu entfernen und die darunterliegenden Schichten eines zweiten Materials und eines dritten Materials derart freizulegen, dass eine Selektivität des Materials der obersten Schicht zu dem zweiten Material und zu dem dritten Material 1:11 beträgt, um eine ebene Topografie bereitzustellen, wobei das Material der obersten Schicht ein Oxid aufweist, das zweite Material Nitrid aufweist und des dritte Material Polysilicium aufweist, wobei das Planarisieren des Materials der obersten Schicht in dem zweiten chemisch-mechanischen Polierschritt ein Zuführen des Poliermittels in Form von zwei separaten Komponenten auf einen Poliertisch aufweist, die sich auf dem Poliertisch vermischen, um des Poliermittel mit einer erforderlichen endgültigen Zusammensetzung zu erzeugen.

公开(公告)号：WO2012047770A3

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/US2011054521

申请日：2011-10-03

Applicant: IBM ,  CHANG JOSEPHINE B ,  CHARNS LESLIE ,  CUMMINGS JASON E ,  GUILLORN MICHAEL A ,  HUPKA LUKASZ J ,  KOLI DINESH ,  KONNO TOMOHISA ,  KRISHNAN MAHADEVAIYER ,  LOFARO MICHAEL F ,  NALASKOWSKI JAKUB W ,  NODA MASAHIRO ,  PENIGALAPATI DINESH K ,  YAMANAKA TATSUYA

Inventor： CHANG JOSEPHINE B ,  CHARNS LESLIE ,  CUMMINGS JASON E ,  GUILLORN MICHAEL A ,  HUPKA LUKASZ J ,  KOLI DINESH ,  KONNO TOMOHISA ,  KRISHNAN MAHADEVAIYER ,  LOFARO MICHAEL F ,  NALASKOWSKI JAKUB W ,  NODA MASAHIRO ,  PENIGALAPATI DINESH K ,  YAMANAKA TATSUYA

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545

Abstract: A planarization method includes planarizing a semiconductor wafer in a first chemical mechanical polish step to remove overburden and planarize a top layer leaving a thickness of top layer material over underlying layers. The top layer material is planarized in a second chemical mechanical polish step to further remove the top layer and expose underlying layers of a second material and a third material such that a selectivity of the top layer material to the second material to the third material is between about 1:1:1 to about 2:1:1 to provide a planar topography.

Abstract translation: 平面化方法包括在第一化学机械抛光步骤中平坦化半导体晶片以去除覆盖层并平坦化顶层，从而在顶层之上留下厚度的顶层材料。 顶层材料在第二化学机械抛光步骤中被平坦化，以进一步去除顶层并暴露第二材料和第三材料的下层，使得顶层材料对第二材料对第三材料的选择性在 约1：1至约2：1：1，以提供平面形貌。