公开(公告)号：DE102010003129B4

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：DE102010003129

申请日：2010-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ADLER JOERG ,  GOELLNER REINHARD ,  HOECKELE UWE ,  JALICS CHRISTOF ,  NICKUT PATRICIA ,  OBERNHUBER SANDRA ,  PREIS WALTER ,  SCHEST TANJA

IPC: H01L41/297 ,  H01L21/302 ,  H03H3/04

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer unteren Elektrode eines piezoelektrischen Bauelements auf einem Substrat (100), das folgende Schritte umfasst:Bilden einer Schichtstruktur (133) auf dem Substrat (100), wobei die Schichtstruktur (133) ein leitfähiges Material umfasst;Bilden einer Hilfsschicht (140) auf der Schichtstruktur (133);Bilden einer Planarisierungsschicht (150) auf der Hilfsschicht (140) und auf dem Substrat (100);Freilegen eines Teils der Hilfsschicht (140);Anwenden eines chemisch-mechanischen Polierens auf die Hilfsschicht (140) und die Planarisierungsschicht (150), so dass die Planarisierungsschicht (150) eine geringere Dicke umfasst als eine Gesamtdicke von Hilfsschicht (140) und Schichtstruktur (133), wobei die Dicke der Planarisierungsschicht (150) gleich der Dicke der Schichtstruktur (133) ist; undselektives Entfernen der Hilfsschicht (140), um eine planare Oberfläche der Schichtstruktur (133) und der Planarisierungsschicht (150) zu bilden.

公开(公告)号：DE102010003129A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：DE102010003129

申请日：2010-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ADLER JOERG ,  GOELLNER REINHARD ,  HOECKELE UWE ,  JALICS CHRISTOF ,  NICKUT PATRICIA ,  OBERNHUBER SANDRA ,  PREIS WALTER ,  SCHEST TANJA

IPC: H01L41/22 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L41/047

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements auf einem Substrat umfasst die Schritte des Bildens einer Schichtstruktur auf dem Substrat, des Bildens einer Hilfsschicht auf der Schichtstruktur, des Bildens einer Planarisierungsschicht auf der Hilfsschicht und auf dem Substrat, des Freilegens der Hilfsschicht durch einen chemisch-mechanischen Polierprozess und des Entfernens der Hilfsschicht zumindest teilweise, um eine planare Oberfläche der verbleibenden Hilfsschicht oder der Schichtstruktur und der Planarisierungsschicht zu bilden. Der chemisch-mechanische Polierprozess umfasst eine erste Entfernungsrate bezüglich der Planarisierungsschicht und eine zweite Entfernungsrate bezüglich der Hilfsschicht und die erste Entfernungsrate ist größer als die zweite Entfernungsrate.