公开(公告)号：WO0169652A2

公开(公告)日：2001-09-20

申请号：PCT/DE0100582

申请日：2001-02-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  OBERMEIER HERBERT ,  GOELLNER REINHARD

Inventor： OBERMEIER HERBERT ,  GOELLNER REINHARD

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/60 ,  H01L

CPC classification number: H01L21/32134 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/19042

Abstract: A TiN coating on a bondpad is removed by means of an aqueous solution of H2O2 and a chemical base. An oxide coating on the surface of the bondpad is then removed by means of a weak or diluted chemical base.

Abstract translation: 通过H 2 O 2和化学碱的水溶液除去键合垫上的一层TiN; 然后通过弱或稀释的化学基质除去键合焊盘表面上形成的氧化层。

公开(公告)号：DE102011052952B4

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102011052952

申请日：2011-08-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  GOELLNER REINHARD

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/115

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren aufweist: • Bilden einer ersten leitfähigen Schicht (120) über einem Substrat (100), wobei die erste leitfähige Schicht (120) eine obere Oberfläche (122) und Seitenwände (121) aufweist, wobei entlang der Seitenwände (121) der ersten leitfähigen Schicht (120) ein Überhang (127) aus einem nichtleitfähigen Material (125) bereitgestellt wird; • Bilden einer isolierenden Schicht (130) auf der ersten leitfähigen Schicht (120); • Bilden einer Opferschicht (140) über der isolierenden Schicht (130) und dem Überhang (127) der ersten leitfähigen Schicht (120); • teilweises Entfernen der Opferschicht (140), wobei ein Rest der Opferschicht (140) unter dem Überhang (127) verbleibt; und • Bilden einer zweiten leitfähigen Schicht (150) auf der isolierenden Schicht (130).

公开(公告)号：DE10257681A1

公开(公告)日：2004-07-08

申请号：DE10257681

申请日：2002-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OBERMEIER HERBERT ,  GOELLNER REINHARD

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: The document explains, inter alia, a method in which a titanium nitride layer is removed by wet chemical means ( 106 ). Following removal of the titanium nitride, further metallization strata are produced ( 114 ). The result is an integrated circuit arrangement having connections which have a low electrical resistance. The circuit arrangement is particularly suitable for the purpose of switching high powers.

公开(公告)号：AT357743T

公开(公告)日：2007-04-15

申请号：AT00907422

申请日：2000-01-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OPOLKA HEINZ ,  VON BASSE PAUL-WERNER ,  SCHEITER THOMAS ,  GROSSMANN RAINER ,  PETERS CHRISTIAN ,  FISCHBACH REINHARD ,  GAYMANN ANDREAS ,  ROSTECK THOMAS ,  SIPRAK DOMAGOJ ,  SASSE THORSTEN ,  GOELLNER REINHARD ,  BIERNER JUSTIN ,  MELZL MICHAEL ,  HAMMER KLAUS ,  WITTE MARKUS

IPC: H01L27/04 ,  G06K9/00 ,  H01L21/822 ,  H01L23/485 ,  H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06

Abstract: An electronic component is described and has a dielectric layer which is constructed on a substrate, conductive surfaces that are constructed on the dielectric layer, and an electrically conductive guard structure. The guard structure is disposed in a plane above the conductive surfaces such that the conductive surfaces are not completely covered by the guard structure.

公开(公告)号：DE102010003129B4

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：DE102010003129

申请日：2010-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ADLER JOERG ,  GOELLNER REINHARD ,  HOECKELE UWE ,  JALICS CHRISTOF ,  NICKUT PATRICIA ,  OBERNHUBER SANDRA ,  PREIS WALTER ,  SCHEST TANJA

IPC: H01L41/297 ,  H01L21/302 ,  H03H3/04

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer unteren Elektrode eines piezoelektrischen Bauelements auf einem Substrat (100), das folgende Schritte umfasst:Bilden einer Schichtstruktur (133) auf dem Substrat (100), wobei die Schichtstruktur (133) ein leitfähiges Material umfasst;Bilden einer Hilfsschicht (140) auf der Schichtstruktur (133);Bilden einer Planarisierungsschicht (150) auf der Hilfsschicht (140) und auf dem Substrat (100);Freilegen eines Teils der Hilfsschicht (140);Anwenden eines chemisch-mechanischen Polierens auf die Hilfsschicht (140) und die Planarisierungsschicht (150), so dass die Planarisierungsschicht (150) eine geringere Dicke umfasst als eine Gesamtdicke von Hilfsschicht (140) und Schichtstruktur (133), wobei die Dicke der Planarisierungsschicht (150) gleich der Dicke der Schichtstruktur (133) ist; undselektives Entfernen der Hilfsschicht (140), um eine planare Oberfläche der Schichtstruktur (133) und der Planarisierungsschicht (150) zu bilden.

公开(公告)号：DE102006035875B4

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102006035875

申请日：2006-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SEIDEMANN GEORG ,  GOELLNER REINHARD

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/321 ,  H01L21/8246

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Fuse-Elements oder Fuse-Speicherelements oder eines Widerstandselements, wobei – eine erste Metallisierungsschicht (21) zumindest abschnittsweise auf einen Träger (20) aufgebracht wird, – eine Ätzstoppschicht (22) auf die erste Metallisierungsschicht (21) aufgebracht wird, – eine zweite Metallisierungsschicht (23) auf die Ätzstoppschicht (22) aufgebracht wird, wobei die erste Metallisierungsschicht (21) dünner als die zweite Metallisierungsschicht (23) ist und die erste Metallisierungsschicht und die zweite Metallisierungsschicht aus einem gleichen Material gebildet werden, – eine Hartmaske (26) auf die zweite Metallisierungsschicht (23) aufgebracht wird, und – die zweite Metallisierungsschicht (23) im Bereich mindestens einer Öffnung der Hartmaske (26) mittels eines nasschemischen Ätzverfahrens entfernt wird, wobei die Ätzstoppschicht (22) von dem nasschemischen Ätzen nicht angegriffen wird, und wobei die erste Metallisierungsschicht (21) Teil des Fuse-Elements oder Fuse-Speicherelements oder Widerstandselements ist.

公开(公告)号：DE102008052470A1

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：DE102008052470

申请日：2008-10-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMER MARKUS ,  RUHL GUENTHER ,  STRASER ANDREAS ,  MELZL MICHAEL ,  GOELLNER REINHARD ,  GROTELOH DOERTHE

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50

Abstract: An integrated circuit includes a substrate. A surface region of the substrate includes a contact pad region. A passivation layer stack includes at least one passivation layer. The passivation layer stack is formed over the surface region and adjacent to the contact pad region. An upper portion of the passivation layer stack is removed in, in a portion of the passivation layer stack proximate the contact pad region.

公开(公告)号：DE10014915B4

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：DE10014915

申请日：2000-03-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OBERMEIER HERBERT ,  GOELLNER REINHARD

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

公开(公告)号：DE50014183D1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：DE50014183

申请日：2000-01-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OPOLKA HEINZ ,  VON BASSE PAUL-WERNER ,  SCHEITER THOMAS ,  GROSSMANN RAINER ,  PETERS CHRISTIAN ,  FISCHBACH REINHARD ,  GAYMANN ANDREAS ,  ROSTECK THOMAS ,  SIPRAK DOMAGOJ ,  SASSE THORSTEN ,  GOELLNER REINHARD ,  BIERNER JUSTIN ,  MELZL MICHAEL ,  HAMMER KLAUS ,  WITTE MARKUS

IPC: H01L27/02 ,  G06K9/00 ,  H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L23/485 ,  H01L23/60 ,  H01L27/06

Abstract: An electronic component is described and has a dielectric layer which is constructed on a substrate, conductive surfaces that are constructed on the dielectric layer, and an electrically conductive guard structure. The guard structure is disposed in a plane above the conductive surfaces such that the conductive surfaces are not completely covered by the guard structure.

公开(公告)号：DE10014915A1

公开(公告)日：2001-10-04

申请号：DE10014915

申请日：2000-03-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OBERMEIER HERBERT ,  GOELLNER REINHARD

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: Process for removing titanium nitride from a bond pad comprises removing the titanium nitride using an aqueous solution of H2O2 and a chemical base; then removing the oxide layer present on the bond pad using a weakly basic medium. The process preferably further comprises applying an oxide layer of prescribed thickness to the bond pad in a controlled way. The chemical base is NH3. The titanium nitride is removed from the surface made from aluminum, copper or aluminum alloy or copper alloy.