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    Durch-Substrat-Via-Halbleiterkomponenten
    3.
    发明专利
    Durch-Substrat-Via-Halbleiterkomponenten 未知

    公开(公告)号：DE102009012594B4

    公开(公告)日：2020-07-09

    申请号：DE102009012594

    申请日：2009-03-11

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BIRNER ALBERT ,  HOECKELE UWE ,  KUNSTMANN THOMAS ,  SEIDEL UWE

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

    Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Durch-Substrat-Via-Halbleiterkomponente, wobei das Verfahren folgendes aufweist:teilweises Füllen einer Öffnung (250) in einem Substrat (10) mit einem Füllmaterial (50);Ausbilden einer ersten Isolierschicht (60) über dem Füllmaterial (50), um einen Spalt (g) über der Öffnung (250) auszubilden;Ausbilden einer zweiten Isolierschicht (70) zum Schließen des Spalts, wodurch innerhalb der Öffnung (250) ein eingeschlossener Hohlraum (90) ausgebildet wird; undVerdünnen des Substrats (10) durch Materialabtrag an seiner Rückseite, so dass eine untere Oberfläche des Füllmaterials (50) freigelegt wird.

    Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbausteins
    4.
    发明专利
    Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbausteins 未知

    公开(公告)号：DE102011010248B3

    公开(公告)日：2012-07-12

    申请号：DE102011010248

    申请日：2011-02-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： AHRENS CARSTEN ,  FRANK MANFRED ,  BERGER RUDOLF DR ,  HOECKELE UWE ,  KNOTT BERNHARD ,  KRUMBEIN ULRICH ,  LEHNERT WOLFGANG ,  SCHUDERER BERTHOLD ,  WAGNER JUERGEN DR ,  WILLKOFER STEFAN

    IPC: H01L21/78 ,  H01L21/283 ,  H01L23/48

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbausteins mit einer Seitenwandisolation weist folgende Merkmale auf: – Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10) mit einer ersten Seite (11) und einer der ersten Seite (11) gegenüberliegenden zweiten Seite (12), – Erzeugen von mindestens zwei mit Isolationsmaterial (13) zumindest teilweise gefüllten ersten Gräben (14) ausgehend von der ersten Seite (11) in Richtung zur zweiten Seite (12) in den Halbleiterkörper (10) hinein, wobei die mindestens zwei ersten Gräben (14) zwischen einem ersten Halbleiterkörperbereich (10a) für einen ersten Halbleiterbaustein (20) und einem zweiten Halbleiterkörperbereich (10b) für einen zweiten Halbleiterbaustein (30) erzeugt werden, – Erzeugen eines Trenngrabens (15) ausgehend von der ersten Seite (11) des Halbleiterkörpers (10) in Richtung zur zweiten Seite (12) des Halbleiterkörpers (10) zwischen zwei dieser ersten Gräben und zwischen dem ersten und zweiten Halbleiterkörperbereich (10a, 10, 17) des Trenngrabens (15) mindestens ein Teil des Isolationsmaterials zumindest einer der ersten Gräben (14) angrenzt, – Zumindest teilweises Entfernen der zweiten Seite (12) des Halbleiterkörpers (10) bis zum Trenngraben (15).

    Leiterbahnen und Anschlussflächen und Verfahren zu deren Herstellung
    5.
    发明专利
    Leiterbahnen und Anschlussflächen und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102011050953A1

    公开(公告)日：2012-02-23

    申请号：DE102011050953

    申请日：2011-06-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： FISCHER THOMAS ,  HAMPP ROLAND ,  HOECKELE UWE

    IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

    Abstract: Es werden eine Halbleitervorrichtung (100) und ein Verfahren offenbart. Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ein Substrat (110), das ein erstes Gebiet (102) und ein zweites Gebiet (103) aufweist, und eine Isolierschicht (140), die auf dem Substrat (110) angeordnet ist. Eine erste leitende Schicht (120) ist in oder auf der Isolierschicht (140) in dem ersten Gebiet (102) angeordnet und eine zweite leitende Schicht (130) ist in oder auf der Isolierschicht (140) in dem zweiten Gebiet (103) angeordnet. Die erste leitende Schicht (120) weist ein erstes leitendes Material auf und die zweite leitende Schicht (130) weist ein zweites leitendes Material auf, wobei sich das erste leitende Material von dem zweiten leitenden Material unterscheidet. Auf der ersten leitenden Schicht (120) ist eine Metallschicht (170) angeordnet.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BILDGEBERS UND EINER BILDGEBERVORRICHTUNG
    6.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BILDGEBERS UND EINER BILDGEBERVORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102014003068B4

    公开(公告)日：2019-07-25

    申请号：DE102014003068

    申请日：2014-03-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BODINI EMANUELE BRUNO ,  BRAUN FELIX ,  GRUBER HERMANN ,  HOECKELE UWE ,  MEINHOLD DIRK ,  OFFENBERG DIRK ,  PRUEGL KLEMENS ,  UHLIG INES

    IPC: H01L21/339 ,  H01L27/146

    Abstract: Herstellungsverfahren für einen Tiefen-Bildgeber, umfassend:- Abscheiden von wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht (304)- Strukturieren der wenigstens ersten leitfähigen Schicht (304), um für jedes Pixel des Bildgebers wenigstens eine erste Steuerelektrodenstruktur (306A) und eine zweite Steuerelektrodenstruktur (306B) zu erlangen und in einer Transistorregion des Bildgebers wenigstens eine Gate-Elektrodenstruktur (307A, 307B) zu erlangen;- Abscheiden einer zweiten Schicht (308) und wenigstens einer Spacerschicht (310; 402, 406) und Entfernen der zweiten Schicht (308) in der Transistorregion, während die zweite Schicht (308) wenigstens in einer Region, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt, verbleibt, wobei die Spacerschicht (310; 402, 406) wenigstens ein Material umfasst, das sich von einem Material der zweiten Schicht (308) unterscheidet; und- nach dem Entfernen der zweiten Schicht (308) in der Transistorregion, Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht (310; 402, 406) wenigstens in der Transistorregion, um eine Spacerstruktur wenigstens an den Seitenwänden der wenigstens einen Gate-Elektrodenstruktur (307A, 307B) zu bilden, wobei die zweite Schicht (308) wenigstens in der Region verbleibt, die sich nach dem Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht (310; 402, 406) zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.

    Ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements auf einem Substrat
    7.
    发明专利
    Ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements auf einem Substrat 未知

    公开(公告)号：DE102010003129B4

    公开(公告)日：2018-07-19

    申请号：DE102010003129

    申请日：2010-03-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ADLER JOERG ,  GOELLNER REINHARD ,  HOECKELE UWE ,  JALICS CHRISTOF ,  NICKUT PATRICIA ,  OBERNHUBER SANDRA ,  PREIS WALTER ,  SCHEST TANJA

    IPC: H01L41/297 ,  H01L21/302 ,  H03H3/04

    Abstract: Verfahren zum Herstellen einer unteren Elektrode eines piezoelektrischen Bauelements auf einem Substrat (100), das folgende Schritte umfasst:Bilden einer Schichtstruktur (133) auf dem Substrat (100), wobei die Schichtstruktur (133) ein leitfähiges Material umfasst;Bilden einer Hilfsschicht (140) auf der Schichtstruktur (133);Bilden einer Planarisierungsschicht (150) auf der Hilfsschicht (140) und auf dem Substrat (100);Freilegen eines Teils der Hilfsschicht (140);Anwenden eines chemisch-mechanischen Polierens auf die Hilfsschicht (140) und die Planarisierungsschicht (150), so dass die Planarisierungsschicht (150) eine geringere Dicke umfasst als eine Gesamtdicke von Hilfsschicht (140) und Schichtstruktur (133), wobei die Dicke der Planarisierungsschicht (150) gleich der Dicke der Schichtstruktur (133) ist; undselektives Entfernen der Hilfsschicht (140), um eine planare Oberfläche der Schichtstruktur (133) und der Planarisierungsschicht (150) zu bilden.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BILDGEBERS UND EINER BILDGEBERVORRICHTUNG
    8.
    发明专利
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BILDGEBERS UND EINER BILDGEBERVORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102014003068A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：DE102014003068

    申请日：2014-03-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BODINI EMANUELE BRUNO ,  BRAUN FELIX ,  GRUBER HERMANN ,  HOECKELE UWE ,  MEINHOLD DIRK ,  OFFENBERG DIRK ,  PRUEGL KLEMENS ,  UHLIG INES

    IPC: H01L21/339 ,  H01L27/146

    Abstract: Ein Herstellungsverfahren für einen Bildgeber umfasst Abscheiden von wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht Strukturieren der wenigstens ersten leitfähigen Schicht, um für jedes Pixel des Bildgebers wenigstens eine erste Steuerelektrodenstruktur und eine zweite Steuerelektrodenstruktur zu erlangen und in einer Transistorregion des Bildgebers wenigstens eine Gate-Elektrodenstruktur zu erlangen; – Abscheiden einer zweiten Schicht und wenigstens einer Spacerschicht und Entfernen der zweiten Schicht in der Transistorregion, während die zweite Schicht wenigstens in einer Region, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt, verbleibt, wobei die zweite Schicht wenigstens ein Material umfasst, das sich von einem Material der zweiten Schicht unterscheidet; und – Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht wenigstens in der Transistorregion, um eine Spacerstruktur wenigstens an den Seitenwänden der wenigstens einen Gate-Elektrodenstruktur zu bilden, wobei die zweite Schicht wenigstens in der Region verbleibt, die sich nach dem Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE50306331D1

    公开(公告)日：2007-03-08

    申请号：DE50306331

    申请日：2003-11-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HOECKELE UWE ,  JOHNSON ANDREW ,  KESSLER HANS-GEORG ,  NOWIK OREST ,  SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  WINZIG HUBERT ,  SISTERN IAN

    IPC: C23C16/44 ,  B08B6/00 ,  B08B7/00 ,  C23C20060101 ,  C23F4/00

    Abstract: A method for cleaning silicon-containing deposits in process chamber is described. Fluorine-containing compounds and additional compounds are used for the cleaning. The deposits are removed using a cleaning gas contains fluorine-containing compounds, at least 50% of which have more than one carbon atom and are C 4 F 8 or C 2 F 6 molecules, and additional compounds, at least 50% of which have at least one oxygen atom and at least 50% are N 2 O molecules. A pressure in the chamber is between 266 Pa and 665 Pa. The method permits economical and environmentally friendly cleaning of the process chamber.

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