公开(公告)号：DE102016117892A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：DE102016117892

申请日：2016-09-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DANGELMAIER JOCHEN ,  HOA KIM HUAT ,  ALANG ABD HAMID HAZRUL ,  ALLMEIER ANDREAS ,  LANG DIETMAR

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L23/28 ,  H01L23/495

Abstract: Es wird ein Leiterrahmenstreifen mit mehreren Einheitsleiterrahmen bereitgestellt. Jeder der Einheitsleiterrahmen enthält ein Die-Paddle, mehrere sich von dem Die-Paddle weg erstreckende Leitungen und einen peripheren Ring, der innere Abschnitte der Leitungen von äußeren Abschnitten der Leitungen abgrenzt. Ein Haftvermittlerplattierungsmaterial wird selektiv innerhalb eines Package-Umrissbereichs eines ersten Einheitsleiterrahmens plattiert. Das Die-Paddle und die inneren Abschnitte der Leitungen sind innerhalb des Package-Umrissbereichs angeordnet, und die äußeren Abschnitte der Leitungen sind außerhalb des Package-Umrissbereichs angeordnet. Drahtbondstellen werden derart bearbeitet, dass nach dem selektiven Plattieren des Haftvermittlerplattierungsmaterials die Drahtbondstellen im Wesentlichen frei von dem Haftvermittlerplattierungsmaterial sind. Die Drahtbondstellen sind innerhalb des Package-Umrissbereichs angeordnet und von dem peripheren Ring beabstandet.

公开(公告)号：DE102016102152A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016102152

申请日：2016-02-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER SEBASTIAN ,  WIETSCHORKE HELMUT ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  THEUSS HORST ,  KNOTT BERNHARD ,  MUELLER THOMAS ,  ALLMEIER ANDREAS

IPC: H01L23/28 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/18

Abstract: Ein Form-Halbleitergehäuse umfasst ein Substrat, das entgegengesetzte erste und zweite Hauptoberflächen, einen an die erste Hauptoberfläche des Substrats angebrachten Halbleiternacktchip, ein Haftanpassstück, das an der zweiten Hauptoberfläche des Substrats oder einer dem Substrat abgewandten Oberfläche des Halbleiternacktchips angebracht ist, und eine Formmasse aufweist, die den Halbleiternacktchip, das Haftanpassstück und zumindest einen Teil des Substrats einkapselt. Das Haftanpassstück ist konfiguriert, um Hafteigenschaften der Formmasse an Hafteigenschaften des Substrats oder Halbleiternacktchips, an dem das Haftanpassstück angebracht ist, derart anzupassen, dass die Formmasse am Haftanpassstück stärker haftet als direkt am Substrat oder Halbleiternacktchip, an dem das Haftanpassstück angebracht ist. Das Haftanpassstück weist ein Oberflächenmerkmal auf, das die Haftung zwischen dem Haftanpassstück und der Formmasse festigt.