公开(公告)号：WO2005096375A3

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：PCT/DE2005000476

申请日：2005-03-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  THEUSS HORST

Inventor： THEUSS HORST

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L23/28 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to the creation of protective layers for semiconductors, which have scratch-resistant properties, among other things, with the aid of nanoparticles on an inorganic basis, particularly silicon dioxide. In order to produce the protective layer, the nanoparticles are preferably processed so as to obtain a sol which is applied onto the semiconductor chips that are to be coated and is then transformed into the actual protective layer by means of sintering.

Abstract translation: 为了生产保护层的半导体芯片，其中U。 一。 具有耐刮擦性能，纳米颗粒是无机系，并且在使用的特定的二氧化硅。 用于保护层的制备中，所述纳米颗粒优选地由为溶胶，其被施加到涂覆半导体芯片，然后通过烧结转化成实际的保护层。

公开(公告)号：WO2004003991A3

公开(公告)日：2004-04-01

申请号：PCT/DE0302119

申请日：2003-06-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  STEINER RAINER ,  THEUSS HORST

Inventor： STEINER RAINER ,  THEUSS HORST

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/055 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L25/065 ,  H01L25/16 ,  H05K1/18 ,  H01L23/29 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/055 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/185 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: The invention relates to an electronic component with a housing packaging (2) consisting of several plastic layers (3) with at least one buried strip-conductor layer (4) and at least one semiconductor chip (5) which has outer pointed-cone-shaped contacts (7) which are disposed on an outer side (6) thereof. One of the plastic layers (3) is pierced by the pointed-cone-shaped outer contacts (7) which form through-contacts leading to the buried strip-conductor layer. The invention also relates to a method for the production of one such electronic component (1).

Abstract translation: 本发明涉及一种具有壳体封装的电子元件（2）由塑料（3）数个层，其包括至少一个掩埋导体层（4）和具有至少一个半导体芯片（5）分布在外侧（6）卵形外部触点（7）。 尖锥形的外部触点（7）穿过塑料层（3）中的一个并且形成通过触点到掩埋互连层（4）。 此外，本发明涉及用于制造这种电子部件（1）的方法。

公开(公告)号：DE102019134279B3

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：DE102019134279

申请日：2019-12-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHALLER RAINER MARKUS ,  GASSNER SIMON ,  KOLB STEFAN ,  THEUSS HORST ,  EBERL MATTHIAS ,  JOST FRANZ ,  DANGELMAIER JOCHEN

IPC: B81B7/02 ,  G01N21/17 ,  G01N21/3504

Abstract: Ein photoakustischer Sensor umfasst ein erstes MEMS-Bauelement und ein zweites MEMS-Bauelement. Das erste MEMS-Bauelement umfasst eine erste MEMS-Komponente, die einen optischen Emitter umfasst, und einen an die erste MEMS-Komponente wafer-gebondeten ersten optisch transparenten Deckel, wobei die erste MEMS-Komponente und der erste optisch transparente Deckel einen ersten geschlossenen Hohlraum ausbilden. Das zweite MEMS-Bauelement umfasst eine zweite MEMS-Komponente, die einen Druckaufnehmer umfasst, und einen an die zweite MEMS-Komponente wafer-gebondeten zweiten optisch transparenten Deckel, wobei die zweite MEMS-Komponente und der zweite optisch transparente Deckel einen zweiten geschlossenen Hohlraum ausbilden.

公开(公告)号：DE102019214478A1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE102019214478

申请日：2019-09-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHALLER RAINER MARKUS ,  THEUSS HORST ,  RIEDER BERNHARD

IPC: G01N21/17 ,  G01N21/3504

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (100) mit folgenden Merkmalen: einer Mikrostruktur (10), die eine MEMS-Struktur oder eine MOEMS-Struktur aufweist, einem Träger (20), auf dem die Mikrostruktur (10) angeordnet ist, einem Gehäuse (30), das aus einem für zumindest eine vorherbestimmte Wellenlänge eines Lichts transparenten Material besteht und einen Hohlraum (40), der die Mikrostruktur (10) auf dem Träger (20) direkt umgibt, hermetisch einkapselt. Die Vorrichtung (10) lässt sich als eine Lichtemittereinheit (200) und/oder Lichtdetektoreinheit (300) ausbilden, wobei die Einheiten einzeln oder gemeinsam Teil eines Photoakustischen Gassensors (400) sein können.

公开(公告)号：DE102017212748B4

公开(公告)日：2021-02-11

申请号：DE102017212748

申请日：2017-07-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THEUSS HORST

IPC: B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  H04R1/02 ,  H04R19/04

Abstract: Sensorvorrichtung, die Folgendes umfasst:einen Leiterrahmen oder engl. Leadframe (2);einen Sensorchip (4), der auf dem Leiterrahmen angeordnet ist;ein Verkapselungsmaterial (14), das auf einer Hauptoberfläche (3) und einer Seitenoberfläche (5) des Sensorchips (4) angeordnet ist;einen Signal-Port (6), der an einer Seitenoberfläche (8) der Sensorvorrichtung angeordnet ist, wobei sich die Seitenoberfläche (8) der Sensorvorrichtung zwischen gegenüberliegenden Hauptoberflächen (7, 9) der Sensorvorrichtung erstreckt, wobei eine der Hauptoberflächen (7) eine Montageoberfläche der Sensorvorrichtung ist; undeinen Kanal (10), der sich von dem Signal-Port (6) durch den Leiterrahmen zu einer Erfassungsstruktur (12) des Sensorchips (4) erstreckt, wobei der Leiterrahmen (2) einen ersten Teil (2a) und einen zweiten Teil (2b), die zusammengefügt sind, umfasst, wobei der Kanal wenigstens teilweise durch ein Loch (18) gebildet ist, das in dem ersten Teil enthalten ist, wobei sich das Loch in einer Richtung im Wesentlichen senkrecht zu einer Hauptoberfläche des Leiterrahmens (2) erstreckt, wobei der Kanal wenigstens teilweise durch eine Vertiefung (20) gebildet ist, die in dem ersten Teil enthalten ist, wobei sich die Vertiefung in einer Richtung im Wesentlichen parallel zu einer Hauptoberfläche des Leiterrahmens (2) erstreckt.

公开(公告)号：DE102019115307A1

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：DE102019115307

申请日：2019-06-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THEUSS HORST

IPC: H01P3/08

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen ersten Halbleiterchip, eine innerhalb eines BEOL-Metallstapels des ersten Halbleiterchips angeordnete erste planare Wellenleiter-Übertragungsleitung, wobei die erste planare Wellenleiter-Übertragungsleitung sich gegenüberliegende Leitungsabschnitte umfasst, und eine über dem ersten Halbleiterchip angeordnete zweite planare Wellenleiter-Übertragungsleitung, die mit der ersten planaren Wellenleiter-Übertragungsleitung elektrisch gekoppelt ist, wobei die zweite planare Wellenleiter-Übertragungsleitung sich gegenüberliegende Leitungsabschnitte umfasst.

公开(公告)号：DE102019110570A1

公开(公告)日：2020-10-29

申请号：DE102019110570

申请日：2019-04-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHINDLER MANFRED ,  THEUSS HORST ,  WEBER MICHAEL

IPC: H01L25/16 ,  G01R33/06

Abstract: Ein Magnetfeldsensorpackage umfasst einen Chipträger, einen auf dem Chipträger angeordneten Magnetfeldsensor, der dazu ausgelegt ist, ein Magnetfeld zu erfassen, eine auf dem Chipträger angeordnete integrierte Schaltung, die dazu ausgelegt ist, von dem Magnetfeldsensor bereitgestellte Sensorsignale logisch zu verarbeiten, und mindestens eine integrierte passive Komponente, die mit mindestens einem von dem Magnetfeldsensor oder der integrierten Schaltung elektrisch gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102019210173A1

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：DE102019210173

申请日：2019-07-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MÜLLER THOMAS ,  SCHALLER RAINER MARKUS ,  THEUSS HORST

IPC: G01N21/17

Abstract: Eine photoakustische Sensorvorrichtung kann ein Gehäuse und ein erstes und ein zweites Keramikhohlraumpackage umfassen, die in dem Gehäuse angeordnet sind. Das erste Keramikhohlraumpackage kann eine erste Seitenwand mit einem ersten Satz von elektrischen Kontaktelementen, eine erste Hohlraumstruktur und eine Lichtquelle umfassen, die mit dem ersten Satz von elektrischen Kontaktelementen elektrisch gekoppelt ist. Das zweite Keramikhohlraumpackage kann eine zweite Seitenwand mit einem zweiten Satz von elektrischen Kontaktelementen, eine zweite Hohlraumstruktur und einen photoakustischen Detektor umfassen, der mit dem zweiten Satz von elektrischen Kontaktelementen elektrisch gekoppelt ist. Das erste und zweite Keramikhohlraumpackage können angeordnet sein, so dass die Lichtquelle und der photoakustische Detektor einander zugewandt sind, und ausgerichtet sein, so dass der erste und der zweite Satz von elektrischen Kontaktelementen mit elektrischen Kontaktpunkten einer PCB ausgerichtet sind, wenn die photoakustische Sensorvorrichtung zum Koppeln mit der PCB über der PCB positioniert ist.

公开(公告)号：DE102006057970B4

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102006057970

申请日：2006-12-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THEUSS HORST ,  AUBURGER ALBERT

IPC: H01L43/00 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09

Abstract: Halbleiterbauteil (300) umfassend einen Halbleiterchip (10), wobei- ein Magnetfeldsensor (11) in den Halbleiterchip (10) integriert ist,- Lotdepots (16) auf eine aktive Hauptoberfläche (12) des Halbleiterchips (10) aufgebracht sind, und- ein Magnet (19) aus einem permanentmagnetischen Material auf die aktive Hauptoberfläche (12) des Halbleiterchips (10) zwischen den Lotdepots (16) aufgebracht ist, wobei der Magnetfeldsensor (11), der Magnet (19) und die Lotdepots (16) an der gleichen Hauptoberfläche (12) des Halbleiterchips (10) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102017212748A1

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：DE102017212748

申请日：2017-07-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： THEUSS HORST

IPC: B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  H04R1/02 ,  H04R19/04

Abstract: Eine Sensorvorrichtung beinhaltet einen Chipträger, einen Sensorchip, der auf dem Chipträger angeordnet ist, ein Verkapselungsmaterial, das auf einer Hauptoberfläche und einer Seitenoberfläche des Sensorchips angeordnet ist, einen Signal-Port, der an einer Seitenoberfläche der Sensorvorrichtung angeordnet ist, wobei sich die Seitenoberfläche der Sensorvorrichtung zwischen gegenüberliegenden Hauptoberflächen der Sensorvorrichtung erstreckt, wobei eine der Hauptoberflächen eine Montageoberfläche der Sensorvorrichtung ist, und einen Kanal, der sich von dem Signal-Port zu einer Erfassungsstruktur des Sensorchips erstreckt.