INTEGRIERTES PHOTOAKUSTISCHES GASSENSORMODUL

    公开(公告)号:DE102016103646A1

    公开(公告)日:2017-07-27

    申请号:DE102016103646

    申请日:2016-03-01

    Abstract: Der photoakustische Gassensor umfasst ein Substrat, eine Lichtemittereinheit, die durch das Substrat gestützt ist, wobei die Lichtemittereinheit einen Lichtemitter umfasst, der konfiguriert ist, ein Strahlenbündel von Lichtimpulsen mit einer vorgegebenen Wiederholungsfrequenz und einer vorgegebenen Wellenlänge, die einem Absorptionsband eines abzutastenden Gases entspricht, zu emittieren, und eine Detektoreinheit, die durch das Substrat gestützt ist, wobei die Detektoreinheit ein Mikrophon umfasst, wobei das Strahlenbündel von Lichtimpulsen einen Bereich durchquert, der vorgesehen ist, um das Gas aufzunehmen, wobei das Mikrophon ein Signal, das mit der Wiederholungsfrequenz schwingt, empfangen kann.

    Magnetsensor-Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

    公开(公告)号:DE102012110488B4

    公开(公告)日:2018-02-22

    申请号:DE102012110488

    申请日:2012-11-02

    Abstract: Magnetsensor-Bauelement (10, 20, 30.1, 30.2, 30.3, 40.1, 40.2, 40.3, 50.1, 50.2, 50.3), das Folgendes umfasst: einen Leiterrahmen, der Anschlussfinger (2) umfasst; einen Magneten (1), wobei der Magnet (1) eine Materialzusammensetzung aus einem Polymer und Magnetpartikeln aufweist, wobei die Materialzusammensetzung an mindestens einem der Anschlussfinger (2) angebracht ist; und einen Magnetsensor-Chip (3), wobei der Magnetsensor-Chip (3) derart neben dem Magneten (1) angeordnet ist, dass eine Hauptfläche des Magnetsensor-Chips (3) dem Magneten zugewandt ist und die übrigen Seiten des Magnetsensor-Chips (3) dem Magneten nicht zugewandt sind, wobei die Materialzusammensetzung an dem mindestens einen der Anschlussfinger (2) in einer solchen Weise angebracht ist, dass sich der mindestens eine der Anschlussfinger (2) durch eine Seitenfläche in die Materialzusammensetzung hinein und durch eine weitere Seitenfläche aus dieser wieder heraus erstreckt.

    Form-Halbleitergehäuse mit verbesserten lokalen Hafteigenschaften

    公开(公告)号:DE102016102152A1

    公开(公告)日:2016-09-29

    申请号:DE102016102152

    申请日:2016-02-08

    Abstract: Ein Form-Halbleitergehäuse umfasst ein Substrat, das entgegengesetzte erste und zweite Hauptoberflächen, einen an die erste Hauptoberfläche des Substrats angebrachten Halbleiternacktchip, ein Haftanpassstück, das an der zweiten Hauptoberfläche des Substrats oder einer dem Substrat abgewandten Oberfläche des Halbleiternacktchips angebracht ist, und eine Formmasse aufweist, die den Halbleiternacktchip, das Haftanpassstück und zumindest einen Teil des Substrats einkapselt. Das Haftanpassstück ist konfiguriert, um Hafteigenschaften der Formmasse an Hafteigenschaften des Substrats oder Halbleiternacktchips, an dem das Haftanpassstück angebracht ist, derart anzupassen, dass die Formmasse am Haftanpassstück stärker haftet als direkt am Substrat oder Halbleiternacktchip, an dem das Haftanpassstück angebracht ist. Das Haftanpassstück weist ein Oberflächenmerkmal auf, das die Haftung zwischen dem Haftanpassstück und der Formmasse festigt.

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