公开(公告)号：DE102023131059B3

公开(公告)日：2025-03-20

申请号：DE102023131059

申请日：2023-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RABERG WOLFGANG ,  KIRSCH MICHAEL ,  BANKER JASH ,  BRAUMÜLLER JOCHEN ,  ARLT NICOLAS

IPC: H10N60/12 ,  G06N10/40

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden integrierten Schaltung auf einem Substrat umfasst das Bilden einer ersten supraleitenden Schicht aus einem supraleitenden Material über dem Substrat. Über der ersten supraleitenden Schicht wird ein Josephson-Kontakt (JJ)-Schichtstapel mit einer JJ-Sperrschicht gebildet. Der JJ-Schichtstapel wird so strukturiert, dass er eine JJ-Struktur bildet. Die erste supraleitende Schicht ist so strukturiert, dass sie eine strukturierte erste supraleitende Schicht bildet. Eine dielektrische Deckschicht wird über der JJ-Struktur gebildet. Die dielektrische Deckschicht wird ein erstes Mal strukturiert, um eine Oberseite der JJ-Struktur freizulegen. Eine zweite supraleitende Schicht aus einem supraleitenden Material wird über der dielektrischen Deckschicht gebildet. Die zweite supraleitende Schicht wird so strukturiert, dass sie eine strukturierte zweite supraleitende Schicht bildet.