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    Magnetic encoder element for position measurement
    1.
    发明专利
    Magnetic encoder element for position measurement 有权
    用于位置测量的磁性编码器元件

    公开(公告)号：JP2011099857A

    公开(公告)日：2011-05-19

    申请号：JP2010248016

    申请日：2010-11-05

    Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

    Inventor： AUSSERLECHNER UDO ,  WERTH TOBIAS ,  SLAMA PETER ,  ZIMMER JUERGEN ,  RABERG WOLFGANG ,  SCHMIDT STEFAN ,  ORASCH MARTIN

    IPC: G01D5/245

    CPC classification number: G01D5/145 ,  G01D5/2457 ,  G01P3/487

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic encoder element for position measurement.
    SOLUTION: A magnetic encoder element for use in a position measurement system including a magnetic field sensor for position measurement along a first direction is disclosed. The encoder element includes at least one first track comprising a material providing a magnetic pattern along the first direction, the magnetic pattern being formed by a remanent magnetization vector that has a variable magnitude dependent on a position along the first direction. The gradient of the remanent magnetization vector is configured such that a resulting magnetic field in a corridor above the first track and at a predefined distance above the plane includes a field component perpendicular to the first direction that does not change its sign along the first direction.
    COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供用于位置测量的磁性编码器元件。 解决方案：一种用于位置测量系统的磁性编码器元件，其包括用于沿第一方向进行位置测量的磁场传感器。 所述编码器元件包括至少一个第一轨道，所述至少一个第一轨道包括沿着所述第一方向提供磁性图案的材料，所述磁图案由具有取决于沿所述第一方向的位置的可变幅度的剩余磁化矢量形成。 剩余磁化强度矢量的梯度被配置为使得在第一轨道之上并且在平面上方的预定距离处的走廊中产生的磁场包括垂直于第一方向的场分量，其不沿着第一方向改变其符号。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    SPACER INTEGRATION SCHEME IN MRAM TECHNOLOGY
    2.
    发明申请
    SPACER INTEGRATION SCHEME IN MRAM TECHNOLOGY 审中-公开
    MRAM技术中的间隔整合方案

    公开(公告)号：WO2004032144A3

    公开(公告)日：2004-08-05

    申请号：PCT/EP0310678

    申请日：2003-09-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM

    Inventor： COSTRINI GREG ,  HUMMEL JOHN P ,  LOW KIA-SENG ,  FINDEIS FRANK ,  KASKO IGOR ,  RABERG WOLFGANG

    IPC: G11B5/127 ,  G11B5/33 ,  G11C11/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/34 ,  H01L21/00 ,  H01L21/331 ,  H01L21/335 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/146 ,  H01L27/22 ,  H01L31/0352 ,  H01L43/12

    CPC classification number: H01L43/12

    Abstract: A magneto resistive memory device is fabricated by etching a blanket metal stack comprised of a buffer layer, pinned magnetic layer, a tunnel barrier layer and a free magnetic layer. The problem of junction shorting from resputtered metal during the etching process is eliminated by formation of a protective spacer covering the side of the freelayer and tunnel barrier interface. The spacer is formed following the first etch through the free layer which stops on the barrier layer. After spacer formation a second etch is made to isolate the device. The patterning of the device tunnel junction is made using a disposable mandrel method that enables a self-aligned contact to be made following the completion of the device patterning process.

    Abstract translation: 通过蚀刻由缓冲层，钉扎磁性层，隧道势垒层和自由磁性层组成的覆盖金属堆叠来制造磁阻存储器件。 通过形成覆盖自由层和隧道屏障界面侧面的保护性间隔物，消除了在蚀刻过程期间与溅射金属接合短路的问题。 在通过在阻挡层上停止的自由层的第一次蚀刻之后形成间隔物。 在间隔物形成之后，进行第二次蚀刻以隔离该装置。 器件隧道结的图案化使用一次性心轴方法制造，其能够在器件图案化工艺完成之后进行自对准接触。

    RESISTIVE MEMORY ELEMENTS WITH REDUCED ROUGHNESS
    3.
    发明申请
    RESISTIVE MEMORY ELEMENTS WITH REDUCED ROUGHNESS 审中-公开
    具有降低粗糙度的电阻记忆元件

    公开(公告)号：WO03060919A2

    公开(公告)日：2003-07-24

    申请号：PCT/EP0300299

    申请日：2003-01-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RABERG WOLFGANG

    IPC: H01F10/32 ,  G11C11/16 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

    CPC classification number: G11C11/16

    Abstract: A resistive memory element (144), magnetic random access memory (MRAM) device, and methods of manufacturing thereof, wherein a thin oxide layer (132) is disposed within the first metal layer (136) of thememory element (144). The thin oxide layer (132) comprises an oxygen mono-layer. The roughness of subsequently-formed layers (134/118/116) is reduced, and magnetic capabilities of the resistive memory element (144) are enhanced by the use of the thin oxide layer (132) within the first metal layer (136).

    Abstract translation: 电阻式存储器元件（144），磁性随机存取存储器（MRAM）器件及其制造方法，其中薄氧化物层（132）设置在所述元件（144）的第一金属层（136）内。 薄氧化物层（132）包括氧单层。 随后形成的层（134/118/116）的粗糙度减小，并且通过使用第一金属层（136）内的薄氧化物层（132）来增强电阻性存储元件（144）的磁性能。

    Magnetoresistive Vorrichtungen und Verfahren zur Herstellung magnetoresistiver Vorrichtungen
    6.
    发明专利
    Magnetoresistive Vorrichtungen und Verfahren zur Herstellung magnetoresistiver Vorrichtungen 未知

    公开(公告)号：DE102016206596A1

    公开(公告)日：2016-11-24

    申请号：DE102016206596

    申请日：2016-04-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PRUEGL KLEMENS ,  RABERG WOLFGANG ,  STRASSER ANDREAS ,  WENDT HERMANN

    IPC: H01L43/12 ,  G01R33/09 ,  H01L21/321 ,  H01L43/08

    Abstract: Eine magnetoresistive Vorrichtung kann einen magnetoresistiven Stapel und eine Ätzstoppschicht ESL umfassen, die auf dem magnetoresistiven Stapel angeordnet ist. Ein Verfahren zur Herstellung der magnetoresistiven Vorrichtung kann Folgendes umfassen: Abscheiden des magnetoresistiven Stapels, der ESL und einer Maskenschicht auf einem Substrat; Vornehmen eines ersten Ätzprozesses, um einen Abschnitt der Maskenschicht zu ätzen, um einen Abschnitt der ESL freizulegen; und Vornehmen eines zweiten Ätzprozesses, um den freiliegenden Abschnitt der ESL und einen Abschnitt des magnetoresistiven Stapels zu ätzen. Das Verfahren kann ferner umfassen: Abscheiden einer Photoresistschicht auf der Hartmaske vor dem ersten Ätzprozess und Entfernen der Photoresistschicht von der Hartmaske nach dem ersten Ätzprozess. Der erste und zweite Ätzprozess können verschieden sein. Beispielsweise kann der erste Ätzprozess ein reaktiver Ätzprozess sein, und der zweite Ätzprozess kann ein nicht-reaktiver Ätzprozess sein.

    Magnetfeldsensor und Magnetfelderfassungsverfahren
    7.
    发明专利
    Magnetfeldsensor und Magnetfelderfassungsverfahren 未知

    公开(公告)号：DE102015100226A1

    公开(公告)日：2016-07-14

    申请号：DE102015100226

    申请日：2015-01-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RABERG WOLFGANG

    IPC: G01R33/09 ,  G01D5/14

    Abstract: Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung beziehen sich auf einen Magnetfeldsensor 100, der zumindest ein magnetoresistives Spinventil-Sensorelement 100, das ausgebildet ist, um eine erste Magnetfeldkomponente H1 zu erfassen, und zumindest ein AMR-Sensorelement 120, das ausgebildet ist, um eine zweite Magnetfeldkomponente H2 zu erfassen, die senkrecht zu der ersten Magnetfeldkomponente H1 ist, umfasst.

    MAGNETFELDSENSOR
    9.
    发明专利
    MAGNETFELDSENSOR 未知

    公开(公告)号：DE102013207159A1

    公开(公告)日：2013-10-24

    申请号：DE102013207159

    申请日：2013-04-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RABERG WOLFGANG

    IPC: G01R33/09 ,  G01P3/42 ,  G01R17/00

    Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sehen einen Magnetfeldsensor vor. Der Magnetfeldsensor weist mindestens vier XMR-Elemente auf, die in einer Vollbrückenschaltung, die parallele Zweige umfasst, verbunden sind. Die mindestens vier XMR-Elemente sind GMR- oder TMR-Elemente (GMR = Riesenmagnetowiderstand, TMR = Tunnelmagnetowiderstand). Zwei diagonale XMR-Elemente der Vollbrückenschaltung weisen die gleiche Formanisotropie auf, während XMR-Elemente im selben Zweig der Vollbrückenschaltung unterschiedliche Formanisotropien aufweisen.

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