公开(公告)号：DE102016120883A1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：DE102016120883

申请日：2016-11-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIRSCH MICHAEL ,  MEYER MARKUS

IPC: H01L23/34 ,  H01F17/04 ,  H01L27/08

Abstract: Ein integriertes Bauelement wird bereitgestellt. Das integrierte Bauelement enthält: ein Halbleitersubstrat; eine elektrisch leitfähige Metallstruktur; ein thermisch leitfähiges Element, das sich von der elektrisch leitfähigen Metallstruktur erstreckt und konfiguriert ist zum Ableiten von Wärme von der elektrisch leitfähigen Metallstruktur, wobei das thermisch leitfähige Element ein proximales Ende in Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Metallstruktur und ein von der elektrisch leitfähigen Metallstruktur entferntes distales Ende besitzt, wobei das distale Ende thermisch potentialfrei ist; und ein elektrisch isolierendes Material, das die Metallstruktur und das thermisch leitfähige Element kapselt, insbesondere das thermisch potentialfreie distale Ende des thermisch leitfähigen Elements.

公开(公告)号：DE102023131059B3

公开(公告)日：2025-03-20

申请号：DE102023131059

申请日：2023-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RABERG WOLFGANG ,  KIRSCH MICHAEL ,  BANKER JASH ,  BRAUMÜLLER JOCHEN ,  ARLT NICOLAS

IPC: H10N60/12 ,  G06N10/40

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden integrierten Schaltung auf einem Substrat umfasst das Bilden einer ersten supraleitenden Schicht aus einem supraleitenden Material über dem Substrat. Über der ersten supraleitenden Schicht wird ein Josephson-Kontakt (JJ)-Schichtstapel mit einer JJ-Sperrschicht gebildet. Der JJ-Schichtstapel wird so strukturiert, dass er eine JJ-Struktur bildet. Die erste supraleitende Schicht ist so strukturiert, dass sie eine strukturierte erste supraleitende Schicht bildet. Eine dielektrische Deckschicht wird über der JJ-Struktur gebildet. Die dielektrische Deckschicht wird ein erstes Mal strukturiert, um eine Oberseite der JJ-Struktur freizulegen. Eine zweite supraleitende Schicht aus einem supraleitenden Material wird über der dielektrischen Deckschicht gebildet. Die zweite supraleitende Schicht wird so strukturiert, dass sie eine strukturierte zweite supraleitende Schicht bildet.

公开(公告)号：DE102016120884A1

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：DE102016120884

申请日：2016-11-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIRSCH MICHAEL

IPC: H01L27/08 ,  H01F17/04

Abstract: Es ist eine integrierte Vorrichtung vorgesehen. Die integrierte Vorrichtung weist ein Halbleitersubstrat, einen Induktor und eine Isolationsschicht das Halbleitersubstrat und der Induktor auf. Der Induktor weist einen magnetisierbaren Kern mit einer Unterseite, einer Oberseite und sich von der Unterseite zur Oberseite erstreckenden Seitenwänden, eine Spulenstruktur mit wenigstens einer Wicklung um den magnetisierbaren Kern und eine Kern-Spulen-Isolation zwischen der Spulenstruktur und dem magnetisierbaren Kern auf, wobei die Kern-Spulen-Isolation auf der Unterseite, der Oberseite und den Seitenwänden des magnetisierbaren Kerns im Wesentlichen die gleiche Dicke aufweist.

公开(公告)号：DE102024121252A1

公开(公告)日：2025-02-13

申请号：DE102024121252

申请日：2024-07-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIRSCH MICHAEL ,  HANEKAMP PATRICK ,  ROBL WERNER ,  PRÜGL KLEMENS ,  ZIMMER JÜRGEN ,  OSWALD CHRISTOPH

IPC: H10N50/00 ,  C25D3/12 ,  C25D3/20 ,  H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/52

Abstract: Eine Schichtstruktur enthält ein siliziumbasiertes Substrat, das eine Substratoberfläche umfasst; eine Titan-Kupfer-Keimschicht, die auf der Substratoberfläche angeordnet ist, wobei die Titan-Kupfer-Keimschicht eine Titanschicht und eine Kupferschicht umfasst, wobei die Titanschicht auf der Substratoberfläche angeordnet ist, so dass kovalente Bindungen zwischen der Titanschicht und Silizium des siliziumbasierten Substrats ausgebildet werden, und wobei die Kupferschicht direkt auf der Titanschicht angeordnet ist, so dass die Titanschicht zwischen der Substratoberfläche und der Kupferschicht angeordnet ist; und eine Nickel-Eisen-Plattierungsschicht, die direkt auf der Kupferschicht der Titan-Kupfer-Keimschicht angeordnet ist, so dass die Titan-Kupfer-Keimschicht zwischen dem siliziumbasierten Substrat und der Nickel-Eisen-Plattierungsschicht angeordnet ist.