Lange getemperte integrierte Schaltungsanordnungen und deren Herstellungsverfahren

    公开(公告)号:DE102004021239B4

    公开(公告)日:2017-04-06

    申请号:DE102004021239

    申请日:2004-04-30

    Abstract: Integrierte Schaltungsanordnung (500, 500b), mit einer elektrisch leitfähigen Leitstruktur (506, 506b), die gemäß einer Kornstruktur strukturiert ist, wobei elektrisch leitfähiges Barrierematerial in einem Korngrenzenbereich der Leitstruktur (506, 506b) angeordnet ist, der mindestens 5 Nanometer oder der mindestens 10 Nanometer im Innern der Leitstruktur angeordnet ist, wobei die Schaltungsanordnung (500, 500b) ein Substrat (501) enthält, das eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen enthält, und wobei die Leitstruktur eine Leitbahn (506, 506b) ist, wobei die Leitbahn (506, 506b) zwischen dem Substrat (501) und einer Vialeitstruktur (550, 550b) angrenzend an die Vialeitstruktur (550, 550b) angeordnet ist, wobei die Vialeitstruktur (550, 550b) oberhalb der Leitbahn (506, 506b) angeordnet ist, wobei eine Seitenwand der Vialeitstruktur (550, 550b) an eine Barrierematerialschicht grenzt und wobei zwischen der Vialeitstruktur und der Leitbahn (506, 506b) keine Barrierematerialschicht oder keine durchgehende Barrierematerialschicht angeordnet ist, und wobei die Vialeitstruktur (550, 550b) an eine substratferne Leitbahn (560, 560b) grenzt, deren Bodenfläche an eine elektrisch leitfähige Barrierematerialschicht (530, 530b) grenzt.

Patent Agency Ranking