公开(公告)号：DE102023113278A1

公开(公告)日：2024-11-28

申请号：DE102023113278

申请日：2023-05-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BÖHM MARCUS ,  SCHMOELZER BERND ,  HOLZMANN LISA MARIE ,  SCHARF THORSTEN

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Package (100) aufweisend einen einzelnen integralen elektrisch leitfähigen Körper (102), einen ersten Chip (104) mit einem integrierten Transistor und aufweisend einen ersten Anschluss (108), welcher auf dem Körper (102) befestigt ist, einen zweiten Anschluss (106), und einen dritten Anschluss (110), wobei der zweite Anschluss (106) und der dritte Anschluss (110) auf einer Hauptoberfläche des ersten Chips (104) gebildet sind, und der erste Anschluss (108) auf einer gegenüberliegenden anderen Hauptoberfläche des ersten Chips (104) gebildet ist, wobei der erste Anschluss (108) ein Drain- oder Kollektoranschluss ist, der zweite Anschluss (106) ein Source- oder Emitteranschluss ist, und der dritte Anschluss (110) ein Gate- oder Basisanschluss ist, und einen zweiten Chip (112) mit einem integrierten Transistor und aufweisend einen vierten Anschluss (114), welche auf dem Körper (102) befestigt ist, einen fünften Anschluss (116), und einen sechsten Anschluss (118), wobei der vierte Anschluss (114) und der sechste Anschluss (118) auf einer Hauptoberfläche des zweiten Chips (112) gebildet sind, und der fünfte Anschluss (116) auf einer gegenüberliegenden anderen Hauptoberfläche des zweiten Chips (112) gebildet ist, wobei der vierte Anschluss (114) ein Source- oder Emitteranschluss ist, der fünfte Anschluss (116) ein Drain- oder Kollektoranschluss ist, und der sechste Anschluss (118) ein Gate- oder Basisanschluss ist, wobei der erste Chip (104) und der zweite Chip (112) so verbunden sind, dass sie eine Halbbrücke bilden.

公开(公告)号：DE102023123825A1

公开(公告)日：2025-03-06

申请号：DE102023123825

申请日：2023-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHOLZ WOLFGANG ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  BÖHM MARCUS ,  SCHMÖLZER BERND RICHARD ,  HOLZMANN LISA MARIE ,  SCHARF THORSTEN

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L23/053 ,  H10D80/20

Abstract: Ein Package (100) aufweisend einen Träger (102), einen ersten Chip (104) mit einem integrierten Transistor und aufweisend einen ersten Anschluss (106), welcher auf dem Träger (102) befestigt ist, einen zweiten Anschluss (108), und einen dritten Anschluss (110), wobei der erste Anschluss (106) und der dritte Anschluss (110) auf einer Hauptoberfläche des ersten Chips (104) gebildet sind, und der zweite Anschluss (108) auf einer gegenüberliegenden anderen Hauptoberfläche des ersten Chips (104) gebildet ist, wobei der erste Anschluss (106) ein Source- oder Emitter-Anschluss ist, der zweite Anschluss (108) ein Drain- oder Kollektoranschluss ist, und der dritte Anschluss (110) ein Gate- oder Basis-Anschluss ist, eine leitfähige Struktur (103), welche zumindest teilweise elektrisch leitfähig ist und auf dem zweiten Anschluss (108) befestigt ist, eine Einkapselung (138), welche den Träger (102), den ersten Chip (104), und die leitfähige Struktur (103) zumindest teilweise einkapselt, und eine isolierende Schicht (142), welche auf einem Oberflächenabschnitt der leitfähigen Struktur (103) oder des Trägers (102) angeordnet ist, welcher Oberflächenabschnitt über die Einkapselung (138) hinaus freiliegt, wobei die isolierende Schicht (142) thermisch leitfähig und elektrisch isolierend ist.