公开(公告)号：DE102015108183B4

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：DE102015108183

申请日：2015-05-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/43

Abstract: Verfahren (100) zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung, welches folgende Schritte aufweist:Abscheiden eines ersten Metallisierungsmaterials über einem Halbleiterkörper (102),Ausführen eines Erwärmungsprozesses, um wenigstens ein Gebiet im Halbleiterkörper zu bilden, welches ein Eutektikum des ersten Metallisierungsmaterials und des Materials des Halbleiterkörpers aufweist (104), undAbscheiden eines zweiten Metallisierungsmaterials über der Halbleiterschicht, um die Halbleiterschicht über das wenigstens eine Gebiet in der Halbleiterschicht zu kontaktieren (106), wobei Reste des ersten Metallisierungsmaterials von oberhalb des Halbleiterkörpers entfernt werden, nachdem der Erwärmungsprozess ausgeführt wurde und bevor das zweite Metallisierungsmaterial abgeschieden wird.

公开(公告)号：DE102018133433A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：DE102018133433

申请日：2018-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  HECHT CHRISTIAN ,  BERGNER WOLFGANG

IPC: H01L29/32 ,  H01L21/322 ,  H01L29/161 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) enthält einen Siliziumcarbid-Körper (100), der einen ersten Abschnitt (171) und einen zweiten Abschnitt (172) enthält. Der erste Abschnitt (171) ist dem zweiten Abschnitt (172) benachbart gelegen. Ein Driftgebiet (130) ist in den ersten und zweiten Abschnitten (171, 172) ausgebildet. Ein Gitterdefektgebiet (190) ist in einem Bereich des Driftgebiets (130) in dem zweiten Abschnitt (172) gelegen und ist in zumindest einem Bereich des ersten Abschnitts (171) nicht vorhanden. In dem Gitterdefektgebiet (190) ist eine Dichte von Gitterdefekten (199), welche Zwischengitteratome und Leerstellen umfassen, zumindest zweimal so hoch wie in einem Bereich des Driftgebiets (130) außerhalb des Gitterdefektgebiets (190).

公开(公告)号：DE102018123210B3

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102018123210

申请日：2018-09-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BASLER THOMAS ,  STEGNER ANDRE RAINER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Siliziumkarbid-Bauelement umfasst eine Transistorzelle mit einer Vorderseiten-Dotierungsregion, einer Body-Region und einer Drift-Region. Die Body-Region umfasst einen ersten Abschnitt, der eine erste durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration aufweist, und einen zweiten Abschnitt, der eine zweite durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration aufweist. Der erste Abschnitt und der zweite Abschnitt weisen eine Erstreckung von zumindest 50 nm in eine vertikale Richtung auf. Die erste durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration ist zumindest das Zweifache der zweiten durchschnittlichen Netto-Dotierungskonzentration, und die erste durchschnittliche Netto-Dotierungskonzentration ist zumindest 1·10cm.

公开(公告)号：DE102015108183A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102015108183

申请日：2015-05-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHLÖGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Verfahren (100) zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann folgende Schritte aufweisen: Abscheiden eines ersten Metallisierungsmaterials über einem Halbleiterkörper (102), Ausführen eines Erwärmungsprozesses, um wenigstens ein Gebiet im Halbleiterkörper zu bilden, welches ein Eutektikum des ersten Metallisierungsmaterials und des Materials des Halbleiterkörpers aufweist (104), und Abscheiden eines zweiten Metallisierungsmaterials über der Halbleiterschicht, um die Halbleiterschicht über das wenigstens eine Gebiet in der Halbleiterschicht zu kontaktieren (106).

公开(公告)号：DE102018103550B4

公开(公告)日：2021-08-12

申请号：DE102018103550

申请日：2018-02-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STEGNER ANDRE RAINER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleitervorrichtung (100), die aufweist:einen SiC Halbleiterkörper (102), der ein erstes Halbleitergebiet (104) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein zweites Halbleitergebiet (106) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist; wobeidas erste Halbleitergebiet (104) an einer ersten Oberfläche (108) des SiC Halbleiterkörpers (102) elektrisch kontaktiert ist und einen pn-Übergang (110) mit dem zweiten Halbleitergebiet (106) bildet;das erste Halbleitergebiet (104) und das zweite Halbleitergebiet (106) in einer vertikalen Richtung (y) senkrecht zur ersten Oberfläche (108) übereinander angeordnet sind;das erste Halbleitergebiet (104) eine erste Dotierstoffspezies und eine zweite Dotierstoffspezies aufweist, wobei die erste Dotierstoffspezies Al ist und die zweite Dotierstoffspezies B oder Ga ist; undwobei das erste Halbleitergebiet (104) eine vertikale Erstreckung d entlang der vertikalen Richtung (y) des SiC Halbleiterkörpers (102) aufweist, wobei im ersten Halbleitergebiet (104), ausgehend von der ersten Oberfläche (108), in einem ersten Tiefenbereich (114) von 0 bis d/2 mindestens 60% der Dotierstoffe vom ersten Leitfähigkeitstyp der ersten Dotierstoffspezies entsprechen, und in einem zweiten Tiefenbereich (115) von d/2 bis d mindestens 30% der Dotierstoffe vom ersten Leitfähigkeitstyp der zweiten Dotierstoffspezies entsprechen.

公开(公告)号：DE102013112608B4

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：DE102013112608

申请日：2013-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COTOROGEA MARIA ,  FELSL HANS-PETER ,  GAWLINA YVONNE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SEIBERT GEORG ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WAGNER WOLFGANG

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:eine erste Transistorzelle (110), die eine erste Gateelektrode (122) in einem ersten Trench (120) aufweist,eine zweite Transistorzelle (130), die eine zweite Gateelektrode (142) in einem zweiten Trench (140) aufweist, wobei die ersten und zweiten Gateelektroden (122, 142) elektrisch verbunden sind,einen dritten Trench (160) zwischen den ersten und zweiten Trenches (120, 140), wobei der dritte Trench (160) sich tiefer in einen Halbleiterkörper (105) von einer ersten Seite (107) des Halbleiterkörpers (105) als die ersten und zweiten Trenches (120, 140) erstreckt, undein Dielektrikum (165) in dem dritten Trench (160), das eine Bodenseite und Wände des dritten Trenches (160) bedeckt und wobei eine Dicke eines eine Wand des dritten Trenches (360) auskleidenden Dielektrikums (366) auf einem vertikalen Niveau, das mit einem Gatedielektrikum (322, 342) in den ersten und zweiten Trenches (320, 340) zusammenfällt, größer ist als eine Dicke des Gatedielektrikums (321, 341) in den ersten und zweiten Trenches (320, 340).

公开(公告)号：DE102015122387A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：DE102015122387

申请日：2015-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÄRTL ANDREAS ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  STUTZMANN MARTIN ,  BRANDT MARTIN S

IPC: H01L23/29 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Leistungshalbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat, das zumindest eine elektrische Struktur umfasst. Die zumindest eine elektrische Struktur weist eine Sperrspannung von mehr als 20 V auf. Ferner umfasst das Leistungshalbleiterbauelement eine elektrisch isolierende Schichtstruktur, die über zumindest einem Abschnitt einer lateralen Oberfläche des Halbleitersubstrats gebildet ist. Die elektrisch isolierende Schichtstruktur bettet eine oder mehrere lokale Regionen zum Speichern von Ladungsträgern ein. Ferner weisen die eine oder die mehreren lokalen Regionen in zumindest einer Richtung eine Abmessung von weniger als 200 nm auf.

公开(公告)号：DE102015102130A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：DE102015102130

申请日：2015-02-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRANDT PHILIP CHRISTOPH ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/167 ,  H01L29/739

Abstract: Einige Ausführungsbeispiele beziehen sich auf ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements. Das Verfahren umfasst das Bilden einer Source-Region einer Feldeffekttransistorstruktur in einem Halbleitersubstrat. Das Verfahren umfasst ferner das Bilden einer Oxidschicht. Das Verfahren umfasst ferner das Einbringen von Atomen von zumindest einem Atomtyp einer Gruppe aus Atomtypen in zumindest einen Teil der Source-Region der Feldeffekttransistorstruktur nach dem Bilden der Oxidschicht. Die Gruppe aus Atomtypen umfasst Chalkogen-Atome, Silizium-Atome und Argon-Atome.

公开(公告)号：DE102013112608A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE102013112608

申请日：2013-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： COTOROGEA MARIA ,  FELSL HANS-PETER ,  GAWLINA YVONNE ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SEIBERT GEORG ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  WAGNER WOLFGANG

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleiterkörper (1001) umfasst eine erste Transistorzelle (110) mit einer ersten Gateelektrode (122) in einem ersten Trench (120). Die Halbleitervorrichtung (1001) umfasst weiterhin eine zweite Transistorzelle (130) mit einer zweiten Gateelektrode (142) in einem zweiten Trench (140), wobei die ersten und zweiten Gateelektroden (122, 142) elektrisch verbunden sind. Die Halbleitervorrichtung umfasst außerdem einen dritten Trench (160) zwischen den ersten und zweiten Trenches (120, 140), wobei sich der dritte Trench (160) tiefer in einen Halbleiterkörper (105) von einer ersten Seite (107) des Halbleiterkörpers (105) als die ersten und zweiten Trenches (120, 140) erstreckt. Die Halbleitervorrichtung (1001) umfasst außerdem ein Dielektrikum (165) in dem dritten Trench (160), das eine Bodenseite und Wände des dritten Trenches (160) bedeckt.

公开(公告)号：DE102015102130B4

公开(公告)日：2022-07-14

申请号：DE102015102130

申请日：2015-02-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STEGNER ANDRE RAINER ,  BRANDT PHILIP CHRISTOPH

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/167 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, das Verfahren umfassend:Bilden (110) einer Source-Region (105) einer Feldeffekttransistorstruktur in einem Halbleitersubstrat;Bilden (120) einer Oxidschicht (107);Einbringen (130) von Atomen von zumindest einem Atomtyp aus einer Gruppe von Atomtypen in zumindest einen Teil der Source-Region (105) der Feldeffekttransistorstruktur nach dem Bilden der Oxidschicht (107), wobei die Gruppe von Atomtypen Chalkogen-Atome, Silizium-Atome und Argon-Atome umfasst; undEntfernen eines Abschnitts einer Source-Region (105) vor dem Einbringen der Atome des zumindest einen Atomtyps durch Ätzen eines Kontaktgrabens in das Halbleitersubstrat, wobei eine Oberfläche der Source-Region (105) zumindest einen Teil einer Seitenwand des Kontaktgrabens bildet und eine Oberfläche einer Body-Region (101) des Halbleitersubstrats zumindest einen Teil eines Bodens des geätzten Kontaktgrabens bildet; undÄtzen von zumindest einem Teil der Body-Region (101) an dem Boden des Kontaktgrabens nach dem Einbringen der Atome des zumindest einen Atomtyps,wobei das Einbringen der Atome des zumindest einen Atomtyps in zumindest einen Teil der Source-Region (105) das Implantieren der Atome des zumindest einen Atomtyps mit einem schiefen Implantationswinkel im Hinblick auf eine Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats aufweist.