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公开(公告)号：DE102012211446B4
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：DE102012211446
申请日：2012-07-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HOHLFELD OLAF , BÖNIG GUIDO , JANSEN UWE
Abstract: Halbleitermodul aufweisend: ein elektrisch leitendes unteres Kontaktstück (31) und ein in einer vertikalen Richtung (v) von diesem beabstandetes, elektrisch leitendes oberes Kontaktstück (32); eine als geschlossener Ring ausgebildete Gehäuseseitenwand (7), die sich in der vertikalen Richtung (v) vom unteren Kontaktstück (31) bis zum oberen Kontaktstück (32) erstreckt, die an ihrer dem oberen Kontaktstück (32) zugewandten Seite einen oberen Vorsprung (72) aufweist, der in eine zweite Nut (320) des oberen Kontaktstückes (32) eingreift; eine Anzahl von N ≥ 1 Halbleiterchips (1), von denen ein jeder – einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12) aufweist; – mit seinem zweiten Lastanschluss (12) elektrisch leitend mit dem unteren Kontaktstück (31) verbunden ist; und – mittels wenigstens eines an den ersten Lastanschluss (11) gebondeten Bonddrahtes (4) mit dem oberen Kontaktstück (32) elektrisch leitend verbunden ist; ein stufig ausgebildetes, elektrisch leitendes Kontaktblech (5), das einen ersten Absatz (51) und einen zweiten Absatz (52) aufweist, wobei ein jeder der Bonddrähte (4) an den zweiten Absatz (52) gebondet ist; und ein Explosionsschutzmittel (62), das zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem oberen Kontaktstück (32) angeordnet ist und in das ein jeder der Bonddrähte (4) über wenigstens 80% seiner Länge eingebettet ist, wobei der erste Absatz (51) das obere Kontaktstück (32) unmittelbar kontaktiert.
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公开(公告)号：DE102022103894A1
公开(公告)日：2022-09-08
申请号：DE102022103894
申请日：2022-02-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： TSCHIRBS ROMAN LENNART , BÖNIG GUIDO , DE BOCK JENS , GÖRDES MARTIN
Abstract: Eine Leistungshalbleitermodulanordnung enthält ein Gehäuse (7), ein Substrat (10), das innerhalb des Gehäuses (7) angeordnet ist und eine dielektrische Isolationsschicht (11) und eine auf einer ersten Seite der dielektrischen Isolationsschicht (11) angeordnete eine erste Metallisierungsschicht (111) aufweist, zumindest einen Halbleiterkörper (20), der auf eine erste Oberfläche (101) der ersten Metallisierungsschicht (111), die der dielektrischen Isolationsschicht (11) abgewandt ist, montiert ist, eine erste Platine (81), die innerhalb des Gehäuses (7) im Wesentlichen parallel zu und vertikal über dem Substrat (10) angeordnet ist, und mehrere erste Anschlusselemente (44), die mechanisch mit der ersten Metallisierungsschicht ^(111) verbunden sind, wobei sich jedes der mehreren ersten Anschlusselemente (44) von der ersten Metallisierungsschicht (111) in einer zu der ersten Oberfläche (101) senkrechten vertikalen Richtung (y) in Richtung der ersten Platine (81) erstreckt, wobei jedes der mehreren ersten Anschlusselemente (44) einen Press-Fit-Pin (46) aufweist, die erste Platine (81) mehrere Durchgangslöcher (810) aufweist, jeder der mehreren Press-Fit-Pins (46) in einem der Durchgangslöcher (810) angeordnet ist und die erste Platine (81) hauptsächlich mittels der mehreren ersten Anschlusselemente (44) und der durch die mehreren Press-Fit-Pins (46) gebildeten Verbindungen in Bezug auf das Substrat (10) in einer gewünschten Position gehalten wird.
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公开(公告)号：DE102013200308A1
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：DE102013200308
申请日：2013-01-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HOHLFELD OLAF , BÖNIG GUIDO
Abstract: Ein Bonddraht (1) umfasst ein oder mehrere Filamente (10–17) aus einem ersten Material, das bzw. die in eine Matrix (20) aus einem zweiten Material eingebettet ist bzw. sind. Ein jedes der Filamente (10–17) weist bei einem Druck von 1013,25 hPa eine erste Schmelztemperatur auf. Die Matrix (20) weist bei einem Druck von 1013,25 hPa eine zweite Schmelztemperatur auf. Die erste Schmelztemperatur ist um wenigstens 450°C höher als die zweite Schmelztemperatur.
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