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公开(公告)号：DE102012211446B4
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：DE102012211446
申请日：2012-07-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HOHLFELD OLAF , BÖNIG GUIDO , JANSEN UWE
Abstract: Halbleitermodul aufweisend: ein elektrisch leitendes unteres Kontaktstück (31) und ein in einer vertikalen Richtung (v) von diesem beabstandetes, elektrisch leitendes oberes Kontaktstück (32); eine als geschlossener Ring ausgebildete Gehäuseseitenwand (7), die sich in der vertikalen Richtung (v) vom unteren Kontaktstück (31) bis zum oberen Kontaktstück (32) erstreckt, die an ihrer dem oberen Kontaktstück (32) zugewandten Seite einen oberen Vorsprung (72) aufweist, der in eine zweite Nut (320) des oberen Kontaktstückes (32) eingreift; eine Anzahl von N ≥ 1 Halbleiterchips (1), von denen ein jeder – einen ersten Lastanschluss (11) und einen zweiten Lastanschluss (12) aufweist; – mit seinem zweiten Lastanschluss (12) elektrisch leitend mit dem unteren Kontaktstück (31) verbunden ist; und – mittels wenigstens eines an den ersten Lastanschluss (11) gebondeten Bonddrahtes (4) mit dem oberen Kontaktstück (32) elektrisch leitend verbunden ist; ein stufig ausgebildetes, elektrisch leitendes Kontaktblech (5), das einen ersten Absatz (51) und einen zweiten Absatz (52) aufweist, wobei ein jeder der Bonddrähte (4) an den zweiten Absatz (52) gebondet ist; und ein Explosionsschutzmittel (62), das zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem oberen Kontaktstück (32) angeordnet ist und in das ein jeder der Bonddrähte (4) über wenigstens 80% seiner Länge eingebettet ist, wobei der erste Absatz (51) das obere Kontaktstück (32) unmittelbar kontaktiert.
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公开(公告)号：DE102008055157A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：DE102008055157
申请日：2008-12-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： JANSEN UWE
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Ansteuerschaltung für eine Leistungshalbleiteranordnung und eine Leistungshalbleiteranordnung. Die Ansteuerschaltung umfasst wenigstens zwei Schaltungsgruppen (15, 25, 35) mit jeweils einer zumindest zwei Anschlüsse (151, 152, 153; 251, 252, 253; 351, 352, 353) aufweisenden Spannungsversorgungsanschlussgruppe (154, 254, 354), von denen jede elektrisch mit einem Leistungstreiber (120, 220, 320) der betreffenden Schaltungsgruppe (15, 25, 35) gekoppelt oder koppelbar ist. Die Spannungsversorgungsanschlussgruppen (154, 254, 354) dienen dazu, den zugehörigen Leistungstreiber (120, 220, 320) an eine Spannungsversorgung (50, 50') anzuschließen. Dabei ist jeder der Anschlüsse (151, 152, 153; 251, 252, 253; 351, 352, 353) der Spannungsversorgungsanschlussgruppen (15, 25, 35) elektrisch mittels eines Impedanz-Bauelements (121, 122, 123; 221, 222, 223; 321, 322, 323) an dem Leistungstreiber (120, 220, 320) der der entsprechenden Spannungsversorgungsanschlussgruppe (154, 254, 354) zugeordneten Schaltungsgruppe (15, 25, 35) angeschlossen oder anschließbar. Jedes der Impedanz-Bauelemente (121, 122, 123; 221, 222, 223; 321, 322, 323) weist eine von Null verschiedene Impedanz (Z) auf und besitzt einen Wirkwiderstand und/oder einen Blindwiderstand. Bei der Leistungshalbleiteranordnung, die eine solche Ansteuerschaltung umfasst, weist steuerbare Leistungshalbleiterschalten auf, die von der Ansteuerschaltung ansteuerbar sind.
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公开(公告)号：DE102008049677B4
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：DE102008049677
申请日：2008-09-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BAYERER REINHOLD DR , KANSCHAT PETER DR , JANSEN UWE
IPC: H03K17/00
Abstract: Schaltungsanordnung mit einem ersten Halbleiterschaltelement (1), das eine Laststrecke und einen Ansteueranschluss aufweist und das als Leistungs-MOSFET oder Leistungs-IGBT ausgebildet ist, mit einer Spannungsversorgungsschaltung (2), die aufweist: eine Induktivität (21), die in Reihe zu der Laststrecke des ersten Halbleiterschaltelements (21) geschaltet ist; eine parallel zu der Induktivität (21) geschaltete kapazitive Ladungsspeicheranordnung (20) mit einer ersten und einer zweiten Ausgangsklemme zum Bereitstellen einer Versorgungsspannung (V2), die eine erste Reihenschaltung mit einem ersten Gleichrichterelement (22) und einem ersten kapazitiven Speicherelement (23) und eine zweite Reihenschaltung mit einem zweiten Gleichrichterelement (52) und einem zweiten kapazitiven Speicherelement (53) aufweist, wobei die erste Reihenschaltung und die zweite Reihenschaltung jeweils parallel zu der Induktivität (21) geschaltet sind und das erste Gleichrichterelement (22) gegenüber dem zweiten Gleichrichterelement (52) verpolt ist, so dass das erste kapazitive Speicherelement (23) dazu ausgebildet ist, eine bezogen auf einen Laststreckenanschluss des ersten Halbleiterschaltelements (1) positive Spannung bereitzustellen und das zweite kapazitive Speicherelement (53) dazu ausgebildet ist, eine bezogen auf den Laststreckenanschluss des ersten Halbleiterschaltelements (1) negative Spannung bereitzustellen; eine Anlaufschaltung (55, 56; 61, 62), die zwischen eine Klemme für ein Last-Versorgungspotential und das erste kapazitive Speicherelement (23) geschaltet ist, und mit einer Ansteuerschaltung (4), die Spannungsversorgungsklemmen (41, 42), die an die Ausgangsklemmen der Spannungsversorgungsschaltung (2) angeschlossen sind, und einen Ansteuerausgang, der an den Ansteueranschluss des Halbleiterschaltelements (1) angeschlossen ist, aufweist.
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4.发明专利
公开(公告)号：DE102010027832B3
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：DE102010027832
申请日：2010-04-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： DOMES DANIEL DR , JANSEN UWE
IPC: H03K17/687
Abstract: Beschrieben wird eine Halbleiterschaltanordnung, die aufweist: ein selbstleitendes Halbleiterbauelement (1) eines ersten Leitungstyps; ein selbstsperrendes Halbleiterbauelement (2) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps, dessen Laststrecke in Reihe zu der Laststrecke des ersten Halbleiterbauelements geschaltet ist; eine erste Ansteuerschaltung (3), die zwischen den Steueranschluss (11) des ersten Halbleiterbauelements (1) und einen zwischen dem ersten und dem zweiten Halbleiterbauelement (1, 2) angeordneten Laststreckenanschluss (12) des ersten Halbleiterbauelements (1) geschaltet ist; eine zweite Ansteuerschaltung (4), die zwischen den Steueranschluss (21) des zweiten Halbleiterbauelements (2) und einen zwischen dem ersten und den zweiten Halbleiterbauelement (1, 2) angeordneten Laststreckenanschluss (22) des zweiten Halbleiterbauelements (2) geschaltet ist.
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5.发明专利
公开(公告)号：DE102007061978B4
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：DE102007061978
申请日：2007-12-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： JANSEN UWE
IPC: H02M1/08
Abstract: Schaltungsanordnung zum Bereitstellen einer Spannungsversorgung für eine Treiberschaltung (13) zum Ansteuern eines Halbleiterschalters (M1), wobei die Schaltungsanordnung aufweist: eine erste Bootstrap-Schaltung (BS1), der eine erste, auf ein unteres Versorgungspotential (V–) bezogene Hilfsspannung (UH–, VAUX–– V–) zugeführt ist, wobei die Bootstrap-Schaltung (BS1) einen ersten Kondensator (12) umfasst, der eine Versorgungsspannung (VBS1) für die Treiberschaltung (13) bereitstellt, eine erste Ladungspumpe (CP1), die dazu ausgebildet ist, die Ladung auf dem ersten Kondensator (12) zumindest während einer bestimmten Zeitspanne auf oder über einem bestimmten Niveau zu halten, gekennzeichnet durch eine zweite Bootstrap-Schaltung (BS2), der eine zweite, auf ein oberes Versorgungspotential (V+) bezogene Hilfsspannung (UH+, V+ – VAUX+) zugeführt ist, wobei die Bootstrap-Schaltung (BS2) einen zweiten Kondensator (10) umfasst, der eine Versorgungsspannung (VBS2) für die erste Ladungspumpe (CP1) bereitstellt, und eine zweite Ladungspumpe (CP2), die dazu ausgebildet ist, die zweite Hilfsspannung (UH+, V+ – VAUX+) zu erzeugen.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102008049677A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：DE102008049677
申请日：2008-09-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BAYERER REINHOLD , KANSCHAT PETER , JANSEN UWE
IPC: H03K17/00
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公开(公告)号：DE102006025453B4
公开(公告)日：2009-12-24
申请号：DE102006025453
申请日：2006-05-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HIERHOLZER MARTIN , BAGINSKI PATRICK , HORNKAMP MICHAEL , JANSEN UWE
Abstract: A semiconductor circuit arrangement is disclosed. In one embodiment, a semiconductor module is attached to a board using a screw, with a mechanical and electrical contact being made between module contacts on the semiconductor module and associated board contacts on the board at the same time by attachment using the screw.
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公开(公告)号：DE102007061978A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：DE102007061978
申请日：2007-12-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： JANSEN UWE
IPC: H02M1/08
Abstract: The invention relates to a circuit arrangement for providing a voltage supply for a driver circuit for driving a semiconductor switch. The circuit arrangement has: a first bootstrap circuit which is supplied with a first auxiliary voltage referring to a lower supply potential, the bootstrap circuit comprising a first capacitor which provides a supply voltage for the driver circuit; a first charge pump which is designed to keep the charge in the first capacitor at or above a particular level at least during a particular period of time; a second bootstrap circuit which is supplied with a second auxiliary voltage referring to an upper supply potential, the bootstrap circuit comprising a second capacitor which provides a supply voltage for the first charge pump; and a second charge pump which is designed to generate the second auxiliary voltage.
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公开(公告)号：DE102017116100A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：DE102017116100
申请日：2017-07-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG , BABURSKE ROMAN , BASLER THOMAS , JANSEN UWE , RETTINGER HEIKO
Abstract: Ein System und ein Verfahren für einen Leistungswechselrichter mit steuerbaren Klemmen weist einen ersten Spannungsschwingpfad auf, wobei der erste Spannungsschwingpfad eine erste Mehrzahl von Leistungstransistoren aufweist, wobei der erste Spannungsschwingpfad, wenn er aktiv ist, Teile einer positiven Halbwelle eines Ausgangssignals erzeugt; einen zweiten Spannungsschwingpfad, wobei der zweite Spannungsschwingpfad eine zweite Mehrzahl von Leistungstransistoren aufweist, wobei der zweite Spannungsschwingpfad, wenn er aktiv ist, Teile einer negativen Halbwelle des Ausgangssignals erzeugt; eine erste Klemmkomponente, die mit dem ersten Spannungsschwingpfad gekoppelt ist, wobei die erste Klemmkomponente einen Freilaufpfad für den ersten Spannungsschwingpfad bildet, wobei die erste Klemmkomponente, wenn sich das Steuerterminal in einem ersten Zustand befindet, eine erste Speicherladung aufweist, und, wenn sich das Steuerterminal in einem zweiten Zustand befindet, eine zweite Speicherladung aufweist, wobei die erste Speicherladung größer ist, als die zweite Speicherladung; und eine zweite Klemmkomponente, die mit dem zweiten Spannungsschwingpfad gekoppelt ist, wobei die zweite Klemmkomponente einen Freilaufpfad für den zweiten Spannungsschwingpfad bildet, wobei die zweite Klemmkomponente ein Steuerterminal aufweist, wobei die zweite Klemmkomponente, wenn sich das Steuerterminal in dem ersten Zustand befindet, eine erste Speicherladung aufweist, und, wenn sich das Steuerterminal in dem zweiten Zustand befindet, eine zweite Speicherladung aufweist.
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公开(公告)号：DE102008047395B4
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：DE102008047395
申请日：2008-09-16
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KNOTT BERNHARD , HOEGLAUER JOSEF , JANSEN UWE
IPC: H01L27/08 , H01F17/00 , H01L21/822
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