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公开(公告)号：DE102009000588A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：DE102009000588
申请日：2009-02-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SPANKE REINHOLD , TSCHIRBS ROMAN LENNART
Abstract: A power semiconductor module comprises a housing. The housing comprises a casing and at least one coating of high resistance to surface tracking. A plurality of electrical conductors is provided on the housing. The coating is provided on a creepage distance that is provided between the electrical conductors.
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公开(公告)号：DE102009000588B4
公开(公告)日：2022-11-03
申请号：DE102009000588
申请日：2009-02-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SPANKE REINHOLD , TSCHIRBS ROMAN LENNART
Abstract: Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse, wobei das Gehäuse folgendes umfasst:eine Schalung und mindestens eine Beschichtung mit hohem Widerstand gegenüber Oberflächenkriechwegbildung; und mehrere an dem Gehäuse vorgesehene elektrische Leiter, wobei die Beschichtung auf einer Kriechstrecke zwischen den elektrischen Leitern angeordnet ist und den Widerstand gegenüber Oberflächenkriechwegbildung vergrößert, bei dem die Beschichtung eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche umfasst, wobei sich die zweite Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche befindet, bei dem sich die zweite Oberfläche der Beschichtung in Kontakt mit einer äußeren Oberfläche der Schalung befindet, und bei dem die zweite Oberfläche der Beschichtung mehrere erste Rillen umfasst, die mit mehreren zweiten Rillen der äußeren Oberfläche der Schalung verzahnt sind.
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公开(公告)号：DE102022103894A1
公开(公告)日：2022-09-08
申请号：DE102022103894
申请日：2022-02-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： TSCHIRBS ROMAN LENNART , BÖNIG GUIDO , DE BOCK JENS , GÖRDES MARTIN
Abstract: Eine Leistungshalbleitermodulanordnung enthält ein Gehäuse (7), ein Substrat (10), das innerhalb des Gehäuses (7) angeordnet ist und eine dielektrische Isolationsschicht (11) und eine auf einer ersten Seite der dielektrischen Isolationsschicht (11) angeordnete eine erste Metallisierungsschicht (111) aufweist, zumindest einen Halbleiterkörper (20), der auf eine erste Oberfläche (101) der ersten Metallisierungsschicht (111), die der dielektrischen Isolationsschicht (11) abgewandt ist, montiert ist, eine erste Platine (81), die innerhalb des Gehäuses (7) im Wesentlichen parallel zu und vertikal über dem Substrat (10) angeordnet ist, und mehrere erste Anschlusselemente (44), die mechanisch mit der ersten Metallisierungsschicht ^(111) verbunden sind, wobei sich jedes der mehreren ersten Anschlusselemente (44) von der ersten Metallisierungsschicht (111) in einer zu der ersten Oberfläche (101) senkrechten vertikalen Richtung (y) in Richtung der ersten Platine (81) erstreckt, wobei jedes der mehreren ersten Anschlusselemente (44) einen Press-Fit-Pin (46) aufweist, die erste Platine (81) mehrere Durchgangslöcher (810) aufweist, jeder der mehreren Press-Fit-Pins (46) in einem der Durchgangslöcher (810) angeordnet ist und die erste Platine (81) hauptsächlich mittels der mehreren ersten Anschlusselemente (44) und der durch die mehreren Press-Fit-Pins (46) gebildeten Verbindungen in Bezug auf das Substrat (10) in einer gewünschten Position gehalten wird.
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