Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency switch with a good balance between intermodulation characteristics and current consumption.SOLUTION: A high-frequency switching circuit comprises a first high-frequency switching transistor 710a, and a second high-frequency switching transistor 710b. A second channel terminal 716a of the first high-frequency switching transistor 710a is coupled to a potential node 730 via a channel resistor 720. A second channel terminal 716b of the second high-frequency switching transistor 710b is coupled to the potential node 730. The high-frequency switching circuit is configured to selectively keep the potential node 730 either at a predetermined potential or in a floating state.
Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cellular phone having a high-frequency switching circuit having good balance between intermodulation characteristics and current consumption. SOLUTION: The high-frequency switching circuit 100 includes a high-frequency switching transistor 110. In the high-frequency switching circuit, a high-frequency signal-path extends via a channel-path of the high-frequency switching transistor. The high-frequency switching circuit includes a control circuit 120. The control circuit 120 applies at least two different bias potentials to a substrate 130 of the high-frequency switching transistor, depending on a control signal 140 received by the control circuit. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-stage integrated power amplifier structure that improves amplifier efficiency and linearity. SOLUTION: The integrated power amplifier structure comprises a matched filter (6) including integrated capacitance, namely branched capacitance (13) and inductance (12) which performs impedance conversion between an input transistor (1) and an output transistor (2). The integrated power amplifier structure is adapted to form the inductance (12) of the matched filter (6) as a microstrip conductor. Thus, a linearity coefficient of the inductance (12) is remarkably increased, and the linearity and efficiency of the integrated power amplifier structure are improved. This configuration particularly has an advantage of being used in an integrated transmission structure. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency switching circuit for obtaining highly accurate impedance matching over a wide range frequency band. SOLUTION: The high-frequency switching element 110 has a first channel terminal 120 and a second channel terminal 130, wherein a high-frequency signal 140 is switchably routed via a channel path 150 between the first channel terminal and the second channel terminal. The high-frequency switching circuit 100 further includes a power detection circuit 160. The power detection circuit is configured to obtain a first measurement signal 170 from the first channel terminal and a second measurement signal 180 from the second channel terminal, and to combine the first measurement signal and the second measurement signal to derive, on the basis of both the first measurement signal and the second measurement signal, a power signal 190 describing a power value of the high-frequency signal routed via the channel path of the high-frequency switching element. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
Abstract:
A system for controlling amplifier power is provided. The system includes a voltage envelope detector that receives a voltage signal and generates a voltage envelope signal. A current envelope detector receives a current signal and generates a current envelope signal. A power amplifier level controller receives the greater of the voltage envelope signal and the current envelope signal, such as by connecting the output of the voltage envelope detector and the current envelope detector at a common point and conducting the high frequency current components to ground via a capacitor. A power amplifier level control signal is then generated based on the voltage drop across the capacitor.
Abstract:
Impedanzanpassungsnetz, das Folgendes umfasst:einen ersten Anschluss (101);einen zweiten Anschluss (102);einen Referenzpotentialanschluss (103);einen ersten Nebenschlusszweig (171) zwischen dem ersten Anschluss (101) und dem Referenzpotentialanschluss (103), wobei der erste Nebenschlusszweig (171) ein kapazitives Element umfasst;einen zweiten Nebenschlusszweig (172) zwischen dem zweiten Anschluss (102) und dem Referenzpotentialanschluss (103), wobei der zweite Nebenschlusszweig (172) ein induktives Element umfasst; undeinen Übertragungsleitungstransformator (120) mit einem ersten Induktorpfad (121) und einem zweiten Induktorpfad (122), wobei der erste Induktorpfad (121) den ersten Anschluss (101) und den zweiten Anschluss (102) verbindet.
Abstract:
Gemäß einer Ausführungsform wird eine Kommunikationsvorrichtung beschrieben, die eine Antenne, einen Signalpfad zum Bereitstellen eines Signals an eine Antenne, zwei Richtkoppler, die in dem Signalpfad angeordnet sind, wobei jeder Richtkoppler mit einer justierbaren Impedanz verbunden ist, die die charakteristische Impedanz des Richtkopplers bestimmt; eine Steuerung, die eingerichtet ist, für jede von einer Mehrzahl von Impedanzen die justierbaren Impedanzen der Richtkoppler auf die Impedanz zu setzen; ein Rückflussdämpfungsschaltkreis, der eingerichtet ist, für jede von einer Mehrzahl von Impedanzen eine Rückflussdämpfung des Signalpfads zu ermitteln, wenn die justierbaren Impedanzen der Richtkoppler auf die Impedanz gesetzt sind; ein Lastimpedanzermittlungsschaltkreis, der eingerichtet ist, eine Lastimpedanz des Signalpfads basierend auf den ermittelten Rückflussdämpfungen zu ermitteln.
Abstract:
Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine verstellbare Kapazitätsschaltung einen ersten Zweig umfassend mehrere Transistoren mit in Reihe mit einem ersten Kondensator gekoppelten Lastwegen. Ein Verfahren zum Betreiben der verstellbaren Kapazitätsschaltung beinhaltet das Programmieren einer Kapazität durch selektives Einschalten und Ausschalten einzelner der mehreren Transistoren, wobei der Lastweg jedes Transistors der mehreren Transistoren resistiv ist, wenn der Transistor eingeschaltet ist, und kapazitiv ist, wenn der Transistor ausgeschaltet ist.
Abstract:
Ein CMOS-Kaskodenverstärker umfasst eine Kaskodenschaltung, die mehrere parallele Zweige umfasst, wobei jeder Zweig einen ersten Transistor und einen zweiten schaltbaren, in Reihe verbundenen Transistor umfasst, die ein Kaskodenpaar bilden, wobei die Kaskodenschaltung zum Verstärken eines Eingangssignals ausgelegt ist. Der CMOS-Kaskodenverstärker umfasst weiterhin eine Biasschaltung, die dazu ausgelegt ist, die Kaskodenschaltung vorzuspannen, indem dem ersten Transistor in jedem der mehreren Zweige in der Kaskodenschaltung ein Biassignal bereitgestellt wird. Zusätzlich umfasst der CMOS-Kaskodenverstärker eine Schaltsteuerschaltung, die dazu ausgelegt ist, einen Ruhestrom in der Kaskodenschaltung auf Basis von selektivem Aktivieren der mehreren Zweige zu steuern, indem ein Schaltsteuersignal bereitgestellt wird, das den zweiten schaltbaren Transistor in dem einen oder den mehreren aktivierten Zweigen einschaltet.