High-frequency switching circuit
    2.
    发明专利
    High-frequency switching circuit 有权
    高频开关电路

    公开(公告)号:JP2013240095A

    公开(公告)日:2013-11-28

    申请号:JP2013142817

    申请日:2013-07-08

    CPC classification number: H02M3/07 H03K17/161 H03K17/6871 H03K2217/0018

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency switch with a good balance between intermodulation characteristics and current consumption.SOLUTION: A high-frequency switching circuit comprises a first high-frequency switching transistor 710a, and a second high-frequency switching transistor 710b. A second channel terminal 716a of the first high-frequency switching transistor 710a is coupled to a potential node 730 via a channel resistor 720. A second channel terminal 716b of the second high-frequency switching transistor 710b is coupled to the potential node 730. The high-frequency switching circuit is configured to selectively keep the potential node 730 either at a predetermined potential or in a floating state.

    Abstract translation: 要解决的问题:提供在互调特性和电流消耗之间具有良好平衡的高频开关。解决方案:高频开关电路包括第一高频开关晶体管710a和第二高频开关晶体管710b 。 第一高频开关晶体管710a的第二通道端子716a经由通道电阻器720耦合到电位节点730.第二高频开关晶体管710b的第二通道端子716b耦合到电位节点730。 高频开关电路被配置为选择性地将电位节点730保持在预定电位或浮置状态。

    High-frequency switching circuit
    3.
    发明专利
    High-frequency switching circuit 有权
    高频开关电路

    公开(公告)号:JP2011193449A

    公开(公告)日:2011-09-29

    申请号:JP2011029008

    申请日:2011-02-14

    CPC classification number: H02M3/07 H03K17/161 H03K17/6871 H03K2217/0018

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cellular phone having a high-frequency switching circuit having good balance between intermodulation characteristics and current consumption. SOLUTION: The high-frequency switching circuit 100 includes a high-frequency switching transistor 110. In the high-frequency switching circuit, a high-frequency signal-path extends via a channel-path of the high-frequency switching transistor. The high-frequency switching circuit includes a control circuit 120. The control circuit 120 applies at least two different bias potentials to a substrate 130 of the high-frequency switching transistor, depending on a control signal 140 received by the control circuit. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题:提供具有在互调特性和电流消耗之间具有良好平衡的高频开关电路的蜂窝电话。 解决方案:高频开关电路100包括高频开关晶体管110.在高频开关电路中,高频信号路径经由高频开关晶体管的沟道路径延伸。 高频开关电路包括控制电路120.根据由控制电路接收的控制信号140,控制电路120向高频开关晶体管的衬底130施加至少两个不同的偏置电位。 版权所有(C)2011,JPO&INPIT

    Integrated power amplifier structure
    4.
    发明专利
    Integrated power amplifier structure 有权
    集成功率放大器结构

    公开(公告)号:JP2005110283A

    公开(公告)日:2005-04-21

    申请号:JP2004287938

    申请日:2004-09-30

    CPC classification number: H03F1/565 H03F1/0261 H03F1/32 H03F3/195 H03F3/211

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-stage integrated power amplifier structure that improves amplifier efficiency and linearity.
    SOLUTION: The integrated power amplifier structure comprises a matched filter (6) including integrated capacitance, namely branched capacitance (13) and inductance (12) which performs impedance conversion between an input transistor (1) and an output transistor (2). The integrated power amplifier structure is adapted to form the inductance (12) of the matched filter (6) as a microstrip conductor. Thus, a linearity coefficient of the inductance (12) is remarkably increased, and the linearity and efficiency of the integrated power amplifier structure are improved. This configuration particularly has an advantage of being used in an integrated transmission structure.
    COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种提高放大器效率和线性度的多级集成功率放大器结构。 集成功率放大器结构包括包括集成电容的匹配滤波器(6),即在输入晶体管(1)和输出晶体管(2)之间执行阻抗转换的分支电容(13)和电感(12) 。 集成功率放大器结构适于形成作为微带导体的匹配滤波器(6)的电感(12)。 因此,电感(12)的线性系数显着增加,并且提高了集成功率放大器结构的线性度和效率。 该结构特别具有用于集成传输结构的优点。 版权所有(C)2005,JPO&NCIPI

    High-frequency switching circuit and method for determining power of high-frequency signal
    5.
    发明专利
    High-frequency switching circuit and method for determining power of high-frequency signal 有权
    高频切换电路及其确定高频信号功率的方法

    公开(公告)号:JP2011193448A

    公开(公告)日:2011-09-29

    申请号:JP2011029001

    申请日:2011-02-14

    CPC classification number: H04B1/48

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency switching circuit for obtaining highly accurate impedance matching over a wide range frequency band. SOLUTION: The high-frequency switching element 110 has a first channel terminal 120 and a second channel terminal 130, wherein a high-frequency signal 140 is switchably routed via a channel path 150 between the first channel terminal and the second channel terminal. The high-frequency switching circuit 100 further includes a power detection circuit 160. The power detection circuit is configured to obtain a first measurement signal 170 from the first channel terminal and a second measurement signal 180 from the second channel terminal, and to combine the first measurement signal and the second measurement signal to derive, on the basis of both the first measurement signal and the second measurement signal, a power signal 190 describing a power value of the high-frequency signal routed via the channel path of the high-frequency switching element. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种用于在宽范围频带上获得高精度阻抗匹配的高频开关电路。 解决方案:高频开关元件110具有第一通道端子120和第二通道端子130,其中高频信号140经由第一通道端子和第二通道端子之间的通道路径150可切换地路由 。 高频开关电路100还包括功率检测电路160.功率检测电路被配置为从第一通道端子获得第一测量信号170,并且从第二通道端子获得第二测量信号180,并且将第一测量信号 测量信号和第二测量信号,基于第一测量信号和第二测量信号,导出描述经由高频切换的信道路径路由的高频信号的功率值的功率信号190 元件。 版权所有(C)2011,JPO&INPIT

    Einstellbares Impedanzanpassungsnetz

    公开(公告)号:DE102013202124B4

    公开(公告)日:2021-05-06

    申请号:DE102013202124

    申请日:2013-02-08

    Abstract: Impedanzanpassungsnetz, das Folgendes umfasst:einen ersten Anschluss (101);einen zweiten Anschluss (102);einen Referenzpotentialanschluss (103);einen ersten Nebenschlusszweig (171) zwischen dem ersten Anschluss (101) und dem Referenzpotentialanschluss (103), wobei der erste Nebenschlusszweig (171) ein kapazitives Element umfasst;einen zweiten Nebenschlusszweig (172) zwischen dem zweiten Anschluss (102) und dem Referenzpotentialanschluss (103), wobei der zweite Nebenschlusszweig (172) ein induktives Element umfasst; undeinen Übertragungsleitungstransformator (120) mit einem ersten Induktorpfad (121) und einem zweiten Induktorpfad (122), wobei der erste Induktorpfad (121) den ersten Anschluss (101) und den zweiten Anschluss (102) verbindet.

    KOMMUNIKATIONSVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM ERMITTELN EINER LASTIMPEDANZ

    公开(公告)号:DE102016110363A1

    公开(公告)日:2017-12-07

    申请号:DE102016110363

    申请日:2016-06-06

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform wird eine Kommunikationsvorrichtung beschrieben, die eine Antenne, einen Signalpfad zum Bereitstellen eines Signals an eine Antenne, zwei Richtkoppler, die in dem Signalpfad angeordnet sind, wobei jeder Richtkoppler mit einer justierbaren Impedanz verbunden ist, die die charakteristische Impedanz des Richtkopplers bestimmt; eine Steuerung, die eingerichtet ist, für jede von einer Mehrzahl von Impedanzen die justierbaren Impedanzen der Richtkoppler auf die Impedanz zu setzen; ein Rückflussdämpfungsschaltkreis, der eingerichtet ist, für jede von einer Mehrzahl von Impedanzen eine Rückflussdämpfung des Signalpfads zu ermitteln, wenn die justierbaren Impedanzen der Richtkoppler auf die Impedanz gesetzt sind; ein Lastimpedanzermittlungsschaltkreis, der eingerichtet ist, eine Lastimpedanz des Signalpfads basierend auf den ermittelten Rückflussdämpfungen zu ermitteln.

    System und Verfahren für eine schaltbare Kapazität

    公开(公告)号:DE102016125768A1

    公开(公告)日:2017-06-29

    申请号:DE102016125768

    申请日:2016-12-28

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine verstellbare Kapazitätsschaltung einen ersten Zweig umfassend mehrere Transistoren mit in Reihe mit einem ersten Kondensator gekoppelten Lastwegen. Ein Verfahren zum Betreiben der verstellbaren Kapazitätsschaltung beinhaltet das Programmieren einer Kapazität durch selektives Einschalten und Ausschalten einzelner der mehreren Transistoren, wobei der Lastweg jedes Transistors der mehreren Transistoren resistiv ist, wenn der Transistor eingeschaltet ist, und kapazitiv ist, wenn der Transistor ausgeschaltet ist.

    STEUERUNG FÜR OPTIMALEN STROM FÜR CMOS-KASKODENVERSTÄRKER

    公开(公告)号:DE102016221644A1

    公开(公告)日:2017-05-04

    申请号:DE102016221644

    申请日:2016-11-04

    Abstract: Ein CMOS-Kaskodenverstärker umfasst eine Kaskodenschaltung, die mehrere parallele Zweige umfasst, wobei jeder Zweig einen ersten Transistor und einen zweiten schaltbaren, in Reihe verbundenen Transistor umfasst, die ein Kaskodenpaar bilden, wobei die Kaskodenschaltung zum Verstärken eines Eingangssignals ausgelegt ist. Der CMOS-Kaskodenverstärker umfasst weiterhin eine Biasschaltung, die dazu ausgelegt ist, die Kaskodenschaltung vorzuspannen, indem dem ersten Transistor in jedem der mehreren Zweige in der Kaskodenschaltung ein Biassignal bereitgestellt wird. Zusätzlich umfasst der CMOS-Kaskodenverstärker eine Schaltsteuerschaltung, die dazu ausgelegt ist, einen Ruhestrom in der Kaskodenschaltung auf Basis von selektivem Aktivieren der mehreren Zweige zu steuern, indem ein Schaltsteuersignal bereitgestellt wird, das den zweiten schaltbaren Transistor in dem einen oder den mehreren aktivierten Zweigen einschaltet.

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