-
公开(公告)号：KR20180016954A
公开(公告)日：2018-02-20
申请号：KR20170099383
申请日：2017-08-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： GERBER VIKTOR , SIMBUERGER WERNER , SOLOMKO VALENTYN
IPC: G01R29/08
Abstract: 일실시예에따라, 전자기파의전력을 DC 전압신호로변환하는장치가개시되고, 장치는전자기파를수신하는신호입력영역과, DC 전압신호를제공하는신호출력영역과, 제 1 변환디바이스를포함하되, 제 1 변환디바이스는적어도제 1 전계효과트랜지스터요소와신호출력영역에전기적으로연결된제 2 전계효과트랜지스터요소를포함하며, 제 2 전계효과트랜지스터요소는제 1 전계효과트랜지스터요소와직렬연결되도록구성된다. 본실시예에따라, 장치는적어도하나의제 1 신호입력영역과전기적으로연결된적어도하나의제 1 용량요소를더 포함하며, 제 1 변환디바이스는전자기파의적어도하나의고조파를회피하기위해구성된다.
Abstract translation: 根据一个实施例，公开了一种用于将电磁波的电功率转换成DC电压信号的设备，该设备包括用于接收电磁波的信号输入区域，用于提供DC电压信号的信号输出区域， 以及第一转换装置，并且所述第一转换装置包括至少第一场效应晶体管元件和电耦合到所述信号输出区域的第二场效应晶体管元件，所述第二场效应晶体管元件被配置用于 串联耦合到第一场效应晶体管元件。 根据该实施例，该装置还包括至少一个电耦合到信号输入区域的第一电容元件，第一转换器件被配置为避免电磁波的至少一个谐波。
-
公开(公告)号：KR20180020111A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：KR20170104113
申请日：2017-08-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BAKALSKI WINFRIED , SIMBUERGER WERNER , STELTENPOHL ANTON , TADDIKEN HANS
IPC: H03F3/345 , H01L27/088 , H03F1/26
CPC classification number: G05F3/205 , H01L27/0629 , H01L27/0922 , H01L29/0615 , H01L29/1029 , H03G1/007
Abstract: 집적회로(200)는기판, 증폭기 MOSFET(100) 및바이어스전압단자를포함한다. 바이어스전압단자는증폭기 MOSFET(100)의적어도하나의부하단자에대한기판의전위차를생성하도록구성된다. 기판의저항력은적어도 0.3kohm cm이다. 전위차는 -3V 이상의마이너스이다. 따라서, 예시에서, 특히무선주파수신호에대한저 잡음증폭기를구현하는것이가능하다.
Abstract translation: 根据一个实施例，集成电路包括衬底，放大器MOSFET和偏置电压端子，偏置电压端子被配置为相对于放大器MOSFET的至少一个负载端子产生衬底的电势差。
-
公开(公告)号：WO03094339A2
公开(公告)日：2003-11-13
申请号：PCT/DE0301204
申请日：2003-04-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , LANGENBERG JOERG , LIEBERMANN THOMAS , SIMBUERGER WERNER , TIEBOUT MARC , WOHLMUTH HANS-DIETER
Inventor： LANGENBERG JOERG , LIEBERMANN THOMAS , SIMBUERGER WERNER , TIEBOUT MARC , WOHLMUTH HANS-DIETER
CPC classification number: H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1483 , H03D2200/0043
Abstract: Disclosed is an integrated circuit (100) comprising a mixer circuit and a transformer (101). Said mixer circuit is provided with an active mixer unit (102), a signal-amplifying unit (103), two reference oscillator connections (LO+, LO-), two high-frequency connections (RF+, RF-), and two intermediate-frequency connections (IF+, IF-). The inventive integrated circuit (100) is arranged such that the transformer (101) galvanically isolates the two high-frequency connections (RF+, RF-) from the active mixer unit (102).<>
Abstract translation: 一种集成电路（100）包括混频器电路和一个变压器（101），其中，所述混频器电路（有源混频器单元（102）与信号放大单元（103），两个参考振荡器端子（LO +，LO-），两个射频端子 RF +，RF-）和两个中频端子（IF +，IF-），并且其中，所述集成电路（100）被布置成使得所述变压器（101），从所述有源混频器单元在两个射频终端（RF +，RF-） （102）是电绝缘。
-
公开(公告)号：WO02099845A3
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：PCT/DE0202026
申请日：2002-06-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , HOENLEIN WOLFGANG , KLOSE HELMUT , KREUPL FRANZ , SIMBUERGER WERNER
Inventor： HOENLEIN WOLFGANG , KLOSE HELMUT , KREUPL FRANZ , SIMBUERGER WERNER
IPC: H01L25/18 , H01L21/60 , H01L23/485 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L23/498 , C01B31/02 , H05K3/32 , H05K3/40
CPC classification number: H01L25/0657 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G01R31/2884 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05657 , H01L2224/0566 , H01L2224/13019 , H01L2224/13023 , H01L2224/13078 , H01L2224/13099 , H01L2224/13193 , H01L2224/16145 , H01L2224/81065 , H01L2224/81097 , H01L2224/81191 , H01L2224/81424 , H01L2224/81447 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01072 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05099 , H01L2224/05599 , H01L2224/05552
Abstract: A plurality of nanotubes is mounted on at least one external metallic chip contact of the electronic chip for contacting said electronic chip with an additional electronic chip.
Abstract translation: 在电子芯片中的至少一个外部片金属接触多个纳米管被应用于电子芯片与另外的电子芯片接触。
-
公开(公告)号：DE102018010355A1
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：DE102018010355
申请日：2018-09-25
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SIMBUERGER WERNER , SCHITTLER NEVES EDUARDO , WIESBAUER ANDREAS
Abstract: Vorrichtung, umfassend ein MEMS-Sensormodul und eine leitfähige Käfigstruktur. Die leitfähige Käfigstruktur kann das MEMS-Sensormodul umschließen, um ein Eindringen von elektro-magnetischer Störstrahlung mit einer Störwellenlänge λin die leitfähige Käfigstruktur zu unterdrücken, und die leitfähige Käfigstruktur kann von dem MEMS-Sensormodul thermisch isoliert angeordnet sein. Zudem kann die Vorrichtung zumindest eine Verbindungsleitung umfassen. Die zumindest eine Verbindungsleitung kann an das MEMS-Sensormodul angeschlossen sein und mittels eines kapazitiven Elements durch die leitfähige Käfigstruktur geführt sein.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102017101498A1
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：DE102017101498
申请日：2017-01-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： WIESBAUER ANDREAS , SIMBUERGER WERNER , STRÄUSSNIGG DIETMAR , KRUMBEIN ULRICH
Abstract: Es werden ein Sensor-Schaltkreis und ein Verfahren zum Kompensieren von Temperaturänderungen bereitgestellt. Der Sensor-Schaltkreis weist auf: mindestens einen Sensor zum Ermitteln einer Messgröße, eine Heizstruktur, mindestens einen Kompensations-Schaltkreis, wobei der Kompensations-Schaltkreis eingerichtet ist, eine Information über eine Temperaturänderung in einer Umgebung des Sensors zu erfassen, und basierend auf der Information mittels Ansteuerns der Heizstruktur einer Temperaturänderung in dem Sensor entgegenzuwirken.
-
公开(公告)号：DE102012104761B4
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：DE102012104761
申请日：2012-06-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HIN TZE YANG , MARTENS STEFAN , SIMBUERGER WERNER , WIETSCHORKE HELMUT , THEUSS HORST , SEE BENG KEH , KRUMBEIN ULRICH
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Anordnen eines Wafers (100) auf einem Träger (200), wobei der Wafer vereinzelte Chips (110) umfasst; Bonden der vereinzelten Chips an einen Support-Wafer (300) und Entfernen des Trägers, wobei die vereinzelten Chips durch Abstandshalter (115) voneinander beabstandet sind.
-
公开(公告)号：DE102006023123B4
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：DE102006023123
申请日：2006-05-16
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BEER GOTTFRIED , SIMBUERGER WERNER , KIENMAYER CHRISTOPH , PRESSEL KLAUS
-
公开(公告)号：DE50015320D1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：DE50015320
申请日：2000-11-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SIMBUERGER WERNER , WILHELM WILHELM , WEGER PETER
Abstract: According to the invention, the high-frequency power amplifier is characterised in that the power transistor is switched in such a way that said transistor is operated in the breakdown region and that a control loop is provided. Charge carriers that are produced is the breakdown region are carried away from an output of the operational amplifier by means of said control loop.
-
公开(公告)号：DE10259338A1
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：DE10259338
申请日：2002-12-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BAKALSKI WINFRIED , SIMBUERGER WERNER , KNAPP HERBERT , WOHLMUTH HANS-DIETER
Abstract: The amplifier circuit (101) receives a single-ended input signal (103, 104) and supplies an amplified balanced output to an on-chip LC balun circuit (102). The balun circuit presents a definable impedance to the output of the amplifier and acts as a matching network for the amplifier output terminal (105). A capacitor (137) is preferably included in the output circuit as a DC blocking device. An Independent claim is included for mobile radio equipment using a monolithic integrated circuit amplifier circuit arrangement according to the invention.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.023 seconds)
