公开(公告)号：JP2009044152A

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：JP2008202787

申请日：2008-08-06

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： BAYERER REINHOLD

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/12 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/053 ,  H05K3/4061 ,  H05K3/44 ,  H05K3/4614 ,  H05K3/462 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4641 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0379 ,  H05K2201/09554 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2224/83205

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate which is not easily curved and is excellent in heat radiation efficiency, and to provide a power semiconductor module. SOLUTION: The power semiconductor module 1 is disclosed. One embodiment includes the multilayer substrate 3 having a plurality of metal layers 11, 12 and 13 and a plurality of ceramic layers 21 and 22, where the ceramic layers are located between the metal layers. The power semiconductor module 1 may be pressed directly against a heat sink 9 with the multilayer substrate 3 ahead. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供不容易弯曲并且散热效率优异的基板，并提供功率半导体模块。 解决方案：公开了功率半导体模块1。 一个实施例包括具有多个金属层11,12和13的多层基板3和多个陶瓷层21和22，其中陶瓷层位于金属层之间。 功率半导体模块1可以在多层基板3前方直接压靠在散热器9上。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007187667A

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：JP2007005374

申请日：2007-01-15

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  THOBEN MARKUS

IPC: G01R19/00 ,  G01K7/00 ,  H02M1/00 ,  H02M7/5387

CPC classification number: G01R19/0092 ,  G01K7/30 ,  H01L23/34 ,  H01L24/34 ,  H01L27/0248 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a current/temperature measurement method and a current/temperature measuring device in an electronic power circuit. SOLUTION: In the current/temperature measurement method, parasitic components R1, R2, such as a half-bridge circuit (HB) in a three-phase converter, are used. First, a measurement value obtained inaccurately from the parasitic components R1, R2 is compensated during a manufacturing process, such as an electrical final inspection in an electronic power circuit, regarding the current/temperature dependency or voltage dependency of the components. An evaluation process performed during operation includes a process for compensating the temperature or current dependency in the sensor components R1, R2 by using two mutually, linearly, independent measurements and appropriate arithmetic operation in an evaluation unit AE. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：在电子电路中提供电流/温度测量方法和电流/温度测量装置。 解决方案：在电流/温度测量方法中，使用三相转换器中的半桥电路（HB）等寄生元件R1，R2。 首先，关于寄生元件R1，R2不准确地获得的测量值在制造过程中被补偿，例如电子电路中的电气最终检查，关于元件的当前/温度依赖性或电压依赖性。 在操作中执行的评估过程包括通过在评估单元AE中使用两个相互，线性独立的测量和适当的算术运算来补偿传感器组件R1，R2中的温度或电流依赖性的过程。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：WO2006087065A3

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：PCT/EP2006000457

申请日：2006-01-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  BAYERER REINHOLD ,  THOBEN MARKUS

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  THOBEN MARKUS

IPC: H01L25/07

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L24/24 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/82 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/37099

Abstract: The invention relates to a power semiconductor assembly comprising a support (50), a first semiconductor chip (10) and a second semiconductor chip (20). The first semiconductor chip (10) has a first main connection (11) and a second main connection (12) that are disposed on opposite sides of the first semiconductor chip (10). The second semiconductor chip (20) has a first main connection (21) and a second main connection (22) that are disposed on opposite sides of the second semiconductor chip (20). The first side (51) of the carrier (50) is provided with a metallized structure (60) that has a first section (61) and a spaced-apart second section (62). The first semiconductor chip (10) is disposed on the first side (51) of the carrier (50) and is mechanically and electrically connected to the first section (61) via its second main connection (12). The second semiconductor chip (20) is disposed on the first side (51) of the carrier (50) and is mechanically and electrically connected to the second section (62) via its second main connection (22). The first connection (11) of the semiconductor chip (10) and the first main connection (21) of the second semiconductor chip (20) are electrically connected to each other and to a first connection contact (71) provided for connecting an external load (100) or an external supply voltage.

Abstract translation: 本发明涉及与载体（50），第一半导体芯片（10）和第二半导体芯片（20）的功率半导体器件。 这里，第一主端子（11）和第二主端子（12），其被布置在第一半导体芯片（10）的相对侧上的第一半导体芯片（10）。 第二半导体芯片（20）具有一个第一主端子（21）和第二主端子（22），其被布置在第二半导体芯片（20）的相对两侧。 该载体（50）的第一侧（51）上设置有结构化的金属化（60）具有第一部分（61）和由其（62）间隔开的第二部分。 在第一半导体芯片（10）被布置在所述载体（50）的第一侧（51），并通过它的第二主端子（12）机械地和导电地连接到所述第一部分（61）的装置。 第二半导体芯片（20）被布置在所述载体（50）的第一侧（51）和通过它的第二主端子（22）机械地和导电地连接到所述第二部分（62）的装置。 在第一半导体芯片（10）和第二半导体芯片（20）的第一主端子（21）的第一主端子（11）被提供给彼此和一个外部负载（100）或外部电源第一端子触点（71）的连接导电 互联。

公开(公告)号：WO2006056555A3

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：PCT/EP2005056078

申请日：2005-11-18

Applicant: SIEMENS AG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  BAUDELOT ERIC ,  BAYERER REINHOLD ,  KENNEY RICHARD ,  LEIBOLD HERBERT ,  THOMPSON KENNETH

Inventor： BAUDELOT ERIC ,  BAYERER REINHOLD ,  KENNEY RICHARD ,  LEIBOLD HERBERT ,  THOMPSON KENNETH

IPC: H01L25/07

CPC classification number: H01L25/074 ,  H01L24/24 ,  H01L24/72 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267

Abstract: The invention relates to a power converter arrangement (1) comprising at least one power converter (2) and at least one power converter housing (3), the power converter having a power component (21) with at least one power semiconductor element (22) and the power converter housing having an interior space (31) inside of which the power semiconductor element of the power component of the power converter is placed. At least one additional power component (81) of the power converter is placed in the interior space of the power converter housing, and an electric contact surface of the power semiconductor element and the additional power component of the power converter are electrically insulated from one another with the aid of an electrical insulation film (7) placed on said power semiconductor element. The power component is, for example, a power circuit breaker. The power circuit breaker is placed inside the power converter housing in an unhoused manner. An encapsulation of the power circuit breaker with silicone is unnecessary. This results in a simple and compact design.

Abstract translation: 本发明涉及一种功率转换器装置（1）具有至少一个功率转换器（2）和至少一个功率转换器壳体（3），其中，所述转换器包括具有至少一个功率半导体部件（22）上的功率组件（21），所述转换器壳体具有内部空间（31），在 其中，所述转换器的功率分量的功率半导体部件设置，所述功率转换器中的至少一个其它动力部件（81）由布置在所述功率半导体部件的电绝缘膜的装置，被布置在所述转换器壳体和所述功率半导体部件的电接触表面和所述转换器的其它电源部件的内部（7），其电 彼此隔离。 性能部件，例如断路器。 电源开关被置于不带外壳中的转换器壳体中。 用硅酮的断路器的铸造是没有必要的。 其结果是一个简单而紧凑的结构。

公开(公告)号：DE102009002065B4

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE102009002065

申请日：2009-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  GOERLICH JENS ,  GUTH KARSTEN ,  HOHLFELD OLAF

IPC: B23K35/28 ,  B23K35/26 ,  H01L23/488

Abstract: Lot umfassend ein Weichlot mit einem Schmelzpunkt von weniger als 450°C, in das eine Anzahl von Teilchen (408) eingebettet ist, die jeweils eine Länge (l408) größer 50 µm aufweisen und die in ihrer Gesamtheit einen Anteil von mindestens 20 Vol% aber von weniger als 60 Vol% des Lotes (600) ausmachen, wobei die Teilchen (408) aus einer intermetallischen Phase gebildet oder mit einer intermetallischen Phase beschichtet sind.

公开(公告)号：DE102016111449A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102016111449

申请日：2016-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  NORLING KARL

IPC: H03K17/16

Abstract: Eine Schaltung und ein Verfahren zum Ansteuern eines Leistungshalbleiterbauelements enthalten das Empfangen und Verarbeiten eines Steuersignals, um ein verarbeitetes Steuersignal bereitzustellen, das Auswerten von zumindest eines von einer Spannung über Laststrecke des Leistungshalbleiters und einem Strom durch die Laststrecke des Leistungshalbleiters, Bereistellen zumindest eines analogen Rückkopplungssignals, das zumindest eines von der Spannung über der Laststrecke des Leistungshalbleiters und dem Strom durch die Laststrecke des Leistungshalbleiters repräsentiert, Auswerten zumindest von einem von der Spannung über der Laststrecke des Leistungshalbleiters und dem Strom durch die Laststrecke des Leistungshalbleiters, Bereitstellen zumindest eines digitalen Rückkopplungssignals, das zumindest eines von der Spannung über der Laststrecke des Leistungshalbleiters und dem Strom durch die Laststrecke des Leistungshalbleiters repräsentiert, und Erzeugen von zumindest eines von einem Steuerungsausgangsstrom oder einer Steuerungsausgangsspannung abhängig von dem verarbeiteten Steuersignal, dem zumindest einen analogen Rückkopplungssignal und dem zumindest einen digitalen Rückkopplungssignal.

公开(公告)号：DE102009026479B4

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：DE102009026479

申请日：2009-05-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DOMES DANIEL ,  BAYERER REINHOLD

IPC: H01L23/66 ,  H01F27/42 ,  H01L25/16 ,  H01P3/08 ,  H02M7/00

Abstract: Leistungshalbleitermodul, das aufweist: ein Zwischenkreiskondensator (CDC) zur Glättung einer gleichgerichteten Eingangs-Wechselspannung (VDC), zumindest ein Leistungshalbleiterbauelement (40), und zumindest einem Bandleiterpaar (101) mit einem ersten Bandleiter (101a) und einem zweiten Bandleiter (101b), das den Zwischenkreiskondensator (CDC) mit dem Leistungshalbleiterbauelement (40) verbindet, wobei der erste Bandleiter (101a) parallel zu dem zweiten Bandleiter (101b) liegt, die beiden Bandleiter (101a, 101b) durch eine dünne Isolationsschicht (102) getrennt sind und in entgegengesetzter Richtung Strom (iDC) führen, um die Streuinduktivität des Bandleiterpaars (101) zu reduzieren, gekennzeichnet durch ein transformatorisch an das Bandleiterpaar (101) gekoppeltes Dämpfungsglied (LD, RD), das zumindest eine Leiterschleife (LD) und einen in Serie zu der eine Leiterschleife (LD) geschalteten ohmschen Widerstand (RD) aufweist, wobei die Leiterschleife (LD) zumindest teilweise durch Öffnungen in dem ersten und/oder zweiten Bandleiter (101a, 101b) verläuft und derart angeordnet ist, dass sie von einem Magnetfeld durchsetzt wird, welches von einem Laststrom (iDC) durch das Bandleiterpaar (101) verursacht wird.

公开(公告)号：DE102013223184B4

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：DE102013223184

申请日：2013-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD

IPC: H03K17/00 ,  H03K17/567

Abstract: Eine Treiberschaltung umfasst eine Treiberausgangsstufe und einen Operationsverstärker. Die Treiberausgangsstufe weist einen High-Pegel-Spannungseingang und einen Low-Pegel-Spannungseingang auf und ist zum Erzeugen einer Ausgangsspannung ausgebildet, die auf eine an die Treiberausgangsstufe angelegte Gate-Spannung reagiert. Der Operationsverstärker ist zum Einstellen der an die Treiberausgangsstufe angelegten Gate-Spannung ausgebildet, so dass die Ausgangsspannung einem Steuersignal entspricht, das am Operationsverstärker eingegeben wird. Eine erste Versorgungsspannung, die mit dem High-Pegel-Spannungseingang der Treiberausgangsstufe verbunden ist, ist größer als ein Maximalwert des Steuersignals, und eine zweite Versorgungsspannung, die mit dem Low-Pegel-Spannungseingang der Treiberausgangsstufe verbunden ist, ist kleiner als ein Minimalwert des Steuersignals.

公开(公告)号：DE102014111931A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：DE102014111931

申请日：2014-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  BREKEL WALERI

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L25/18

Abstract: Eine Schaltungsanordnung weist eine Anzahl von wenigstens zwei Halbleiterchips (1) auf, die in einer Reihe (31) hintereinander angeordnet sind. Eine jeder der Halbleiterchips (1) weist einen Halbleiterkörper (10) auf, sowie einen ersten und einen zweiten Lastanschluss (11, 12). Die ersten Lastanschlüsse (11) sind elektrisch leitend miteinander verbunden, und die zweiten Lastanschlüsse (12) sind ebenfalls elektrisch leitend miteinander verbunden. Die Anordnung weist weiterhin eine erste Laststrom-Sammelleiterbahn (71) auf, sowie einen mit dieser elektrisch leitend verbundenen externen Anschluss (101). Für jeden der Halbleiterchips (1) ist wenigstens ein elektrischer Verbindungsleiter (4) vorhanden, der an einer ersten Verbindungsstelle (41) mit dem ersten Lastanschluss (11) des betreffenden Halbleiterchips (1) elektrisch leitend verbunden ist, sowie an einer zweiten Verbindungsstelle (42) mit der ersten Laststrom-Sammelleiterbahn (71). Für jeden ersten und zweiten der Halbleiterchips (1), deren zweite Verbindungsstellen (42) entlang der ersten Laststrom-Sammelleiterbahn (71) unmittelbar benachbarte sämtlicher zweiter Verbindungsstellen (42) bilden und die so zueinander angeordnet sind, dass sich die zweite Verbindungsstelle (421, 422, 423) des ersten der Halbleiterchips (11, 12, 13) entlang der ersten Laststrom-Sammelleiterbahn (71) zwischen der zweiten Verbindungsstelle (422, 423, 424) des zweiten der Halbleiterchips (12, 13, 14) und dem externen Anschluss (101) befindet, weist die Gesamt-Induktivität (L2, L3, L4) sämtlicher Verbindungsleiter (4), mit denen der erste Lastanschluss (11) des zweiten der Halbleiterchips (12, 13, 14) an die erste Laststrom-Sammelleiterbahn (71) angeschlossen ist, wenigstens das Zweifache der Induktivität () auf, die der zwischen der zweiten Verbindungsstelle (421, 422, 423) des ersten der Halbleiterchips (11, 12, 13) und der zweiten Verbindungsstelle (422, 423, 424) des zweiten der Halbleiterchips (12, 13, 14) ausgebildete Abschnitt (71-2, 71-3, 71-4) der erste Laststrom-Sammelleiterbahn (71) besitzt.

公开(公告)号：DE102012222015A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE102012222015

申请日：2012-11-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD

IPC: H01L23/053 ,  H01L21/52 ,  H01L21/54 ,  H01L23/18

Abstract: Ein Halbleitermodul (100) umfasst ein Gehäuse (6) mit zwei Außenwandabschnitten (61), die an entgegengesetzten Seiten des Gehäuses (6) angeordnet sind, einen Deckel (62), der sich von einem der Außenwandabschnitte (61) zu dem anderen der Außenwandabschnitte (61) erstreckt, sowie eine zwischen den Außenwandabschnitten (61) angeordnete und von diesen beabstandete erste Schachtwand (63), die einen ersten Schacht (65) begrenzt. Weiterhin weist das Halbleitermodul (100) einen Schaltungsträger (20) mit einer Oberseite (201) auf, sowie einen Halbleiterchip (8), der in dem Gehäuse (6) und auf der Oberseite (201) des Schaltungsträgers (20) angeordnet ist. Ein elektrisch leitendes erstes Anschlusselement (91, 92) verläuft durch den ersten Schacht (65) und erstreckt sich aus dem Gehäuse (6) heraus. Zwischen dem Schaltungsträger (20) und dem Deckel (62) sowie teilweise zwischen dem ersten Anschlusselement (91, 92) und der ersten Schachtwand (63) befindet sich eine erste Vergussmasse (51), die den ersten Schacht (65) in Zusammenwirkung mit dem ersten Anschlusselement (91, 92) abdichtet. An ihrer dem Schaltungsträger (20) zugewandten Seite weist die erste Schachtwand (63) ein unteres Ende (631) auf, das in die erste Vergussmasse eintaucht (51). Weiterhin befindet sich zwischen der ersten Vergussmasse (51) und dem Deckel (62) sowie teilweise zwischen dem ersten Anschlusselement (91, 92) und der ersten Schachtwand (63) eine zweite Vergussmasse (52), die den ersten Schacht (65) in Zusammenwirkung mit dem ersten Anschlusselement (91, 92) abdichtet. In dem Gehäuse (6) sind außerdem ein oder mehrere Volumenbereiche (60) vorhanden, die jeweils unmittelbar an die erste Vergussmasse (51) angrenzen und mit Gas gefüllt sind.