公开(公告)号：DE102010044139B4

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102010044139

申请日：2010-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BITZER THOMAS ,  CAMPIDELL JOSEF ,  KITTNER HORST

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

Abstract: Verfahren zum Justieren von Strukturen eines Retikels mit Strukturen auf der Vorderseite eines Wafers (32) zum Zweck einer lithographischen Behandlung der Rückseite des Wafers (32), wobei der Wafer (32) für elektromagnetische Strahlung einer spezifischen Wellenlänge (λ) transparent ist, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Platzieren des Wafers (32) auf einem Wafertisch (18; 38) derart, dass die Vorderseite dem Wafertisch (18; 38) zugewandt ist und die Rückseite einer Justieroptik (37) zugewandt ist; Beleuchten der Rückseite des Wafers (32) mit elektromagnetischer Strahlung der spezifischen Wellenlänge (λ) bei einer Dunkelfeldkonfiguration, derart, dass sich die elektromagnetische Strahlung durch den Wafer (32) hin zu dreidimensionalen Strukturen einer an der Vorderseite oder in dem Wafer (32) befindlichen dreidimensionalen Justiermarke (35) ausbreitet und an den dreidimensionalen Strukturen gestreut wird; Erfassen der gestreuten elektromagnetischen Strahlung mit der Justieroptik (37) durch das Retikel hindurch; und Justieren des Retikels mit der Vorderseite des Wafers (32) auf der Basis der gestreuten elektromagnetischen Strahlung.

公开(公告)号：DE102010044139A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：DE102010044139

申请日：2010-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BITZER THOMAS ,  CAMPIDELL JOSEF ,  KITTNER HORST

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

Abstract: Strukturen einer Rückseite eines Wafers können zum Zweck einer lithographischen Behandlung der Rückseite mit Strukturen einer Vorderseite des Wafers justiert sein. Der Wafer ist transparent für elektromagnetische Strahlung einer spezifischen Wellenlänge. Der Wafer wird derart auf einem Wafertisch platziert, dass die Vorderseite dem Wafertisch zugewandt ist und die Rückseite einer Justieroptik zugewandt ist. Die Rückseite wird bei einer Dunkelfeldkonfiguration mit elektromagnetischer Strahlung der spezifischen Wellenlänge beleuchtet, so dass sich die elektromagnetische Strahlung durch den Wafer hindurch zu dreidimensionalen Strukturen einer an der Vorderseite des oder in dem Wafer befindlichen dreidimensionalen Justiermarke hin ausbreitet und an den dreidimensionalen Strukturen gestreut wir mit der Justieroptik erfasst, und die Rückseite wird auf der Basis der gestreuten elektromagnetischen Strahlung mit der Vorderseite des Wafers justiert.