公开(公告)号：DE102011081460A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102011081460

申请日：2011-08-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BJURSTROEM JOHAN ,  BLOM HANS-OLOF ,  KOLB STEFAN ,  RANGELOW IVO ,  WINKLER BERNHARD

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: Bei einigen Ausführungsbeispielen weist ein Verfahren zum Bilden einer Durchkontaktierung in einem Halbleiterelement das Bereitstellen eines Halbleiterelements mit einer elektronischen Schaltungsanordnung auf, die auf der Hauptseite desselben integriert ist; wobei das Halbleiterelement ferner eine Ätzstoppschicht und eine leitfähige Region aufweist, wobei die leitfähige Region zwischen der Ätzstoppschicht und der Hauptseite des Halbleiterelements angeordnet ist und ferner selektiv eine Durchkontaktierung von einer Rückseite des Halbleiterelements, gegenüberliegend zu der Hauptseite des Halbleiterelements, zu der Ätzstoppschicht ätzt und zumindest teilweise die Ätzstoppschicht entfernt, so dass die leitfähige Region zu der Rückseite freiliegend ist und die Durchkontaktierung zumindest teilweise mit einem leitfähigen Material füllt, wobei das leitfähige Material elektrisch von dem Halbleiterelement isoliert ist.