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公开(公告)号：DE102009055389B4
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：DE102009055389
申请日：2009-12-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAUTZSCH THORALF , BINDER BORIS , FOESTE BERND , MEINHOLD DIRK , ROSAM BEN , THAMM ANDREAS , WINKLER BERNHARD
IPC: G01P15/08 , G01P15/125
Abstract: Halbleiterbauelement (106), das folgende Merkmale aufweist: ein Halbleitersubstrat (108); ein Halbleitermasseelement (112), das konfiguriert ist, um sich ansprechend auf eine ausgeübte Beschleunigung zu bewegen, wobei das Masseelement (112) durch Gräben, die in das Halbleitersubstrat (108) geätzt sind, und einen Hohlraum (110, 140) unter dem Masseelement (112) definiert ist; ein Erfassungselement, das konfiguriert ist, um eine Bewegung des Masseelements (112) zu erfassen; und eine Komplementärmetalloxidhalbleiterschaltung (CMOS-Schaltung), die auf dem Substrat (108) gebildet ist, wobei der Hohlraum (110, 140) eine erste Seitenwand (126), die einer ersten Seitenwand (128) des Masseelements (112) gegenüberliegt, und eine zweite, an die erste Seitenwand (126) angrenzende Seitenwand (130), die einer zweiten Seitenwand des Masseelements (112) gegenüberliegt, umfasst, wobei die Seitenwände (126, 128, 130) des Hohlraums (110, 140) und des Masseelements (112) eine Dotierung mit einer ersten Polarität aufweisen, wobei ein Abschnitt (124) des Bodens des Hohlraums (110) zwischen den ersten Seitenwänden (126, 128) des Hohlraums (110, 140) und des Masseelements (112) und eine Ecke (122) zwischen der ersten und zweiten Seitenwand (126, 130) des Hohlraums (110, 140) eine Dotierung mit einer zweiten, der ersten Polarität entgegengesetzten Polarität aufweisen, um die erste und zweite Seitenwand (126, 130) des Hohlraums (110, 140) elektrisch zu isolieren, und wobei das Erfassungselement Elektroden zum kapazitiven Erfassen der Bewegung des Masseelements (112) und Verbindungen (118, 120) zum Koppeln mit der CMOS-Schaltung (104) umfasst, wobei die Elektroden durch die gegenüberliegenden, dotierten ersten Seitenwände (126, 128) des Hohlraums (110, 140) und des Masseelements (112) gebildet sind, wobei eine erste (118) der Verbindungen (118, 120) die erste Seitenwand (126) des Hohlraums (110, 140) mit der CMOS-Schaltung (104) koppelt, und wobei eine zweite (120) der Verbindungen (118, 120) die zweite Seitenwand des Masseelements (112) mit der CMOS-Schaltung (104) koppelt.
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公开(公告)号：DE102011078937A1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：DE102011078937
申请日：2011-07-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LEUSCHNER RAINER , THEUSS HORST , WINKLER BERNHARD
Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf Integrierte-Schaltung-(IC-)Sensoren und Erfassungssysteme und -verfahren. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst ein IC-Sensorbauelement zumindest ein Erfassungselement; ein Rahmenelement, das auf einer Waferebene um das zumindest eine Erfassungselement herum angeordnet ist; und ein Gehäuse mit zumindest einer Öffnung, die durch das Rahmenelement auf der Waferebene vordefiniert ist, wobei die zumindest eine Öffnung konfiguriert ist, um zumindest einen Teil des zumindest einen Erfassungselements gegenüber einer Umgebung freizulegen.
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公开(公告)号：DE102009055389A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：DE102009055389
申请日：2009-12-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAUTZSCH THORALF , BINDER BORIS , FOESTE BERND , MEINHOLD DIRK , ROSAM BEN , THAMM ANDREAS , WINKLER BERNHARD
IPC: G01P15/08 , G01P15/125
Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat und ein Halbleitermasseelement, das konfiguriert ist, um sich ansprechend auf eine ausgeübte Beschleunigung zu bewegen. Das Masseelement ist durch Gräben definiert, die in das Halbleitersubstrat geätzt sind und einen Hohlraum unter dem Masseelement. Das Halbleiterbauelement umfasst ein Erfassungselement, das konfiguriert ist, um eine Bewegung des Masseelements zu erfassen und eine Komplementdie auf dem Substrat gebildet ist.
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公开(公告)号：DE102005010338A1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：DE102005010338
申请日：2005-03-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , CAESAR STIFTUNG
Inventor： SCHMITT STEPHAN , WINKLER BERNHARD , ZIMMER JUERGEN , WECKER JOACHIM , QUANDT ECKARD , RUEHRIG MANFRED
Abstract: The arrangement has a layer sequence including reference layers, separation layer and measurement layers (121-125) arranged one above the other. The measurement layers have magnetostriction constant different from zero, and a uni-axial magnetic anisotropy with anisotropy axis. Magnetization directions and anisotropy axis of the measurement layers have an angle more than zero and less than 90 degree with the force axis in rest condition. An independent claim is also included for a method for determining the force acting on a carrier of a force sensor.
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公开(公告)号：DE102015212669B4
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：DE102015212669
申请日：2015-07-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAUTZSCH THORALF , FROEHLICH HEIKO , VOGT MIRKO , STEGEMANN MAIK , WINKLER BERNHARD , RÖTH ANDRE , BIESELT STEFFEN
IPC: B81B7/02 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/125
Abstract: Eine schematische Veranschaulichung einer kapazitiven mikroelektromechanischen Vorrichtung 2 wird gezeigt. Die kapazitive mikroelektromechanische Vorrichtung 2 umfasst ein Halbleitersubstrat 4, eine Stützstruktur 6, ein Elektrodenelement 8, ein Federelement 10 und eine seismische Masse 12. Die Stützstruktur 6, beispielsweise eine Stange, eine Aufhängung oder ein Pfosten, ist fest mit dem Halbleitersubstrat 4 verbunden, welches Silizium umfassen kann. Das Elektrodenelement 8 ist fest mit der Stützstruktur 6 verbunden. Darüber hinaus ist die seismische Masse 12 über das Federelement 10 mit der Stützstruktur 6 verbunden, so dass die seismische Masse 12 in Bezug auf das Elektrodenelement 8 verschiebbar, auslenkbar oder beweglich ist. Darüber hinaus bilden die seismische Masse und das Elektrodenelement einen Kondensator mit einer Kapazität aus, welche von einer Verschiebung zwischen der seismischen Masse und dem Elektrodenelement abhängt.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102015212669A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：DE102015212669
申请日：2015-07-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： KAUTZSCH THORALF , FROEHLICH HEIKO , VOGT MIRKO , STEGEMANN MAIK , WINKLER BERNHARD , RÖTH ANDRE , BIESELT STEFFEN
IPC: B81B7/02 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/125
Abstract: Eine schematische Veranschaulichung einer kapazitiven mikroelektromechanischen Vorrichtung 2 wird gezeigt. Die kapazitive mikroelektromechanische Vorrichtung 2 umfasst ein Halbleitersubstrat 4, eine Stützstruktur 6, ein Elektrodenelement 8, ein Federelement 10 und eine seismische Masse 12. Die Stützstruktur 6, beispielsweise eine Stange, eine Aufhängung oder ein Pfosten, ist fest mit dem Halbleitersubstrat 4 verbunden, welches Silizium umfassen kann. Das Elektrodenelement 8 ist fest mit der Stützstruktur 6 verbunden. Darüber hinaus ist die seismische Masse 12 über das Federelement 10 mit der Stützstruktur 6 verbunden, so dass die seismische Masse 12 in Bezug auf das Elektrodenelement 8 verschiebbar, auslenkbar oder beweglich ist. Darüber hinaus bilden die seismische Masse und das Elektrodenelement einen Kondensator mit einer Kapazität aus, welche von einer Verschiebung zwischen der seismischen Masse und dem Elektrodenelement abhängt.
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公开(公告)号：DE102012206531A1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：DE102012206531
申请日：2012-04-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHREIBER KAI-ALEXANDER , BEHRENDT ANDREAS , SGOURIDIS SOKRATIS , WINKLER BERNHARD , ZGAGA MARTIN
IPC: B81C1/00 , B81B7/02 , H01L21/265
Abstract: Ein Verfahren zum Erzeugen zumindest einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats umfasst ein Trockenätzen des Halbleitersubstrats von einer Oberfläche des Halbleitersubstrats aus an zumindest einem beabsichtigten Kavitätsort um zumindest eine vorläufige Kavität zu erhalten. Das Verfahren umfasst auch ein Abscheiden eines Schutzmaterials hinsichtlich eines nachfolgenden Nassätzprozesses an der Oberfläche des Halbleitersubstrats und an Kavitätsoberflächen der zumindest einen vorläufigen Kavität. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Entfernen des Schutzmaterials zumindest an einem Abschnitt eines Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität um das Halbleitersubstrat freizulegen. Es folgt ein elektrochemisches Ätzen des Halbleitersubstrats an dem freigelegten Abschnitt des Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität. Ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Sensorsystem, bei dem diese Art der Kavitätenbildung eingesetzt wird, ist ebenfalls offenbart. Ferner ist ein entsprechendes mikroelektromechanisches System (MEMS) offenbart.
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公开(公告)号：DE102010000818A1
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：DE102010000818
申请日：2010-01-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： NAWAZ MOSHIN , SCHOEN FLORIAN , WINKLER BERNHARD
Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf MEMS-Bauelemente. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst ein mikroelektromechanisches-System-(MEMS-)Bauelement ein Resonatorelement mit einem Umfang, eine Ankerregion und eine Mehrzahl von Balkenelementen, die die Ankerregion und das Resonatorelement koppeln. Weitere Ausführungsbeispiele umfassen zusätzliche Bauelemente, Systeme und Verfahren.
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公开(公告)号：DE102005010338B4
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：DE102005010338
申请日：2005-03-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , CAESAR STIFTUNG
Inventor： SCHMITT STEPHAN , WINKLER BERNHARD , ZIMMER JUERGEN , WECKER JOACHIM , QUANDT ECKARD , RUEHRIG MANFRED
Abstract: The arrangement has a layer sequence including reference layers, separation layer and measurement layers (121-125) arranged one above the other. The measurement layers have magnetostriction constant different from zero, and a uni-axial magnetic anisotropy with anisotropy axis. Magnetization directions and anisotropy axis of the measurement layers have an angle more than zero and less than 90 degree with the force axis in rest condition. An independent claim is also included for a method for determining the force acting on a carrier of a force sensor.
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公开(公告)号：DE102005009390B3
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：DE102005009390
申请日：2005-03-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , CAESAR STIFTUNG
Inventor： SCHMITT STEPHAN , WINKLER BERNHARD , ZIMMER JUERGEN , WECKER JOACHIM , RUEHRIG MANFRED , QUANDT ECKHARD
Abstract: The sensor has a separation layer (21) between two neighboring arranged magnetic layers (11, 12). Each magnetic layer has a direction of magnetization (M1, M2, M3), where the directions of magnetization of two neighboring magnetic layers are aligned parallel due to ferromagnetic coupling (FM) or are aligned antiparallel due to antiferromagnetic coupling (AFM) in an ideal state of the magnetic layers. An independent claim is also included for a method of determining force acting on a force sensor.
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