公开(公告)号：DE102017128526B4

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：DE102017128526

申请日：2017-12-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： EBERL MATTHIAS ,  JOST FRANZ ,  KOLB STEFAN

IPC: G01M3/26 ,  G01M3/02 ,  G01M3/38 ,  G01N29/14

Abstract: System (100), umfassend:ein mit einem Gas (110) gefülltes Volumen (102);eine Gasanregeeinrichtung (104), die dazu ausgebildet ist, das Gas (110) innerhalb des Volumens (102) anzuregen;ein Mikrofon (106), das dazu ausgebildet und angeordnet ist, ein von dem durch die Gasanregeeinrichtung (104) angeregten Gas (110) abhängiges Mikrofonsignal (112) auszugeben; undeine Prüfeinheit (108), die derart ausgebildet ist, dass sie basierend auf dem Mikrofonsignal (112) eine Gasdichtheit des Volumens (102) prüft,wobei die Gasanregeeinrichtung (104) innerhalb des Volumens (102) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102012022829B4

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：DE102012022829

申请日：2012-11-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINDER BORIS ,  HELM TORSTEN ,  KAUTZSCH THORALF ,  KOLB STEFAN ,  PROBST MARC ,  RUDOLPH UWE

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01J5/00 ,  G01L9/06

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur, aufweisend:Ausbilden mehrerer erster Gräben (102) in einem Halbleitersubstrat (100),Ausbilden von mindestens einem zweiten Graben (104) in dem Halbleitersubstrat (100),derartiges Anwenden eines Migrationsprozesses, dass das Halbleitermaterial, das sich zwischen den ersten Gräben (100) befindet, derart migriert, dass sich eine fortlaufende Halbleiterschicht (112) und ein fortlaufender Hohlraum (111) ausbilden, wobei die fortlaufende Halbleiterschicht (112) im Wesentlichen parallel zu einer Hauptfläche des Halbleitersubstrats (100) verläuft und von dem darunterliegenden Teil des Halbleitersubstrats (100) in einer Richtung, die senkrecht zu der Hauptfläche (100a) verläuft, durch den fortlaufenden Hohlraum (111) getrennt ist, wobei der fortlaufende Hohlraum (111) mit mindestens einer ersten Öffnung (114) in der Halbleitersubstratoberfläche (100a) verbunden ist, wobei sich die erste Öffnung (114) nach dem Migrationsprozess aus dem zweiten Graben (104) ausbildet,Ausbilden einer ersten dielektrischen Schicht (116) zum Füllen von mindestens einem oberen Abschnitt der mindestens einen ersten Öffnung (114), während der Hohlraum (111) ungefüllt bleibt,Entfernen von Abschnitten der fortlaufenden Halbleiterschicht (112) zum Ausbilden von mindestens einer zweiten Öffnung (118), die die Halbleitersubstratoberfläche (100a) mit einem ungefüllten Bereich des Hohlraums (111) verbindet,und Füllen von mindestens einem oberen Abschnitt der mindestens einen zweiten Öffnung (118) mit einer zweiten dielektrischen Schicht (120), so dass der Hohlraum (111) versiegelt ist.

公开(公告)号：DE102016103646A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：DE102016103646

申请日：2016-03-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MUELLER THOMAS ,  THEUSS HORST ,  SCHALLER RAINER ,  KOLB STEFAN ,  ELIAN KLAUS

IPC: G01N21/17 ,  G01N21/61 ,  H01L25/16

Abstract: Der photoakustische Gassensor umfasst ein Substrat, eine Lichtemittereinheit, die durch das Substrat gestützt ist, wobei die Lichtemittereinheit einen Lichtemitter umfasst, der konfiguriert ist, ein Strahlenbündel von Lichtimpulsen mit einer vorgegebenen Wiederholungsfrequenz und einer vorgegebenen Wellenlänge, die einem Absorptionsband eines abzutastenden Gases entspricht, zu emittieren, und eine Detektoreinheit, die durch das Substrat gestützt ist, wobei die Detektoreinheit ein Mikrophon umfasst, wobei das Strahlenbündel von Lichtimpulsen einen Bereich durchquert, der vorgesehen ist, um das Gas aufzunehmen, wobei das Mikrophon ein Signal, das mit der Wiederholungsfrequenz schwingt, empfangen kann.

公开(公告)号：DE102015204637A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：DE102015204637

申请日：2015-03-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOLB STEFAN ,  ECKINGER MARKUS

IPC: H01L43/14 ,  H01L21/265 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06

Abstract: Verfahren zum Dotieren eines aktiven Hall-Effekt-Gebiets einer Hall-Effekt-Vorrichtung in einem Halbleitersubstrat umfasst das Ausbilden eines ersten Dotierungsprofils eines ersten Dotierungstyps in einem ersten Tiefengebiet des aktiven Hall-Effekt-Gebiets mittels einer ersten Implantation mit einem ersten Implantationsenergieniveau, das Ausbilden eines zweiten Dotierungsprofils des ersten Dotierungstyps in einem zweiten Tiefengebiet des aktiven Gebiets mittels einer zweiten Implantation mit einem zweiten Implantationsenergieniveau, und das Ausbilden eines Gesamt-Dotierungsprofils des aktiven Hall-Effekt-Gebiets durch Tempern des Halbleitersubstrats mit dem aktiven Hall-Effekt-Gebiet, welches das erste und das zweite Dotierungsprofil aufweist.

公开(公告)号：DE102011084024B4

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102011084024

申请日：2011-10-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BINDER BORIS ,  FOESTE BERND ,  KAUTZSCH THORALF ,  KOLB STEFAN ,  MÜLLER MARCO

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G01L9/00

Abstract: Verfahren zum Bereitstellen einer Halbleiterstruktur (100, 200), das folgende Schritte aufweist: Bilden einer Opferstruktur (110, 210) durch Ätzen einer Mehrzahl von Gräben (112, 212) von einer ersten Hauptoberfläche (103, 203) eines Substrats (102, 202), wobei die Opferstruktur (110, 210) eine oder mehrere Wände zwischen den Gräben (112, 212) aufweist; Abdecken der Mehrzahl von Gräben (112, 212) an der ersten Hauptoberfläche (103, 203) mit einem Abdeckungsmaterial (115, 215), um Hohlräume in dem Substrat (102, 202) zu definieren, so dass das Abdeckungsmaterial (115, 215) im Wesentlichen an der ersten Hauptoberfläche (103) des Substrats (102) bleibt, anstatt zu der Unterseite der Mehrzahl von Gräben (112, 212) zu fallen; Entfernen eines Teils des Substrats (102, 202) von einer zweiten Hauptoberfläche (104, 204) gegenüber der ersten Hauptoberfläche (103, 203) zu einer Tiefe, bei der die Mehrzahl von Gräben (112, 212) vorliegen; und Wegätzen der Opferstruktur (110, 210) durch Wegätzen der ein oder mehreren Wände von der zweiten Hauptoberfläche (104, 204) des Substrats (102, 202), so dass eine Ausnehmung (120, 220) mit einer Unterseite entsteht, die das Abdeckungsmaterial (115, 215) umfasst.

公开(公告)号：DE10206711A1

公开(公告)日：2003-08-28

申请号：DE10206711

申请日：2002-02-18

Applicant: SIEMENS AG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WINKLER BERNHARD ,  KOLB STEFAN ,  BRUCHHAUS RAINER ,  WERSING WOLFRAM

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: Micromechanical component comprises a hollow chamber (7) formed between a substrate (1) and a membrane. The membrane has a first layer (3) and a second layer (4), in which one layer has a mechanical tension opposing the other layer. An Independent claim is also included for a process for the production of the micromechanical component. Preferred Features: The membrane further comprises a third layer with a mechanical tension opposing the second layer. The second layer is surrounded by the first and third layers. The first layer is made from silicon nitride, the second layer from silicon oxide and the third layer from silicon nitride. A closure layer (8), preferably made from silicon oxide, encloses the hollow chamber.

公开(公告)号：DE102017126635B4

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：DE102017126635

申请日：2017-11-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： EBERL MATTHIAS ,  JOST FRANZ ,  KOLB STEFAN

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L33/48

Abstract: Mikroelektromechanisches Lichtemitterbauelement (100; 200) umfassend:eine Emitterschichtstruktur (110; 210) des mikroelektromechanischen Lichtemitterbauelements (100; 200); undeine induktive Struktur (120; 220) des mikroelektromechanischen Lichtemitterbauelements (100; 200), die, wenn ein Erregerstrom durch die induktive Struktur (120; 220) fließt, ausgebildet ist, um durch elektromagnetische Induktion Wirbelströme in der Emitterschichtstruktur (110; 210) zu induzieren, so dass die Emitterschichtstruktur (110; 210) Licht emittiert, wobei die Emitterschichtstruktur (110; 210) von der induktiven Struktur (120; 220) elektrisch isoliert ist.

公开(公告)号：DE102015114035B4

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：DE102015114035

申请日：2015-08-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOLB STEFAN ,  MEISER ANDREAS ,  SCHLOESSER TILL ,  WERNER WOLFGANG

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/20

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer MEMS-Vorrichtung, das umfasst:Ausbilden eines Halbleiterschichtstapels, wobei der Halbleiterschichtstapel zumindest eine erste monokristalline Halbleiterschicht (102), eine zweite monokristalline Halbleiterschicht (104) und eine dritte monokristalline Halbleiterschicht (106) umfasst, wobei die zweite monokristalline Halbleiterschicht (104) zwischen der ersten (102) und der dritten (106) monokristallinen Halbleiterschicht ausgebildet ist, wobei ein Halbeitermaterial der zweiten monokristallinen Halbleiterschicht (104) von den Halbleitermaterialien der ersten (102) und der dritten monokristallinen Halbleiterschicht (106) verschieden ist; undnach dem Ausbilden des Halbleiterschichtstapels, gleichzeitiges Ätzen zumindest eines Abschnitts von jeder der ersten (102) und dritten monokristallinen Halbleiterschicht (106),wobei ein bewegliches MEMS-Element von einem Abschnitt der zweiten monokristallinen Schicht (104) gebildet wird, wobei der Abschnitt der zweiten monokristallinen Schicht (104) durch das Ätzen zumindest eines Abschnitts der ersten (102) und eines Abschnitts der dritten monokristallinen Halbleiterschicht (106) freigesetzt wird,wobei der Halbleiterschichtstapel ferner eine vierte (108) und fünfte Halbleiterschicht (110) umfasst, wobei die erste monokristalline Halbleiterschicht (102) über der vierten Halbleiterschicht (108) ausgebildet wird und wobei die fünfte Halbleiterschicht (110) über der dritten monokristallinen Halbleiterschicht (106) ausgebildet wird, wobei ein erster Spalt (112) zwischen der vierten Halbleiterschicht (108) undder zweiten monokristallinen Halbleiterschicht (104) und ein zweiter Spalt (112) zwischen der zweiten monokristallinen Halbleiterschicht (104) und der fünften Halbleiterschicht (110) ausgebildet wird, indem zumindest der Abschnitt der ersten (102) und der Abschnitt der dritten monokristallinen Halbleiterschicht (106) geätzt wird,wobei ein Ätzmittel über Kanäle (112) bereitgestellt wird,die sich vertikal zumindest zwischen der ersten (102) und der dritten monokristallinen Halbleiterschicht (106) erstrecken.

公开(公告)号：DE102012202643B4

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102012202643

申请日：2012-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOLB STEFAN ,  PRÜGL KLEMENS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZANKL ANDREAS

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

Abstract: Verfahren zur Bildung eines monolithisch integrierten Sensorelements, das folgende Merkmale aufweist: Bilden eines MEMS-Bauelements (200) auf einem Substrat (202) durch: Bilden einer Opferschicht (206) auf dem Substrat (202), Abscheiden einer ersten Siliziumschicht (208) auf der Opferschicht (206), wobei die erste Siliziumschicht (208) zumindest eine Freigabeapertur (210) aufweist, Bilden eines Hohlraums (212) in der Opferschicht (206) durch Entfernen eines Teils der Opferschicht (206) über die zumindest eine Freigabeapertur (210), Füllen des Hohlraums (212) und der mindestens einen Freigabeapertur (210) mit einem isolierenden Füllmaterial (214), Bilden weiterer Freigabeaperturen (216) in der ersten Siliziumschicht (208) über der verbliebenen Opferschicht (206), Bilden eines weiteren Hohlraums (218) in der verbliebenen Opferschicht (206) über die weiteren Freigabeaperturen (216); und Abdichten des weiteren Hohlraums (218) durch Abscheiden einer zweiten Siliziumschicht; undBilden eines elektrischen Bauelements auf dem Substrat (202) neben dem MEMS-Bauelement (200).

公开(公告)号：DE102014114672A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：DE102014114672

申请日：2014-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEHE ALFONS ,  KOLB STEFAN ,  THEUSS HORST

IPC: G01N21/61 ,  G01N21/17

Abstract: Eine photoakustische Gassensorvorrichtung zum Analysieren von Gas weist ein Sendemodul und ein druckempfindliches Modul auf. Das Sendemodul ist auf einem Trägersubstrat angeordnet und emittiert Lichtimpulse. Das druckempfindliche Modul ist auf dem Trägersubstrat innerhalb eines Referenzgasvolumens angeordnet. Das Referenzgasvolumen ist von einem für die Befüllung mit einem zu analysierenden Gas vorgesehenen Volumen getrennt. Zudem erzeugt das druckempfindliche Modul ein Sensorsignal, das Informationen über eine Schallwelle angibt, die von Lichtimpulsen verursacht wird, die vom Sendemodul, das mit einem Referenzgas innerhalb des Referenzgasvolumens wechselwirkt, emittiert werden. Zusätzlich dazu ist das Sendemodul so angeordnet, dass die vom Sendemodul emittierten Lichtimpulse das Referenzgasvolumen erreichen, nachdem sie durch das für die Befüllung mit dem zu analysierenden Gas vorgesehene Volumen hindurchgetreten sind.