MAGNETSENSORBAUELEMENT UND MAGNETERFASSUNGSVERFAHREN

    公开(公告)号:DE102016112008A1

    公开(公告)日:2018-01-04

    申请号:DE102016112008

    申请日:2016-06-30

    Abstract: Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein Magnetsensorbauelement (300) umfassend zumindest eine magnetoresistive Struktur (310). Die magnetoresistive Struktur umfasst eine magnetische freie Schicht (316), die ausgebildet ist, um ein Magnetisierungsmuster mit geschlossenem Fluss in der magnetischen freien Schicht zu erzeugen, und eine magnetische Referenzschicht (314) mit einem Referenzmagnetisierungsmuster mit nicht geschlossenem Fluss; und einen Magnetflusskonzentrator (320), der ausgebildet ist, um eine Flussdichte eines externen Magnetfeldes (330) in der magnetischen freien Schicht (316) zu erhöhen.

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