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公开(公告)号:DE102016102214A1
公开(公告)日:2017-08-10
申请号:DE102016102214
申请日:2016-02-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BACHLEITNER-HOFMANN ANTON , PRUEGL KLEMENS , SUESS DIETER , BRÜCKL HUBERT , SATZ ARMIN , WURFT TOBIAS , RABERG WOLFGANG
Abstract: Ein Ausführungsbeispiel bezieht sich auf ein Magnetsensorbauelement (500) umfassend eine magnetoresistive Struktur (501). Die magnetoresistive Struktur (501) umfasst eine magnetische freie Schicht (502), die ausgebildet ist, um spontan ein Magnetisierungsmuster mit geschlossenem Fluss in der freien Schicht (502) zu erzeugen. Die magnetoresistive Struktur (500) umfasst ferner eine magnetische Referenzschicht (506) mit einem Referenzmagnetisierungsmuster mit nicht geschlossenem Fluss. Das Magnetsensorbauelement (500) umfasst ferner einen Stromgenerator (580), der ausgebildet ist, um einen elektrischen Strom in einer oder mehreren Schichten der magnetoresistiven Struktur (501) zu erzeugen. Der elektrische Strom weist eine Richtungskomponente ungleich Null senkrecht zu dem Referenzmagnetisierungsmuster auf.
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公开(公告)号:DE102016112008A1
公开(公告)日:2018-01-04
申请号:DE102016112008
申请日:2016-06-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SUESS DIETER , BRÜCKL HUBERT , PRUEGL KLEMENS , SATZ ARMIN , RABERG WOLFGANG
Abstract: Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein Magnetsensorbauelement (300) umfassend zumindest eine magnetoresistive Struktur (310). Die magnetoresistive Struktur umfasst eine magnetische freie Schicht (316), die ausgebildet ist, um ein Magnetisierungsmuster mit geschlossenem Fluss in der magnetischen freien Schicht zu erzeugen, und eine magnetische Referenzschicht (314) mit einem Referenzmagnetisierungsmuster mit nicht geschlossenem Fluss; und einen Magnetflusskonzentrator (320), der ausgebildet ist, um eine Flussdichte eines externen Magnetfeldes (330) in der magnetischen freien Schicht (316) zu erhöhen.
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