公开(公告)号：DE102020114551A1

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE102020114551

申请日：2020-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENDRES BERNHARD ,  PRUEGL KLEMENS

IPC: H10N50/10 ,  G01R33/09 ,  H10N50/01 ,  H10N50/80

Abstract: Ausführungsbeispiele befassen sich mit magnetoresistiven Sensoren sowie mit entsprechenden Fertigungsverfahren für magnetoresistive Sensoren. Ein Beispiel eines magnetoresistiven Sensors umfasst einen Schichtstapel (100a), wobei der Schichtstapel eine Referenzschicht (10) mit einer festen Referenzmagnetisierung umfasst, wobei die Referenzmagnetisierung eine erste magnetische Orientierung aufweist. Der Schichtstapel umfasst ferner ein magnetisch freies System (30) von mehreren Schichten, wobei das magnetisch freie System eine magnetisch freie Magnetisierung aufweist, wobei die magnetisch freie Magnetisierung in Gegenwart eines externen magnetischen Felds veränderbar ist, und wobei die magnetisch freie Magnetisierung in einem Grundzustand eine zweite magnetische Orientierung aufweist. Das magnetisch freie System weist zwei ferromagnetische Schichten (32; 38) und eine Zwischenschicht (34; 36) auf, wobei die Zwischenschicht zwischen den zwei ferromagnetischen Schichten angeordnet ist und Magnesiumoxid umfasst. Der Schichtstapel umfasst ferner eine Barrierenschicht (20), die zwischen der Referenzschicht und dem magnetisch freien System angeordnet ist und Magnesiumoxid umfasst.

公开(公告)号：DE102012025750A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102012025750

申请日：2012-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WINKLER BERNHARD ,  ZANKL ANDREAS ,  PRUEGL KLEMENS ,  KOLB STEFAN

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf MEMS-Bauelemente, insbesondere MEMS-Bauelemente, die mit verwandten elektrischen Bauelementen auf einem einzigen Wafer integriert sind. Ausführungsbeispiele verwenden ein Konzept eines modularen Prozessablaufs als Bestandteil eines MEMS-Zuerst-Lösungsansatzes, der die Verwendung eines neuartigen Hohlraumabdichtungsprozesses ermöglicht. Die Auswirkung und mögliche nachteilige Effekte der MEMS-Verarbeitung auf die elektrischen Bauelemente werden dadurch verringert oder eliminiert. Gleichzeitig wird eine äußerst flexible Lösung geschaffen, die eine Implementierung einer Vielzahl von Messprinzipien, einschließlich kapazitiver und piezoresistiver, ermöglicht. Deshalb können eine Vielzahl von Sensoranwendungen mit verbesserter Leistungsfähigkeit und erhöhter Qualität anvisiert werden, die gleichzeitig kostenwirksam bleiben.

公开(公告)号：DE102011085955A1

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：DE102011085955

申请日：2011-11-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KUEHN OLAF ,  PRUEGL KLEMENS ,  SCHLEDZ RALF ,  STRASER ANDREAS DR ,  THYSSEN NORBERT ,  ZIMMER JUERGEN

IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf xMR-Sensoren, die eine sehr ausgeprägte Formanisotropie aufweisen. Ausführungsbeispiele beziehen sich außerdem auf neuartige Strukturierungsprozesse von xMR-Stapeln, um sehr ausgeprägte Formanisotropien zu erzielen, ohne das für die Leistungsfähigkeit relevante magnetfeldempfindliche Schichtsystem chemisch zu beeinflussen und dabei gleichzeitig vergleichsweise einheitliche Strukturbreiten über einen Wafer hinweg bereitzustellen, bei Ausführungsbeispielen bis auf etwa 100 nm. Ausführungsbeispiele können auch xMR-Stapel liefern, die Seitenwände des für die s aufweisen, die glatt sind und/oder eine definierte laterale Geometrie aufweisen, was wichtig ist, um ein homogenes magnetisches Verhalten über den Wafer hinweg zu erzielen.

公开(公告)号：DE102019118167A1

公开(公告)日：2020-01-09

申请号：DE102019118167

申请日：2019-07-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZIMMER JÜRGEN ,  PRUEGL KLEMENS

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

Abstract: Ein magnetoresistiver Sensor umfasst eine erste nicht-magnetische Schicht, eine zweite nichtmagnetische Schicht und eine magnetische freie Doppelschicht. Die magnetische freie Doppelschicht ist zwischen einer ersten nicht-magnetischen Schicht und der zweiten nichtmagnetischen Schicht angeordnet, die magnetische freie Doppelschicht umfassend eine erste magnetische freie Schicht, die mit einer zweiten magnetischen freien Schicht gekoppelt ist. Die erste magnetische freie Schicht ist mit der ersten nicht-magnetischen Schicht gekoppelt und die zweite magnetische freie Schicht ist mit der zweiten nicht-magnetischen Schicht gekoppelt. Die zweite nicht-magnetische Schicht umfasst ein nicht-magnetisches Material, aufweisend einen Atomradius innerhalb von 10% eines Atomradius von zumindest einer der ersten magnetischen freien Schicht und der zweiten magnetischen freien Schicht.

公开(公告)号：DE102016102214A1

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：DE102016102214

申请日：2016-02-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BACHLEITNER-HOFMANN ANTON ,  PRUEGL KLEMENS ,  SUESS DIETER ,  BRÜCKL HUBERT ,  SATZ ARMIN ,  WURFT TOBIAS ,  RABERG WOLFGANG

IPC: G01R33/09 ,  H01L43/08

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel bezieht sich auf ein Magnetsensorbauelement (500) umfassend eine magnetoresistive Struktur (501). Die magnetoresistive Struktur (501) umfasst eine magnetische freie Schicht (502), die ausgebildet ist, um spontan ein Magnetisierungsmuster mit geschlossenem Fluss in der freien Schicht (502) zu erzeugen. Die magnetoresistive Struktur (500) umfasst ferner eine magnetische Referenzschicht (506) mit einem Referenzmagnetisierungsmuster mit nicht geschlossenem Fluss. Das Magnetsensorbauelement (500) umfasst ferner einen Stromgenerator (580), der ausgebildet ist, um einen elektrischen Strom in einer oder mehreren Schichten der magnetoresistiven Struktur (501) zu erzeugen. Der elektrische Strom weist eine Richtungskomponente ungleich Null senkrecht zu dem Referenzmagnetisierungsmuster auf.

公开(公告)号：DE102011122923B3

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102011122923

申请日：2011-01-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  MACKH GUNTHER ,  PRUEGL KLEMENS

IPC: H01L27/08 ,  H01F17/04 ,  H01F41/02 ,  H01L21/822

Abstract: Induktor (460; 470), der folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (102) mit einem vertieften Abschnitt (109); einen U-förmigen Leiter (462, 464), der auf dem Substrat (102) angeordnet ist, wobei der U-förmige Leiter (462, 464) zwei parallele Anschnitte und einen die parallelen Abschnitte verbindenden Abschnitt (468) umfasst, wobei sich die parallelen Anschnitte über den vertieften Abschnitt (109) erstrecken; und ein nahtloses ferromagnetisches Material (108), das sich durch den vertieften Abschnitt (109) erstreckt und die parallelen Abschnitte des U-förmigen Leiters (462, 464) bedeckt, wobei das nahtlose ferromagnetische Material (108) den verbindenden Abschnitt (468) des U-förmigen Leiters (462, 464) nicht bedeckt, wobei die parallelen Abschnitte des Leiters einen ersten Abschnitt (462), der auf einer oberen Oberfläche des Substrats (102) angeordnet ist, und einen über dem ersten Abschnitt (462) und beabstandet zu der oberen Oberfläche des Substrats (102) angeordneten zweiten Abschnitt (464) umfasst.

公开(公告)号：DE102012216069A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：DE102012216069

申请日：2012-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEVER THOMAS ,  PRUEGL KLEMENS ,  RABERG WOLFGANG ,  STRASSER ANDREAS ,  ZIMMER JUERGEN

IPC: H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  H01L43/12

Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf magnetoresistive(MR-)Sensoren, Sensorelemente und Strukturen sowie Verfahren. Insbesondere beziehen sich Ausführungsbeispiele auf MR-, beispielsweise Giant-MR-(GMR-) oder Tunnel-MR-(TMR-)Spinventil-Schichtsysteme und verwandte Sensoren, die eine verbesserte Stabilität aufweisen. Ausführungsbeispiele umfassen zumindest entweder eine mehrschichtige Pinned-Schicht und/oder eine mehrschichtige Referenzschicht, wodurch der Stapel stabiler wird und sich dadurch für eine Verwendung bei höheren Temperaturen und Magnetfeldern eignet als herkömmliche Systeme und Sensoren.

公开(公告)号：DE102010028215A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：DE102010028215

申请日：2010-04-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SEDLMAIER STEFAN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  PRUEGL KLEMENS

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung einer kapazitiven Struktur, das aufweist: Bereitstellen einer Trägerschicht (11), die eine Oberfläche (101) aufweist; Herstellen einer ersten Dielektrikumsschicht (21) auf der Oberfläche (101); Herstellen einer Siliziumschicht (12), die Siliziumkörner aufweist, auf der ersten Dielektrikumsschicht (21) unter Verwendung eines Abscheideprozesses; Herstellen einer zweiten Dielektrikumsschicht (31) auf der Siliziumschicht (12); Herstellen einer Schicht (41) eines elektrisch leitenden Materials auf der zweiten Dielektrikumsschicht (31); und Durchführen eines Temperaturprozesses zum Aufheizen wenigstens der ersten Dielektrikumsschicht (21), wobei die Temperatur und die Dauer des Temperaturprozesses so gewählt sind, dass die erste Dielektrikumsschicht (21) derart modifiziert wird, dass die Siliziumschicht (12) elektrisch mit der Trägerschicht (11) verbunden ist.

公开(公告)号：DE102014107105B4

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：DE102014107105

申请日：2014-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUHL GÜNTHER ,  PRUEGL KLEMENS

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/04

Abstract: Verfahren (100) zur Verarbeitung eines Trägers (202), wobei das Verfahren (100) Folgendes aufweist:die Bildung einer ersten katalytischen Metallschicht (204) über einem Träger (202), (110);die Bildung einer Quellschicht (206) über der ersten katalytischen Metallschicht (204), (120);die Bildung einer zweiten katalytischen Metallschicht (208) über der Quellschicht (206) wobei die Stärke der zweiten katalytischen Metallschicht (208) größer als die Stärke der ersten katalytischen Metallschicht (204) ist (130); unddas anschließende Durchführen einer Temperung, um die Diffusion des Materials der Quellschicht (206) zu ermöglichen, die eine der Oberfläche des Trägers (202) benachbarte Zwischenschicht (210) aus dem diffundierten Material der Quellschicht (206) bildet (140);Anpassen der Stärke der katalytischen Metallschichten (204, 208), der Stärke der Quellschicht (206) und der Temperung, so dass während der Temperung eine konforme Zwischenschicht (210) gebildet wird, wobei die konforme Zwischenschicht (210) eine zweidimensionale Kristallgitterstruktur aufweist.

公开(公告)号：DE102014107105A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：DE102014107105

申请日：2014-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUHL GÜNTHER ,  PRUEGL KLEMENS

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/04

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren (100) zur Verarbeitung eines Trägers bereitgestellt. Das Verfahren (100) zur Verarbeitung eines Trägers beinhaltet möglicherweise Folgendes: die Bildung einer ersten katalytischen Metallschicht über einem Träger (110); die Bildung einer Quellschicht über der ersten katalytischen Metallschicht (120); die Bildung einer zweiten katalytischen Metallschicht über der Quellschicht, wobei die Stärke der zweiten katalytischen Metallschicht größer als die Stärke der ersten katalytischen Metallschicht ist (130); und das anschließende Durchführen einer Temperung, um die Diffusion des Materials der Quellschicht zu ermöglichen, die eine der Oberfläche des Trägers benachbarte Zwischenschicht aus dem diffundierten Material der Quellschicht bildet (140).