公开(公告)号：DE102012110606B4

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：DE102012110606

申请日：2012-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNER HELMUT ,  ENGELHARDT MANFRED

IPC: H01L21/782 ,  H01L21/283 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58

Abstract: Verfahren zum Trennen einer Mehrzahl von Chips (216a, 216b), wobei das Verfahren aufweist:• selektives Entfernen eines oder mehrerer Bereiche (214) von einem Träger (202), der die Mehrzahl von Chips (216a, 216b) aufweist, zum Trennen der Mehrzahl von Chips (216a, 216b) entlang des selektiv entfernten einen oder der selektiv entfernten mehreren Bereiche (214), wobei der eine oder die mehreren Bereiche (214) zwischen den Chips (216a, 216b) angeordnet sind, wobei durch das selektive Entfernen eines oder mehrerer Bereiche (214) ein oder mehrere Zwischenräume (234) mit Seitenwänden (236, 238) zwischen der Mehrzahl von Chips (216a, 216b) gebildet werden;• Ausbilden einer oder mehrerer Schichten (232) über den Rückseiten der Mehrzahl von Chips (206a, 206b) und in dem einen oder den mehreren Zwischenräumen (234);• anschließendes Abscheiden eines Füllmaterials (242) in den einen oder in die mehreren Zwischenräume (234), die die Mehrzahl von Chips (216a, 216b) voneinander trennen;• anschließendes Ausbilden mindestens einer Metallisierungsschicht (244) über den Rückseiten (206a, 206b) von den Chips (216a, 216b) zum Einhäusen der Chips (216a, 216b), wobei das Füllmaterial (242) in dem einen oder den mehreren Zwischenräumen (234) verhindert, dass die mindestens eine Metallisierungsschicht (244) auf den Seitenwänden (236, 238) des einen oder der mehreren Zwischenräume (234) ausgebildet wird;• Entfernen des Füllmaterials (242) von dem einen oder den mehreren Zwischenräumen (234), die die Mehrzahl der Chips (216a, 216b) voneinander trennen; und• Entfernen der einen oder der mehreren Schichten (232) von dem einen oder den mehreren Zwischenräumen (234), die die Mehrzahl der Chips (216a, 216b) voneinander trennen.

公开(公告)号：DE102014103446A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE102014103446

申请日：2014-03-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNER HELMUT ,  HIMMELSBACH CHRISTIAN ,  HIRSCHLER JOACHIM

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/673

Abstract: Es werden Hubstifte und Vorrichtungen, die Hubstifte haben, bereitgestellt. Gemäß einer Erscheinungsform kann ein Hubstift einen verjüngten distalen Teil haben. Gemäß einer weiteren Erscheinungsform kann ein Hubstift zwei Teile haben, die durch Verschrauben miteinander im Eingriff sind. Gemäß einer weiteren Erscheinungsform kann ein Hubstift an einer Hubplatte mit Spiel befestigt werden.

公开(公告)号：DE102013112683A1

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：DE102013112683

申请日：2013-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNER HELMUT ,  HIRSCHLER JOACHIM

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

Abstract: Ein Verfahren (200) zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes aufweisen: Ausbilden mindestens einer Öffnung in einem Werkstück (202); Ausbilden einer ersten leitfähigen Schicht innerhalb der mindestens einen Öffnung, wobei die erste leitfähige Schicht die mindestens eine Öffnung nicht vollständig füllt (204); Ausbilden einer Füllschicht über der ersten leitfähigen Schicht innerhalb der mindestens einen Öffnung (206); und Ausbilden einer zweiten leitfähigen Schicht über der Füllschicht (208).

公开(公告)号：DE102012110606A1

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：DE102012110606

申请日：2012-11-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNER HELMUT ,  ENGELHARDT MANFRED

IPC: H01L21/782 ,  H01L21/283 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58

Abstract: Ein Verfahren zum Trennen einer Mehrzahl von Chips (216a, 216b) wird bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen: selektives Entfernen eines oder mehrerer Bereiche (214) von einem Träger (202), der eine Mehrzahl von Chips (216a, 216b) aufweist, zum Trennen der Mehrzahl von Chips (216a, 216b) entlang des selektiv entfernten einen oder der selektiv entfernten mehreren Bereiche (214), wobei der eine oder mehrere Bereiche (214) zwischen den Chips (216a, 216b) angeordnet sind; und anschließend Ausbilden mindestens einer Metallisierungsschicht (244) zum Einhäusen der Chips (216a, 216b) über den Rückseiten der Chips (206a, 206b).