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    ANZEIGEVORRICHTUNG
    1.
    发明专利
    ANZEIGEVORRICHTUNG 未知

    公开(公告)号：DE102014209556A1

    公开(公告)日：2014-12-04

    申请号：DE102014209556

    申请日：2014-05-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HIRSCHLER JOACHIM ,  SCHMID JOHANN

    IPC: G09F9/00

    Abstract: Es wird eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt. Die Anzeigevorrichtung umfasst eine Anzeige, die mehrere Pixel umfasst, die in einer Anzeigeebene angeordnet sind. Die Anzeigevorrichtung ist dazu konfiguriert, eine virtuelle Ebene zu bestimmen, auf der ein weitsichtiger Benutzer der Anzeigevorrichtung, der die Anzeige ansieht, scharf sieht. Des Weiteren ist die Anzeigevorrichtung dazu konfiguriert, eine erste zusammenhängende Gruppe von Pixeln der Anzeige zu bestimmen, die sich innerhalb eines ersten optischen Wegs von einem ersten virtuellen Pixel der virtuellen Ebene zu einem Auge des weitsichtigen Benutzers befinden, und eine zweite zusammenhängende Gruppe von Pixeln der Anzeige zu bestimmen, die sich innerhalb eines zweiten optischen Wegs von einem zweiten virtuellen Pixel der virtuellen Ebene zu dem Auge des weitsichtigen Benutzers befinden.

    Verfahren zum Ausbilden von Halbleiterbauelementen
    2.
    发明专利
    Verfahren zum Ausbilden von Halbleiterbauelementen 未知

    公开(公告)号：DE102013200761B4

    公开(公告)日：2014-07-10

    申请号：DE102013200761

    申请日：2013-01-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  RÖSNER MICHAEL

    IPC: H01L21/784 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Ausbilden eines Grabens von einer oberen Oberfläche eines Substrats, das ein Bauelementgebiet neben der oberen Oberfläche aufweist, zu einer gegenüberliegenden unteren Oberfläche, wobei der Graben Seitenwände des Bauelementgebiets umgibt; Füllen des Grabens mit einem Kleber; Ausbilden einer Kleberschicht über der oberen Oberfläche des Substrats und dem gefüllten Graben, wobei ein Klebermaterial des Klebers von einem Klebermaterial der Kleberschicht verschieden ist; Anbringen eines Trägers mit der Kleberschicht; Verdünnen des Substrats von der unteren Oberfläche, um mindestens einen Abschnitt des Klebers und eine hintere Oberfläche des Bauelementgebiets zu exponieren; Entfernen der Kleberschicht mittels eines ersten Ätzschritts; und Ätzen des Klebers, um eine Seitenwand des Bauelementgebiets zu exponieren mittels eines nachfolgenden zweiten Ätzschritts.

    VERFAHREN ZUM VERARBEITEN EINES WAFERS
    4.
    发明专利
    VERFAHREN ZUM VERARBEITEN EINES WAFERS 未知

    公开(公告)号：DE102013109375B4

    公开(公告)日：2016-07-14

    申请号：DE102013109375

    申请日：2013-08-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HIRSCHLER JOACHIM ,  STRANZL GUDRUN

    IPC: H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31

    Abstract: Verfahren (200) zum Verarbeiten eines Wafers, wobei das Verfahren Folgendes enthält: Ausbilden einer Passivierung über dem Wafer (202); Ausbilden einer Schutzschicht über mindestens einer Oberfläche der Passivierung (204), welche vom Wafer weggekehrt ist, wobei die Schutzschicht ein Material enthält, das selektiv zu einem Material der Passivierung ätzbar ist; Ausbilden einer Maskenschicht über mindestens einer Oberfläche der Schutzschicht (206), welche vom Wafer weggekehrt ist, wobei die Maskenschicht ein Material enthält, das selektiv zum Material der Schutzschicht ätzbar ist; Ätzen des Wafers unter Benutzung der Maskenschicht als Maske (208); nach dem Ätzen des Wafers, selektives Ätzen des Materials der Maskenschicht zum Entfernen der Maskenschicht von der Schutzschicht (210); und nach dem selektiven Ätzen des Materials der Maskenschicht, selektives Ätzen des Materials der Schutzschicht zum Entfernen der Schutzschicht von der Passivierung (212).

    VERFAHREN ZUM VERARBEITEN EINES WAFERS UND SCHICHTANORDNUNG
    6.
    发明专利
    VERFAHREN ZUM VERARBEITEN EINES WAFERS UND SCHICHTANORDNUNG 未知

    公开(公告)号：DE102013109375A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：DE102013109375

    申请日：2013-08-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HIRSCHLER JOACHIM ,  STRANZL GUDRUN

    IPC: H01L21/308 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31

    Abstract: Ein Verfahren (200) zum Verarbeiten eines Wafers gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes enthalten: Ausbilden einer Passivierung über dem Wafer (202); Ausbilden einer Schutzschicht über mindestens einer Oberfläche der Passivierung (204), die vom Wafer weggekehrt ist, wobei die Schutzschicht ein Material enthält, das selektiv zu einem Material der Passivierung ätzbar ist; Ausbilden einer Maskenschicht über mindestens einer Oberfläche der Schutzschicht (206), die vom Wafer weggekehrt ist, wobei die Maskenschicht ein Material enthält, das selektiv zum Material der Schutzschicht ätzbar ist; Ätzen des Wafers unter Benutzung der Maskenschicht als Maske (208); nach dem Ätzen des Wafers, selektives Ätzen des Materials der Maskenschicht (210) zum Entfernen der Maskenschicht von der Schutzschicht; und nach dem selektiven Ätzen des Materials der Maskenschicht, selektives Ätzen des Materials der Schutzschicht (212) zum Entfernen der Schutzschicht von der Passivierung.

    Verfahren zum Ausbilden von Halbleiterbauelementen
    9.
    发明专利
    Verfahren zum Ausbilden von Halbleiterbauelementen 未知

    公开(公告)号：DE102013200761A1

    公开(公告)日：2013-07-25

    申请号：DE102013200761

    申请日：2013-01-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  ROESNER MICHAEL

    IPC: H01L21/784 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/312 ,  H01L21/56

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements das Ausbilden eines Grabens von einer oberen Oberfläche eines Substrats mit einem Bauelementgebiet. Das Bauelementgebiet befindet sich neben der oberen Oberfläche als eine gegenüberliegende untere Oberfläche. Der Graben umgibt die Seitenwände des Bauelementgebiets. Der Graben wird mit einem Kleber gefüllt. Eine Kleberschicht wird über der oberen Oberfläche des Substrats ausgebildet. Ein Träger wird mit der Kleberschicht angebracht. Das Substrat wird von der unteren Oberfläche aus verdünnt, um mindestens einen Abschnitt des Klebers und eine hintere Oberfläche des Bauelementgebiets zu exponieren. Die Kleberschicht wird entfernt und Kleber wird geätzt, um eine Seitenwand des Bauelementgebiets zu exponieren.

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