公开(公告)号：DE102013114410A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：DE102013114410

申请日：2013-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  DINKEL MARKUS ,  SCHMALZBAUER UWE ,  CAPODIECI VANESSA

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/822 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat, das eine Hauptfläche mit einer polygonalen Geometrie und eine elektrische Hauptschaltung umfasst, die innerhalb einer Hauptregion auf dem Halbleitersubstrat gefertigt ist. Die elektrische Hauptschaltung kann so betrieben werden, dass sie eine elektrische Hauptfunktion ausführt. Die Hauptregion erstreckt sich über die Hauptfläche des Halbleitersubstrats, wobei sie mindestens einen Eckbereich an einem Eckpunkt der polygonalen Geometrie der Hauptfläche des Halbleitersubstrats frei lässt. Der Eckbereich verläuft beginnend am Eckpunkt mindestens 300 μm entlang der Kanten des Halbleitersubstrats.