公开(公告)号：JP2012119711A

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：JP2012015456

申请日：2012-01-27

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WALTER RIEGER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  ZELSACHER RUDOLF ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/743 ,  H01L23/535 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To resolve a problem that the reliability risk in an actual device may be increased because edge regions of a chip are frequently subjected to a specific burden known and described as a TC stress during a temperature cycle because of different expansion coefficients, and these edge regions are especially likely to be subjected to the TC stress, which may cause various failures in the same region.SOLUTION: An anchoring structure 200 for a metal structure 210 of a semiconductor device includes an anchoring recess structure 220 including at least one overhang-shaped side wall 230. The metal structure 210 is arranged at least partially in the anchoring recess structure 220.

Abstract translation: 要解决的问题：为了解决由于芯片的边缘区域经常遭受已知的并且在温度循环期间由于不同的TC应力而被描述为TC应力的特定负载，因此可能增加实际设备中的可靠性风险的问题 膨胀系数和这些边缘区域特别容易受到TC应力的影响，这可能导致同一区域的各种故障。 解决方案：用于半导体器件的金属结构210的锚固结构200包括具有至少一个悬垂形侧壁230的锚固凹槽结构220.金属结构210至少部分地布置在锚定凹陷结构220中 （C）2012年，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009027139A

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：JP2008116553

申请日：2008-04-28

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WALTER RIEGER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  ZELSACHER RUDOLF ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/743 ,  H01L23/535 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an anchoring structure and an intermeshing structure which prevent metal lines from being lifted off from a surface of a chip to come off the chip in a temperature cycling (TC) reliability test for a semiconductor device. SOLUTION: The anchoring structure for a metal structure 210 of the semiconductor device includes an anchoring recess structure 220 having at least one overhanging side wall 230. The metal structure 210 is at least partly arranged within the anchoring recess structure 220. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种锚固结构和啮合结构，其防止在半导体器件的温度循环（TC）可靠性测试中金属线从芯片的表面脱离以脱离芯片。 解决方案：用于半导体器件的金属结构210的锚固结构包括具有至少一个悬垂侧壁230的锚固凹部结构220.金属结构210至少部分地布置在锚定凹部结构220内。

版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE102013108585B4

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：DE102013108585

申请日：2013-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  HOLZMÜLLER JÜRGEN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/31 ,  H01L29/40

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500), die aufweist:einen Hauptkörper (100), der einen einkristallinen Halbleiterkörper (120) aufweist;eine Schichtstruktur (200), die direkt an einen zentralen Bereich (610) einer flachen Hauptoberfläche (101) des Hauptkörpers (100) angrenzt und eine harte dielektrische Schicht aufweist, die ein erstes dielektrisches Material mit einem Young-Modul von mehr als 10 GPa aufweist, wobei die Schichtstruktur (200) in einem Randbereich (690) zwischen dem zentralen Bereich (610) und einem äußeren Rand (103) des Hauptkörpers (100) fehlt, undeine dielektrische Entspannungsschicht (300), die gegenüber dem Hauptkörper (100) direkt an die Schichtstruktur (200) angrenzt, sich bis über einen äußeren Rand (203) der Schichtstruktur (200) hinaus erstreckt und zumindest in einem inneren Randbereich (691), der direkt an den zentralen Bereich (610) der flachen Hauptoberfläche (101) angrenzt, die flache Hauptoberfläche (101) bedeckt.

公开(公告)号：DE102007063839B3

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE102007063839

申请日：2007-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS DR RER NAT ,  ZELSACHER RUDOLF ,  SCHMALZBAUER UWE

IPC: H01L23/535 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: Verkrallungsstruktur (400) für einen Halbleiterbauelement, mit folgenden Merkmalen: einer strukturierten Bauelementschicht (420) auf einem Substrat (410) mit Topologiekanten (430); und einer Metallstruktur (440) auf der strukturierten Bauelementschicht (420), die sich wenigstens über einen Teil der Topologiekanten (430) der strukturierten Bauelementschicht (420) erstreckt, wobei die Topologiekanten (430), über die sich die Metallstruktur (440) erstreckt, bei einer Projektion in eine Ebene wenigstens eine zusammenhängende Linie (430) bilden; wobei die Linie (430) wenigstens einen Bereich (460) in der Ebene der Projektion begrenzt, wobei der Bereich (460) nicht-konvex ist; wobei ein Durchmesser eines kleinsten Kreises (490), der den Bereich (460) vollständig umfasst, kleiner als oder gleich 50 μm ist; wobei die Metallstruktur (440) einen Teil einer Gaterunner-Struktur bildet, die im äußeren Bereich des Chips entlang läuft und zur Kontaktierung einer elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (320) dient, wobei zwischen der strukturierten Bauelementschicht (420) und dem Substrat (410) die elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (320) angeordnet ist; wobei die strukturierte Bauelementschicht (420) eine isolierende Schicht (330) umfasst; und wobei die strukturierte Bauelementschicht (420) wenigstens ein Kontaktloch (340) in der isolierenden Schicht (330) umfasst, so dass die Metallstruktur (440) in direktem Kontakt zu der Kontaktstruktur (320) steht und das Kontaktloch (340) in der Bauelementschicht (420) die Topologiekanten (430) bildet wobei die elektrisch leitfähige Kontaktstruktur (320) eine Zuleitungsstruktur aus Poly-Silizium ist, die zumindest ein Gate eines Transistors umfasst.

公开(公告)号：DE102013108585A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：DE102013108585

申请日：2013-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NELLE PETER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  HOLZMUELLER JUERGEN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/31 ,  H01L29/40

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) weist einen Hauptkörper (100) mit einem einkristallinen Halbleiterkörper (120) auf. Eine Schichtstruktur (200) grenzt direkt an einen zentralen Bereich (610) einer Hauptoberfläche (101) des Hauptkörpers (100) an und weist eine harte dielektrische Schicht auf, die aus einem ersten dielektrischen Material mit einem Young-Modul von mehr als 10 GPa erstellt wurde. Eine Entspannungsschicht (300) grenzt gegenüber des Hauptkörpers (100) direkt an die Schichtstruktur (200) an und erstreckt sich bis über einen äußeren Rand (203) der Schichtstruktur (200) hinaus. Das Bereitstellen der Schichtstruktur (200) in einem Abstand zum Rand des Hauptkörpers (100) und das Bedecken der äußeren Oberfläche (201, 203) der Schichtstruktur (200) mit der Entspannungsschicht (300) erhöht die Zuverlässigkeit der Vorrichtung (500).

公开(公告)号：DE102007020263B4

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：DE102007020263

申请日：2007-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS DR RER NAT ,  SCHMALZBAUER UWE ,  ZELSACHER RUDOLF

IPC: H01L23/485 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: Verkrallungsstruktur (600), wobei die Verkrallungsstruktur eine strukturierte Bauelementschicht (620) auf einem Substrat (410) mit einer Zuleitungsstruktur (320) aufweist, die mit einer Isolationsschicht bedeckt ist, so dass sich die Zuleitungsstruktur zwischen der Isolationsschicht und dem Substrat befindet, wobei die Zuleitungsstruktur so strukturiert ist, dass eine topologiebildende Kante der Zuleitungsstruktur (320) eine Topologiekante (630) der Isolationsschicht bildet, wobei die Isolationsschicht (330) Kontaktlöcher (340) umfasst, über die eine Metallstruktur (640) in direktem Kontakt zu der Zuleitungsstruktur (320) steht, wobei die Metallstruktur (640) auf der strukturierten Bauelementschicht (620) gebildet ist, und sich dabei wenigstens über einen sägezahnförmigen Teil der topologiebildenden Kante der Zuleitungsstruktur (320) und einen gleichermaßen sägezahnförmigen Teil der Topologiekante (630) der Isolationsschicht, erstreckt, und einen Gaterunner eines Transistors bildet, wobei der sägezahnförmige Teil der Topologiekante (630) bei einer Projektion in eine Ebene wenigstens eine zusammenhängende Linie (630) bildet, wobei die zusammenhängenden Linie (630) durch ein Polygon mit Geraden (650) definierbar ist, von denen jede eine Länge zwischen 19 μm und 42 μm aufweist, und sich die zusammenhängende Linie (630) bezogen auf einen ersten Punkt (660-1) und einen dritten Punkt (660-3) auf der jeweiligen Geraden auf einer ersten Seite der Geraden (650) und bezogen auf einen zweiten Punkt (660-2) und einen vierten Punkt (660-4) auf der Geraden auf einer der ersten Seite gegenüber liegenden Seite der Geraden (650) befindet, und wobei der zweite Punkt (660-2) zwischen dem ersten Punkt (660-1) und dem dritten Punkt (660-3) und der dritte Punkt (660-3) zwischen dem zweiten Punkt (660-2) und dem vierten Punkt (660-4) liegt.

公开(公告)号：DE102007020263A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：DE102007020263

申请日：2007-04-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  SCHMALZBAUER UWE ,  ZELSACHER RUDOLF

IPC: H01L23/485

公开(公告)号：DE102022102181A1

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE102022102181

申请日：2022-01-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  ANANIEV SERGEY ,  BEHRENDT ANDREAS ,  DÖPKE HOLGER ,  SCHMALZBAUER UWE ,  SORGER MICHAEL ,  THURMER DOMINIC

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) enthält ein Halbleitersubstrat (102), das eine erste Hauptoberfläche (104) aufweist, und eine Metallstruktur (112) über der ersten Hauptoberfläche (104). Die Metallstruktur (112) weist ein Peripheriegebiet (116) auf, das einen Übergangsabschnitt (118) enthält, entlang dem die Metallstruktur (112) von einer ersten Dicke (T1) zu einer zweiten Dicke (T2) übergeht, die geringer als die erste Dicke (T1) ist. Ein polymerbasiertes Isoliermaterial (136) berührt das Peripheriegebiet (116) der Metallstruktur (112) und bedeckt zumindest dieses. Eine Dicke (T-poly) des polymerbasierten Isoliermaterials (136) beginnt auf einer ersten Hauptoberfläche (146) der Metallstruktur (112), die vom Halbleitersubstrat (102) abgewandt ist, zuzunehmen und nimmt in einer Richtung hin zum Übergangsabschnitt (118) weiter zu. Eine durchschnittliche Neigung einer Oberfläche (148) des polymerbasierten Isoliermaterials (136), die vom Halbleitersubstrat (102) abgewandt ist, ist wie in Bezug auf die erste Hauptoberfläche (146) der Metallstruktur (112) gemessen geringer als 60 Grad entlang dem Peripheriegebiet (116) der Metallstruktur (112).

公开(公告)号：DE102014107003A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：DE102014107003

申请日：2014-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  SCHMALZBAUER UWE ,  ZELSACHER RUDOLF

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/58 ,  H01L29/06

Abstract: Eine erste Ausgestaltung betrifft ein Halbleiterbauelement (100). Das Halbleiterbauelement (100) weist einen Halbleiterkörper (1) mit einer Unterseite (12) und einer von der Unterseite (12) in einer vertikalen Richtung (v) beabstandete Oberseite (11) auf. In der vertikalen Richtung besitzt der Halbleiterkörper (1) eine bestimmte Dicke (d1). Das Halbleiterbauelement (100) besitzt weiterhin einen Bruchsensor (5), der dazu ausgebildet ist, einen Bruch (99) in dem Halbleiterkörper (1) zu detektieren. Der Bruchsensor (5) erstreckt sich in den Halbleiterkörper (1) hinein. Ein Abstand zwischen dem Bruchsensor (99) und der Unterseite (12) ist geringer als die Dicke des Halbleiterkörpers (1).

公开(公告)号：DE102013114410A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：DE102013114410

申请日：2013-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  DINKEL MARKUS ,  SCHMALZBAUER UWE ,  CAPODIECI VANESSA

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/822 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat, das eine Hauptfläche mit einer polygonalen Geometrie und eine elektrische Hauptschaltung umfasst, die innerhalb einer Hauptregion auf dem Halbleitersubstrat gefertigt ist. Die elektrische Hauptschaltung kann so betrieben werden, dass sie eine elektrische Hauptfunktion ausführt. Die Hauptregion erstreckt sich über die Hauptfläche des Halbleitersubstrats, wobei sie mindestens einen Eckbereich an einem Eckpunkt der polygonalen Geometrie der Hauptfläche des Halbleitersubstrats frei lässt. Der Eckbereich verläuft beginnend am Eckpunkt mindestens 300 μm entlang der Kanten des Halbleitersubstrats.