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公开(公告)号:DE102019103355A1
公开(公告)日:2020-08-13
申请号:DE102019103355
申请日:2019-02-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: MARBELLA CARLO , CHAN SWEE GUAN , CHO EUNG SAN , ORATTI KALANDAR NAVAS KHAN
IPC: H01L21/60 , H01L21/283 , H01L21/3205 , H01L23/482
Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wird beschrieben. Das Verfahren umfasst das Abscheiden einer Photoresist-Schicht über einem Halbleitersubstrat. Die Photoresist-Schicht wird strukturiert, um eine Öffnung in der Photoresist-Schicht zu bilden. Eine Kupfersäule wird in der Öffnung gebildet. Eine Diffusionsbarriereschicht wird über der Kupfersäule und über einem Photoresist-Abschnitt der Photoresist-Schicht, der direkt an die Öffnung angrenzt, gebildet. Eine Lotstruktur wird über der Diffusionsbarriereschicht abgeschieden.
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公开(公告)号:DE102014106773A1
公开(公告)日:2014-11-20
申请号:DE102014106773
申请日:2014-05-14
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: CHAN SWEE GUAN , LEONG KONG YANG , WANG MEI YONG , KÖRNER HEINRICH
Abstract: Ein Modul mit integrierter Schaltung weist eine integrierte Schaltvorrichtung auf, die eine erste Oberfläche und eine Vielzahl von Bondflächen aufweist, die auf der ersten Oberfläche angeordnet sind. Das Modul weist ferner metallische Bonddrähte oder Metallbänder auf, die zwischen jeweiligen einer ersten Teilmenge der Bondflächen und einem Gehäusesubstrat oder Anschlussrahmen in der Weise angebracht sind, dass eine zweite Teilmenge der Bondflächen weder mit einem Gehäusesubstrat noch einem Anschlussrahmen verbunden ist. Ein Metallzapfen ist an jeder der einen oder mehreren der zweiten Teilmenge der Bondflächen befestigt. Das Modul mit integrierter Schaltung umfasst ferner eine Vergussmasse, die mit mindestens der ersten Oberfläche der integrierten Schaltvorrichtung in Kontakt ist und im Wesentlichen die Bonddrähte oder Metallbänder sowie die Metallzapfen umschließt.
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