公开(公告)号：DE102022116833B4

公开(公告)日：2025-01-09

申请号：DE102022116833

申请日：2022-07-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEDIC URBAN ,  CHO EUNG SAN ,  NAEVE TOMASZ

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H10D80/20

Abstract: Eine Halbleiterbaugruppe (100) aufweisend:ein Halbleiterpackage (102), welches einen ersten und einen zweiten Transistorchip (118, 120) aufweist, welche in einem Packagekörper eingebettet sind, wobei der erste und der zweite Transistorchip (118, 120) in dem Packagekörper seitlich nebeneinander angeordnet sind, so dass ein erster Lastanschluss (122) des ersten Transistorchips (118) einer oberen Oberfläche des Packagekörpers zugewandt ist, und so, dass ein zweiter Lastanschluss (124) des zweiten Transistorchips (120) der oberen Oberfläche des Packagekörpers zugewandt ist, undeinen diskreten Kondensator (104), welcher auf dem Halbleiterpackage (102) montiert ist, so dass ein erster Anschluss des diskreten Kondensators (104) direkt über und elektrisch verbunden mit dem ersten Lastanschluss (122) des ersten Halbleiterchips (118) ist, und so, dass ein zweiter Anschluss des diskreten Kondensators (104) direkt über und elektrisch verbunden mit dem zweiten Lastanschluss (124) des zweiten Halbleiterchips (120) ist;wobei der erste und der zweite Transistorchip (118, 120) jeweils vertikale Vorrichtungen sind, und wobei eine vertikale Ausrichtung des ersten Transistorchips (118) dem zweiten Transistorchip (120) entgegengesetzt ist.

公开(公告)号：DE102021101747A1

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：DE102021101747

申请日：2021-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHO EUNG SAN ,  NAEVE TOMASZ ,  PALM PETTERI

IPC: H01L23/34 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: Hierin beschriebene Halbleiter-Packages enthalten einen thermischen Kondensator, der so ausgelegt ist, dass er transiente Wärmeimpulse von einem Leistungshalbleiterchip absorbiert und anschließend die transienten Wärmeimpulse an eine Umgebung abgibt, und/oder ein Merkmal eines ausgesparten Pads. Entsprechende Verfahren zur Herstellung werden ebenfalls beschrieben.

公开(公告)号：DE102021101747B4

公开(公告)日：2023-02-16

申请号：DE102021101747

申请日：2021-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHO EUNG SAN ,  NAEVE TOMASZ ,  PALM PETTERI

IPC: H01L23/34 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Halbleiter-Package (100), das Folgendes aufweist:ein Substrat (102) mit einer ersten Hauptoberfläche (904), einer zweiten Hauptoberfläche (906) gegenüber der ersten Hauptoberfläche (904), einem elektrisch isolierenden Kern (908) zwischen der ersten und der zweiten Hauptoberfläche (906) und einer elektrisch leitfähigen ersten Durchkontaktierung (910), die sich durch einen Peripheriebereich (912) des Kerns (908) erstreckt, wobei der Peripheriebereich (912) eine Öffnung (110) in dem Kern (908) definiert;einen Leistungshalbleiterchip (108), der in die Öffnung (110) in dem Kern (908) eingebettet ist, wobei der Leistungshalbleiterchip (108) dünner als oder gleich dick wie der Kern (908) ist, wobei der Leistungshalbleiterchip (108) ein erstes Lastanschluss-Bondpad (114) an einer ersten Seite, die in die gleiche Richtung wie die erste Hauptoberfläche (904) des Substrats (102) weist, ein zweites Lastanschluss-Bondpad (118) an einer zweiten Seite, die in die gleiche Richtung wie die zweite Hauptoberfläche (906) des Substrats (102) weist, und ein Steueranschluss-Bondpad (122) an der ersten Seite oder der zweiten Seite aufweist;ein plattiertes erstes Kontaktpad (128) an der zweiten Hauptoberfläche (906) des Substrats (102) und das von der ersten Durchkontaktierung (910) bereitgestellt wird;ein plattiertes zweites Kontaktpad (130) an der zweiten Hauptoberfläche (906) des Substrats (102) und das von dem zweiten Lastanschluss-Bondpad (118) des Leistungshalbleiterchips (108) bereitgestellt wird; undeinen thermischen Kondensator (932), der an der ersten Hauptoberfläche (904) des Substrats (102) befestigt ist, wobei der thermische Kondensator (932) so ausgelegt ist, dass er transiente Wärmeimpulse von dem Leistungshalbleiterchip (108) absorbiert und anschließend die transienten Wärmeimpulse an eine Umgebung abgibt;wobei eine erste Metallisierung (126) an der ersten Hauptoberfläche (904) des Substrats (102) das erste Lastanschluss-Bondpad (114) des Leistungshalbleiterchips (108) mit der ersten Durchkontaktierung (910) elektrisch verbindet, und wobei der thermische Kondensator (932) an der ersten Metallisierung (126) oder an einer plattierten Oberfläche der ersten Metallisierung (126) befestigt ist.

公开(公告)号：DE102021101742A1

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：DE102021101742

申请日：2021-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHO EUNG SAN ,  NAEVE TOMASZ ,  PALM PETTERI

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Halbleiter-Package enthält: ein isolierendes Substrat mit einer ersten und einer zweiten Hauptseite, die einander gegenüberliegen; einen Leistungshalbleiterchip, der in das Substrat eingebettet ist und dünner als oder gleich dick wie das Substrat ist und ein erstes Lastanschluss-Bondpad an einer ersten Seite, die in die gleiche Richtung wie die erste Hauptseite des Substrats weist, ein zweites Lastanschluss-Bondpad an einer zweiten Seite, die in die gleiche Richtung wie die zweite Hauptseite des Substrats weist, und ein Steueranschluss-Bondpad enthält; elektrisch leifähige erste Durchkontaktierungen, die sich durch das Substrat in einem Peripheriebereich erstrecken; eine erste Metallisierung, die das erste Lastanschluss-Bondpad mit den ersten Durchkontaktierungen an der ersten Hauptseite des Substrats verbindet; lötbare erste Kontaktpads an der zweiten Hauptseite des Substrats und die durch die ersten Durchkontaktierungen gebildet werden; und ein lötbares zweites Kontaktpad an der zweiten Hauptseite des Substrats und das durch das zweite Lastanschluss-Bondpad gebildet wird.

公开(公告)号：DE102021100736A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：DE102021100736

申请日：2021-01-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHO EUNG SAN ,  CLAVETTE DANNY ,  FEHLER ROBERT ,  PALM PETTERI

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H02M1/00

Abstract: Eine gehäuste Halbbrückenschaltung (200) beinhaltet einen Träger (202), der einen dielektrischen Kern (204) und eine erste Metallisierungsschicht (206), die auf einer oberen Fläche des Trägers (202) gebildet ist, aufweist, einen ersten und einen zweiten Halbleiterchip (224, 226), die jeweils einen ersten Anschluss (228), einen zweiten Anschluss (230) und einen Steueranschluss (232) beinhalten, und einen leitenden Verbinder (234), der auf der oberen Fläche des Trägers (202) montiert ist und mit der ersten Metallisierungsschicht (206) elektrisch verbunden ist. Der erste Halbleiterchip (224) ist als ein High-Side-Schalter der Halbbrückenschaltung (200) konfiguriert. Der der zweite Halbleiterchip (226) ist als ein Low-Side-Schalter der Halbbrückenschaltung (200) konfiguriert. Mindestens einer von dem ersten und dem zweiten Halbleiterchip (224, 226) ist in dem dielektrischen Kern (204) des Trägers (202) eingebettet. Der leitende Verbinder (234) ist mit einem von dem ersten und dem zweiten Anschluss (228, 230) von einem oder beiden des ersten und des zweiten Halbleiterchips (224, 226) elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102018128414A1

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：DE102018128414

申请日：2018-11-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHO EUNG SAN ,  MEYER THORSTEN ,  SCHLOEGEL XAVER ,  BEHRENS THOMAS ,  HÖGLAUER JOSEF

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: In einigen Beispielen weist eine Vorrichtung ein Halbleiterelement, ein Schichtelement, und ein einzelnes Verbindungselement auf, welches das Halbleiterelement und das Schichtelement elektrisch verbindet. In einigen Beispielen weist das einzelne Verbindungselement zwei oder mehr diskrete Verbindungselemente auf, und jedes diskrete Verbindungselement der zwei oder mehr diskreten Verbindungselemente verbindet das Halbleiterelement und das Schichtelement elektrisch. In einigen Beispielen weist das einzelne Verbindungselement auch leitfähiges Material auf, das an den zwei oder mehr diskreten Verbindungselementen befestigt ist.

公开(公告)号：DE102022116833A1

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：DE102022116833

申请日：2022-07-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEDIC URBAN ,  CHO EUNG SAN ,  NAEVE TOMASZ

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

Abstract: Eine Halbleiterbaugruppe enthält ein Halbleiterpackage, welches einen ersten und einen zweiten Transistorchip enthält, welche in einem Packagekörper eingebettet sind, wobei der erste und der zweite Transistorchip seitlich nebeneinander in dem Packagekörper angeordnet sind, so dass ein erster Lastanschluss des ersten Transistorchips einer oberen Oberfläche des Packagekörpers zugewandt ist, und so, dass ein zweiter Lastanschluss des zweiten Transistorchips der oberen Oberfläche des Packagekörpers zugewandt ist, und einen diskreten Kondensator, welcher auf dem Halbleiterpackage montiert ist, so dass ein erster Anschluss des diskreten Kondensators direkt über und elektrisch verbunden mit dem ersten Lastanschluss des ersten Halbleiterchips ist, und so, dass ein zweiter Anschluss des diskreten Kondensators direkt über und elektrisch verbunden mit dem zweiten Lastanschluss des zweiten Halbleiterchips ist.

公开(公告)号：DE102020103456A1

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：DE102020103456

申请日：2020-02-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHO EUNG SAN ,  PALM PETTERI

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

Abstract: Eine Leistungsvorrichtung enthält einen Rahmen, welcher ein elektrisch isolierendes Material hat, eine Öffnung in dem elektrisch isolierenden Material hat, und einen elektrischen Leiter hat, welcher sich durch das elektrisch isolierende Material erstreckt. Ein Leistungsstufenmodul, welches in der Öffnung befestigt ist, hat einen Ausgangsanschluss an einer ersten Seite des Leistungsstufenmoduls, und einen Leistungsanschluss, einen Masseanschluss und eine Mehrzahl von Eingang/Ausgang (I/O) Anschlüssen an einer zweiten Seite des Leistungsstufenmoduls, welche der ersten Seite entgegengesetzt ist. Eine passive Komponente hat einen ersten Anschluss, welcher mit dem Ausgangsanschluss des Leistungsstufenmoduls verbunden ist, und einen zweiten Anschluss, welcher mit dem elektrischen Leiter des Rahmens verbunden ist. Die passive Komponente hat eine größere Grundfläche als das Leistungsstufenmodul. Der Rahmen vergrößert die Grundfläche des Leistungsstufenmoduls, um das Montieren der passiven Komponente an die Leistungsvorrichtung aufzunehmen. Der Rahmen hat eine niedrigere Verbindungsdichte als das Leistungsstufenmodul.

公开(公告)号：DE102019103355A1

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：DE102019103355

申请日：2019-02-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARBELLA CARLO ,  CHAN SWEE GUAN ,  CHO EUNG SAN ,  ORATTI KALANDAR NAVAS KHAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/482

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wird beschrieben. Das Verfahren umfasst das Abscheiden einer Photoresist-Schicht über einem Halbleitersubstrat. Die Photoresist-Schicht wird strukturiert, um eine Öffnung in der Photoresist-Schicht zu bilden. Eine Kupfersäule wird in der Öffnung gebildet. Eine Diffusionsbarriereschicht wird über der Kupfersäule und über einem Photoresist-Abschnitt der Photoresist-Schicht, der direkt an die Öffnung angrenzt, gebildet. Eine Lotstruktur wird über der Diffusionsbarriereschicht abgeschieden.