公开(公告)号：DE102010028696A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：DE102010028696

申请日：2010-05-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHEW SOON ,  FOWLKES DONALD ,  MOHAMMED ANWAR

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/34

Abstract: Gemäß einem Ausführungsbeispiel eines Hochleistungsbausteins umfasst der Baustein eine Kupferwärmesenke, einen Keramikleitungsrahmen und einen Halbleiterchip. Die Kupferwärmesenke besitzt eine Wärmeleitfähigkeit von zumindest 350 W/mK. Der Keramikleitungsrahmen ist mit einem Epoxid an der Kupferwärmesenke angebracht. Der Halbleiterchip ist auf der gleichen Seite wie der Leitungsrahmen mit einem elektrisch leifähigen Material mit einem Schmelzpunkt von etwa 280°C oder mehr an der Kupferwärmesenke angebracht.

公开(公告)号：DE102010028696B4

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：DE102010028696

申请日：2010-05-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHEW SOON ,  FOWLKES DONALD ,  MOHAMMED ANWAR

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/36

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Hochleistungsbausteins (100), das folgende Schritte aufweist: Anbringen einer Kupferwärmesenke (120) mit einem vorbestimmten Durchbiegen mit einem Epoxid (130) an einem Keramikleitungsrahmen (110); Anbringen eines Halbleiterchips (140) auf der gleichen Seite wie der Keramikleitungsrahmen (110) an der Kupferwärmesenke (120), so dass der Keramikleitungsrahmen (110) den Halbleiterchip (140) zumindest teilweise umgibt; und wobei der Keramikleitungsrahmen (110) und der Halbleiterchip (140) unter Bedingungen an der Kupferwärmesenke (120) angebracht werden, die der Kupferwärmesenke (120) ein Durchbiegen zuteil werden lassen, das dem vorbestimmten Durchbiegen entgegenwirkt, so dass die Seite der Kupferwärmesenke (120), die an dem Keramikleitungsrahmen (110) angebracht ist, planar wird.

公开(公告)号：DE102010038246A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：DE102010038246

申请日：2010-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHEW SOON ,  FOWLKES DONALD

IPC: H01L23/055 ,  H01L21/50 ,  H05K3/42

Abstract: Ein HF-Halbleiterpackage enthält ein Substrat (110) mit allgemein planaren oberen und unteren Oberflächen. Das Substrat (110) enthält ein metallisches Basisgebiet (116) und ein oder mehrere metallische Signalanschlussgebiete (118), die sich von der oberen Oberfläche zu der unteren Oberfläche erstrecken, und ein isolierendes Material (119), das die metallischen Gebiete voneinander trennt. Die untere Oberfläche eines HF-Halbleiterdie (120) ist an däche oberflächenmontiert. Der HF-Halbleiterdie (120) weist ein auf einer oberen Oberfläche des HF-Halbleiterdie (120) angeordnetes Anschlusspad (124) auf. Das Anschlusspad (124) ist elektrisch mit einem der Signalanschlussgebiete (118) auf der oberen Substratoberfläche verbunden. Ein Deckel (130) ist auf der oberen Substratoberfläche angebracht, so dass der HF-Halbleiterdie (120) von dem Deckel (130) eingeschlossen ist, um um den HF-Halbleiterdie (120) herum einen offenen Hohlraum auszubilden. Die Basis- und Signalanschlussgebiete (116, 118) sind zur Oberflächenmontage auf der unteren Substratoberfläche konfiguriert.

公开(公告)号：DE102010036402A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：DE102010036402

申请日：2010-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ANDRADA CHRISTIAN ,  CHEW SOON ,  KOMPOSCH ALEXANDER ,  MOHAMMED ANWAR

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/58 ,  H01L23/043 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07

公开(公告)号：DE102010038246B4

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：DE102010038246

申请日：2010-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHEW SOON ,  FOWLKES DONALD

IPC: H01L23/055 ,  H01L21/50 ,  H05K3/42

Abstract: HF-Halbleiterpackage, umfassend:ein Substrat (110) mit allgemein planaren oberen und unteren Oberflächen, wobei das Substrat (110) ein metallisches Basisgebiet (116) umfasst, das sich von der oberen Oberfläche zu der unteren Oberfläche erstreckt, ein oder mehrere metallische Signalanschlussgebiete (118), die sich von der oberen Oberfläche zu der unteren Oberfläche erstrecken, ohne sich von dem Substrat (110) seitlich nach außen zu erstrecken, und ein isolierendes Material (119), das die metallischen Gebiete voneinander trennt;einen HF-Halbleiterdie (120) mit einer an das Basisgebiet (116) des Substrats (110) auf der oberen Oberfläche des Substrats oberflächenmontierten unteren Oberfläche, wobei der HF-Halbleiterdie (120) ein an einer oberen Oberfläche des HF-Halbleiterdie (120) angeordnetes Anschlusspad (124) aufweist, wobei das Anschlusspad (124) elektrisch mit einem der Signalanschlussgebiete (118) des Substrats (110) auf der oberen Oberfläche des Substrats verbunden ist,wobei die untere Oberfläche des HF-Halbleiterdie (120) ein Sourceanschluss des HF-Halbleiterdie (120) ist, wobei ein erstes der Signalanschlussgebiete (118) des Substrats elektrisch mit einem Eingangsanschlusspad des HF-Halbleiterdie (120) verbunden ist und ein zweites der Signalanschlussgebiete (118) des Substrats elektrisch mit einem Ausgangsanschlusspad des HF-Halbleiterdie (120) verbunden ist;einen Deckel (130), der auf der oberen Oberfläche des Substrats (110) angebracht ist, so dass der HF-Halbleiterdie (120) von dem Deckel (130) eingeschlossen ist, um um den HF-Halbleiterdie (120) herum einen offenen Hohlraum auszubilden; undwobei das Basisgebiet (116) und jedes Signalanschlussgebiet (118) des Substrats (110) zur Oberflächenmontage an der unteren Oberfläche des Substrats (110) konfiguriert sind.

公开(公告)号：DE102010036402B4

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：DE102010036402

申请日：2010-07-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ANDRADA CHRISTIAN ,  CHEW SOON ,  KOMPOSCH ALEXANDER ,  MOHAMMED ANWAR

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/58 ,  H01L23/043 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Lufthohlraum-Bausteins, umfassend: Anbringen mehrerer Chips (120) an einer Oberfläche eines Kupferkühlkörpers (110); Dispensieren eines Wulstes (140) aus Epoxid um eine Peripherie der Kühlkörperoberfläche, nachdem die mehreren Chips (120) an dem Kupferkühlkörper (110) angebracht sind, so dass der Wulst (140) aus Epoxid die mehreren Chips (120) allgemein umgibt; Platzieren eines keramischen Fensterrahmens (130) auf dem Wulst (140) aus Epoxid, Ausüben einer Kraft auf den keramischen Fensterrahmen (130), die sich eignet, einen Teil des Epoxids unter einer unteren Oberfläche des keramischen Fensterrahmens (130) herauszudrücken entlang einer äußeren Seitenwand des keramischen Fensterrahmens (130), die von den mehreren Chips (120) weg gewandt ist; und Härten des Epoxids, um eine untere Oberfläche des keramischen Fensterrahmens (130) an dem Kupferkühlkörper (110) anzubringen und Ausbilden einer epoxidbasierten Hohlkehle entlang der äußeren Seitenwand des keramischen Fensterrahmens (130), wobei sich die epoxidbasierte Hohlkehle über mindestens 25% der Höhe der äußeren Seitenwand des keramischen Fensterrahmens (130) erstreckt, gemessen ab der Kühlkörperoberfläche.