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公开(公告)号:DE102012206403B3
公开(公告)日:2013-03-28
申请号:DE102012206403
申请日:2012-04-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: CORDES ACHIM
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Lötanlage. Diese ist dazu ausgebildet, ein erstes Werkstückpaar (1) und ein zweites Werkstückpaar (2) aufzunehmen. Jedes der Werkstückpaare (1, 2) weist ein erstes Werkstück (3) und ein mittels Lot (5) mit diesem zu verlötendes zweites Werkstück (4) auf. Weiterhin sind eine Heizeinheit (6) vorgesehen, die dazu ausgebildet ist, Energie zum Aufschmelzen des Lotes (5) bereitzustellen, sowie eine erste Positioniereinheit (21) und eine zweite Positioniereinheit (22). Mittels der ersten Positioniereinheit (21) ist ein erster Abstand (d1) des ersten Werkstückpaares (1) von der Heizeinheit (6) einstellbar. Entsprechend ist mittels der zweiten Positioniereinheit (22) ein zweiter Abstand (d2) des zweiten Werkstückpaares (2) von der Heizeinheit (6) einstellbar, und zwar unabhängig vom ersten Abstand (d1).
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公开(公告)号:DE102015108481A1
公开(公告)日:2016-12-01
申请号:DE102015108481
申请日:2015-05-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: REUBER BENEDIKT , MÜCKE ACHIM , SCHRAMM NORBERT , CORDES ACHIM
Abstract: Stapel (2) aus mehreren Lot-Preforms (1), die als Flächengebilde ausgebildet sind und die mit jeweils wenigstens einer ihrer Hauptflächen (6) einander zugewandt, überdeckend gestapelt sind, wobei wenigstens in einer der sich jeweils zugewandten Hauptflächen (6a, 6b) benachbarter Lot-Preforms (1a, 1b) wenigstens eine Erhebung (7) so ausgebildet ist, dass zwischen den Lot-Preforms (1a, 1b) ein zugänglicher Luftspalt (8) ausgebildet ist und die Lot-Preforms (1a, 1b) abgesehen von der wenigstens einen Erhebung (7) gleichförmig ausgebildet sind.
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公开(公告)号:DE102014105957B3
公开(公告)日:2015-06-25
申请号:DE102014105957
申请日:2014-04-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: TUTSCH GÜNTER , KLOS CHRISTOF , WILKE ULRICH , SCHMITT FELIX , CORDES ACHIM
Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Lötverbindung zwischen einem Träger (2) und einem Lötpartner (1). Hierzu werden ein Träger (2), ein Lötpartner (1) und ein Lot (41) bereitgestellt. Der Träger (2) weist eine lötfähige Oberfläche (211) auf, auf der eine stoffschlüssig mit dieser verbundene Haltevorrichtung (3) erzeugt wird. Das Lot (41) wird in der Haltevorrichtung (3) angeordnet und der Lötpartner (1) wird auf das Lot (41) aufgelegt. Zwischen dem Träger (2) und dem Lötpartner (1) wird eine stoffschlüssige Verbindung hergestellt, indem das Lot (41) zu einem flüssigen Lot (42) aufgeschmolzen und dieses nachfolgend bis unter seinen Schmelzpunkt abgekühlt wird. Die Haltevorrichtung (3) ist dabei so ausgebildet, dass sie bis zum Herstellen der stoffschlüssigen Verbindung (43) ein Verrutschen des Lötpartners (1) relativ zum Träger (2) begrenzt.
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公开(公告)号:DE102015108481B4
公开(公告)日:2022-02-03
申请号:DE102015108481
申请日:2015-05-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: REUBER BENEDIKT , MÜCKE ACHIM , SCHRAMM NORBERT , CORDES ACHIM
Abstract: Stapel (2) aus mehreren Lot-Preforms (1), die als Flächengebilde ausgebildet sind und die mit jeweils einer ihrer Hauptflächen (6) einander zugewandt, überdeckend gestapelt sind, wobei wenigstens in einer der sich jeweils zugewandten Hauptflächen (6a,6b) benachbarter Lot-Preforms (1a, 1b) wenigstens eine Erhebung (7) so ausgebildet ist, dass zwischen den Lot-Preforms (1a,1b) ein zugänglicher Luftspalt (8) ausgebildet ist und die Lot-Preforms (1a,1b) abgesehen von der wenigstens einen Erhebung (7) gleichförmig ausgebildet sind.
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公开(公告)号:DE102013213135B3
公开(公告)日:2014-08-28
申请号:DE102013213135
申请日:2013-07-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SCHMITT FELIX , CORDES ACHIM , WILKE ULRICH , KLOS CHRISTOF
Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Verbindung zwischen mindestens einem Halbleiter-Chip und einem Substrat mittels Weichlöten beschrieben. Gemäß einem ersten Beispiel der Erfindung umfasst das Verfahren das Bereitstellen eines Substrats mit einer Metallisierung und das Bereitstellen von mindestens einem Preform aus festem Lotmaterial. Das Preform wird auf einer korrespondierenden Lötposition auf der Metallisierung des Substrats positioniert und lokal an der Metallisierung des Substrat durch Laserschweißen befestigt. Mindestens ein Halbleiter-Chip wird auf dem korrespondierenden Preform positioniert, und im Anschluss erfolgt die Herstellung der Lötverbindung zwischen Halbleiter-Chip(s) und der Metallisierung des Substrats durch Aufschmelzen des (der) Preform(s). Die Befestigung des Preforms durch Laserschweißen kann alternativ durch von einer Flüssigkeit bewirkten Adhäsionskräfte erfolgen.
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