公开(公告)号：DE102014105957B3

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE102014105957

申请日：2014-04-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TUTSCH GÜNTER ,  KLOS CHRISTOF ,  WILKE ULRICH ,  SCHMITT FELIX ,  CORDES ACHIM

IPC: B23K1/20 ,  B23K1/00 ,  B23K33/00 ,  H01L21/58 ,  H05K3/34

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Lötverbindung zwischen einem Träger (2) und einem Lötpartner (1). Hierzu werden ein Träger (2), ein Lötpartner (1) und ein Lot (41) bereitgestellt. Der Träger (2) weist eine lötfähige Oberfläche (211) auf, auf der eine stoffschlüssig mit dieser verbundene Haltevorrichtung (3) erzeugt wird. Das Lot (41) wird in der Haltevorrichtung (3) angeordnet und der Lötpartner (1) wird auf das Lot (41) aufgelegt. Zwischen dem Träger (2) und dem Lötpartner (1) wird eine stoffschlüssige Verbindung hergestellt, indem das Lot (41) zu einem flüssigen Lot (42) aufgeschmolzen und dieses nachfolgend bis unter seinen Schmelzpunkt abgekühlt wird. Die Haltevorrichtung (3) ist dabei so ausgebildet, dass sie bis zum Herstellen der stoffschlüssigen Verbindung (43) ein Verrutschen des Lötpartners (1) relativ zum Träger (2) begrenzt.

公开(公告)号：DE102013213135B3

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE102013213135

申请日：2013-07-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMITT FELIX ,  CORDES ACHIM ,  WILKE ULRICH ,  KLOS CHRISTOF

IPC: H01L21/58 ,  B23K26/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67 ,  H05K3/34

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Verbindung zwischen mindestens einem Halbleiter-Chip und einem Substrat mittels Weichlöten beschrieben. Gemäß einem ersten Beispiel der Erfindung umfasst das Verfahren das Bereitstellen eines Substrats mit einer Metallisierung und das Bereitstellen von mindestens einem Preform aus festem Lotmaterial. Das Preform wird auf einer korrespondierenden Lötposition auf der Metallisierung des Substrats positioniert und lokal an der Metallisierung des Substrat durch Laserschweißen befestigt. Mindestens ein Halbleiter-Chip wird auf dem korrespondierenden Preform positioniert, und im Anschluss erfolgt die Herstellung der Lötverbindung zwischen Halbleiter-Chip(s) und der Metallisierung des Substrats durch Aufschmelzen des (der) Preform(s). Die Befestigung des Preforms durch Laserschweißen kann alternativ durch von einer Flüssigkeit bewirkten Adhäsionskräfte erfolgen.