公开(公告)号：DE102014105957B3

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE102014105957

申请日：2014-04-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TUTSCH GÜNTER ,  KLOS CHRISTOF ,  WILKE ULRICH ,  SCHMITT FELIX ,  CORDES ACHIM

IPC: B23K1/20 ,  B23K1/00 ,  B23K33/00 ,  H01L21/58 ,  H05K3/34

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Lötverbindung zwischen einem Träger (2) und einem Lötpartner (1). Hierzu werden ein Träger (2), ein Lötpartner (1) und ein Lot (41) bereitgestellt. Der Träger (2) weist eine lötfähige Oberfläche (211) auf, auf der eine stoffschlüssig mit dieser verbundene Haltevorrichtung (3) erzeugt wird. Das Lot (41) wird in der Haltevorrichtung (3) angeordnet und der Lötpartner (1) wird auf das Lot (41) aufgelegt. Zwischen dem Träger (2) und dem Lötpartner (1) wird eine stoffschlüssige Verbindung hergestellt, indem das Lot (41) zu einem flüssigen Lot (42) aufgeschmolzen und dieses nachfolgend bis unter seinen Schmelzpunkt abgekühlt wird. Die Haltevorrichtung (3) ist dabei so ausgebildet, dass sie bis zum Herstellen der stoffschlüssigen Verbindung (43) ein Verrutschen des Lötpartners (1) relativ zum Träger (2) begrenzt.

公开(公告)号：DE102023121708A1

公开(公告)日：2025-02-20

申请号：DE102023121708

申请日：2023-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIMBERT-RIVIERE CHARLES ,  TROSKA GEORG ,  LOTTSPEICH LYDIA ,  GOLDAMMER MARTIN ,  WILKE ULRICH ,  DOMES BENEDIKT ,  BÖWERS LARS

IPC: H05K3/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H05K1/02

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Substrates für ein Halbleitermodul weist auf das Formen einer ersten elektrisch leitenden Schicht auf einer ersten Seite einer dielektrischen Isolationsschicht, das Strukturieren der ersten elektrisch leitenden Schicht durch Erzeugen eines oder mehrerer durchgehender Einschnitte in der ersten elektrisch leitenden Schicht, welche sich von einer oberen Oberfläche der ersten elektrisch leitenden Schicht bis hin zur dielektrischen Isolationsschicht erstrecken, um so verschiedene Abschnitte der ersten elektrisch leitenden Schicht vollständig voneinander zu trennen, und das Formen einer Passivierungsschicht, wobei die Passivierungsschicht die gesamte Oberfläche der strukturierten ersten elektrisch leitenden Schicht bedeckt.

公开(公告)号：DE102013213135B3

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE102013213135

申请日：2013-07-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMITT FELIX ,  CORDES ACHIM ,  WILKE ULRICH ,  KLOS CHRISTOF

IPC: H01L21/58 ,  B23K26/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67 ,  H05K3/34

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Verbindung zwischen mindestens einem Halbleiter-Chip und einem Substrat mittels Weichlöten beschrieben. Gemäß einem ersten Beispiel der Erfindung umfasst das Verfahren das Bereitstellen eines Substrats mit einer Metallisierung und das Bereitstellen von mindestens einem Preform aus festem Lotmaterial. Das Preform wird auf einer korrespondierenden Lötposition auf der Metallisierung des Substrats positioniert und lokal an der Metallisierung des Substrat durch Laserschweißen befestigt. Mindestens ein Halbleiter-Chip wird auf dem korrespondierenden Preform positioniert, und im Anschluss erfolgt die Herstellung der Lötverbindung zwischen Halbleiter-Chip(s) und der Metallisierung des Substrats durch Aufschmelzen des (der) Preform(s). Die Befestigung des Preforms durch Laserschweißen kann alternativ durch von einer Flüssigkeit bewirkten Adhäsionskräfte erfolgen.

公开(公告)号：DE102023121708B4

公开(公告)日：2025-04-30

申请号：DE102023121708

申请日：2023-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIMBERT-RIVIERE CHARLES ,  TROSKA GEORG ,  LOTTSPEICH LYDIA ,  GOLDAMMER MARTIN ,  WILKE ULRICH ,  DOMES BENEDIKT ,  KNUST STEFFEN

IPC: H05K3/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H05K1/02

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Substrates (10) für ein Halbleitermodul, wobei das Verfahren aufweist:Formen einer ersten elektrisch leitenden Schicht (111) auf einer ersten Seite einer dielektrischen Isolationsschicht (11);Strukturieren der ersten elektrisch leitenden Schicht (111) durch Erzeugen eines oder mehrerer durchgehender Einschnitte in der ersten elektrisch leitenden Schicht (111), welche sich von einer oberen Oberfläche der ersten elektrisch leitenden Schicht (111) bis hin zur dielektrischen Isolationsschicht (11) erstrecken, um so verschiedene Abschnitte der ersten elektrisch leitenden Schicht (111) vollständig voneinander zu trennen; undFormen einer Passivierungsschicht (40), wobei die Passivierungsschicht (40) die gesamte Oberfläche der strukturierten ersten elektrisch leitenden Schicht (111) bedeckt, wobei die Passivierungsschicht (40) organische Moleküle mit wenigstens einer funktionellen Gruppe aufweist, und wobei das Formen der Passivierungsschicht (40) das Behandeln der ersten elektrisch leitenden Schicht (111) mittels eines Hydrofluorether (HFE)-Reinigungsverfahrens aufweist.

公开(公告)号：DE102020115990B3

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：DE102020115990

申请日：2020-06-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CRAES FABIAN ,  EHLERS CARSTEN ,  HOHLFELD OLAF ,  WILKE ULRICH

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/14 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Verfahren weist das Formen einer ersten elektrisch leitenden Schicht auf einer ersten Seite einer dielektrischen Isolationsschicht, das Formen einer strukturierten Maskenschicht auf einer der dielektrischen Isolationsschicht abgewandten Seite der ersten elektrisch leitenden Schicht, das Formen wenigstens eines Grabens in der ersten elektrisch leitenden Schicht, wobei sich der wenigstens eine Graben durch die gesamte erste elektrisch leitende Schicht hindurch zu der dielektrischen Isolationsschicht erstreckt, das Formen einer Beschichtung, welche wenigstens den Boden und die Seitenwände des wenigstens einen Grabens bedeckt, und, nach dem Formen der Beschichtung, das Entfernen der Maskenschicht auf.