HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS, BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS

    公开(公告)号:DE102013202355B4

    公开(公告)日:2020-09-10

    申请号:DE102013202355

    申请日:2013-02-13

    Abstract: Halbleiterchip (100), der Folgendes umfasst:mehrere Kontaktstellen (101a - 101h), die in einem Randbereich (103) auf einer Oberfläche (105) des Halbleiterchips (100) angeordnet sind;wobei für jede Kontaktstelle der mehreren Kontaktstellen (101a - 101h) eine zugeordnete Kontaktstellenzelle (109a - 109h) in einem Halbleiterbereich (107) des Halbleiterchips (100) in einer Projektion in einer Chipstapelrichtung zumindest teilweise unter dieser Kontaktstelle (101a - 101h) bereitgestellt ist, wobei die Kontaktstellenzelle (109a - 109h) einen Treiber und einen Empfänger umfasst, der dafür konfiguriert ist, an seiner zugeordneten Kontaktstelle (101a - 101h) Ausgangssignale anzusteuern oder Eingangssignale zu empfangen, sofern der Treiber oder der Empfänger mit der Kontaktstelle (101a - 101h) verbunden ist; undwobei für eine Kontaktstelle (101a, 101c, 101d), die als eine Versorgungskontaktstelle verwendet wird, der Treiber und der Empfänger ihrer zugeordneten Kontaktstellenzelle (109a - 109h) nicht mit der Kontaktstelle (101a, 101c, 101d) oder irgendeiner anderen Kontaktstelle (101a - 101h) verbunden ist, um dort Ausgangssignale anzusteuern oder Eingangssignale zu empfangen.

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