公开(公告)号：DE102016109099A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102016109099

申请日：2016-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ASSMANN HEIKO ,  DANKELMANN MARCUS ,  WINKLER UWE

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Belichtungsmaske (100) Folgendes aufweisen: einen Träger (102); eine erste Belichtungsstruktur (104a) in einer ersten Strukturebene (101a) des Trägers (102); und eine zweite Belichtungsstruktur (104b) in einer zweiten Strukturebene (101b) des Trägers (102), wobei die beiden Strukturebenen (101a, 101b) voneinander verschieden sind.

公开(公告)号：DE102016106691B4

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：DE102016106691

申请日：2016-04-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ASSMANN HEIKO ,  DANKELMANN MARCUS ,  GREINER ANDREAS ,  FRIEDRICH KARSTEN ,  GÖTSCHKES UDO ,  SCHNEIDER JENS ,  BRAUN FELIX ,  RUDOLF RALF ,  DOERING STEFAN

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/22 ,  H01L21/26 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren (300) aufweisend:• Bilden(310) eines vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs (304) an einer vordefinierten Position in einer ersten Schicht (302) derart, dass der vergrabene elektrisch geladene Bereich (304) ein elektrisches Feld (304f) mit einer lateralen inhomogenen Feldverteilung oberhalb der ersten Schicht (302) erzeugt; und• Bilden (320) einer zweiten Schicht (306) über der ersten Schicht (302) unter Verwendung der Feldverteilung (304f) derart, dass eine Struktur (306s) der zweiten Schicht (306) mit der Position des vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs (304) korreliert,• wobei die zweite Schicht (306) ein elektroaktives Material aufweist, das von dem elektrischen Feld des vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs (304) beeinflusst wird.

公开(公告)号：DE102016109099B4

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：DE102016109099

申请日：2016-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ASSMANN HEIKO ,  DANKELMANN MARCUS ,  WINKLER UWE

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/38 ,  G03F1/44 ,  G03F7/20

Abstract: Belichtungsmaske (100), aufweisend:• einen Träger (102), wobei der Träger (102) eine plane Oberfläche (102o) aufweist, wobei die plane Oberfläche (102o) eine Hauptebene (101a) definiert, in welcher eine Hauptbelichtungsstruktur (304) angeordnet ist;• zusätzlich zu der Hauptbelichtungsstruktur (304) eine erste Referenz-Belichtungsstruktur (104a) in einer ersten Strukturebene (101a) des Trägers (102), eine zweite Referenz-Belichtungsstruktur (104b) in einer zweiten Strukturebene (101b) des Trägers (102) und eine dritte Referenz-Belichtungsstruktur (104c) in einer dritten Strukturebene (101c) des Trägers (102), wobei die drei Strukturebenen (101a, 101b, 101c) voneinander verschieden sind und wobei die erste Strukturebene (101a) des Trägers (102) der Hauptebene (101a) entspricht.

公开(公告)号：DE102016106691A1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：DE102016106691

申请日：2016-04-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ASSMANN HEIKO ,  DANKELMANN MARCUS ,  GREINER ANDREAS ,  FRIEDRICH KARSTEN ,  GÖTSCHKES UDO ,  SCHNEIDER JENS ,  BRAUN FELIX ,  RUDOLF RALF ,  DOERING STEFAN

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/22 ,  H01L21/26 ,  H01L21/66

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes aufweisen: das Bilden eines vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs an einer vordefinierten Position in einer ersten Schicht derart, dass der vergrabene elektrisch geladene Bereich ein elektrisches Feld mit einer lateralen inhomogenen Feldverteilung oberhalb der ersten Schicht erzeugt; und das Bilden einer zweiten Schicht über der ersten Schicht unter Verwendung der Feldverteilung derart, dass eine Struktur der zweiten Schicht mit der Position des vergrabenen elektrisch geladenen Bereichs korreliert.